董顺乐
- 作品数：13 被引量：0H指数：0
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- 氧注入制成SOI材料的研究
- 董顺乐
- 单分子分解反应的统计力学方法
- 1990年
- 将键级守恒应用于单分子分解反应,即认为 CH_3-OH 分子由初态到过渡态 CH_3…OH 变化期间键级守恒,对要分离的两原子间的 Morse 势做了修正,并将转动对单分子分解反应的影响考虑进去,利用统计力学得到了临界键长的分布函数。对反应速率常数进行了计算,得到了较好的计算结果。
- 董顺乐丁世良卢兆铭
- 关键词：单分子键级
- I+H_2→IH+H反应动力学的统计方法计算
- 1989年
- 利用过渡态理论和键级守恒假设计算了化学反应1+H_2→IH+H的活化能、指前因子和反应速率常数,所得结果与实验值相符。
- 董顺乐丁世良邓从豪
- 关键词：IH2反应活化能指前因子
- 分子多光子共振吸收的理论研究
- 1993年
- 首先利用Floquet理论得到共振态的本征函数,再通过求解束缚态与连续态的耦合矩阵而得到束缚态的解离几率,最后得到任一束缚态通过耦合而解离的解离几率及衰变宽度等,利用我们得到的公式,对不转动的双原子分子及双原子分子模型进行了计算,在外场不是特别强的情况下,得到了一些很好的结果。
- 董顺乐梅良模
- 关键词：双原子分子多光子过程
- H+H_2(v=0)→H_2+H反应中考虑隧道效应的过渡态理论
- 1990年
- 传统的过渡态理论并没有考虑隧道效应,特别是低温下忽略隧道效应会给计算带来明显的误差。1979年Kuppermann提出的过渡态理论中引进了透过几率,这就给考虑隧道效应带来了方便。
- 董顺乐卢兆铭王燕
- 关键词：过渡态理论
- 注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响
- 1990年
- 选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。
- 董顺乐丛培杰
- 关键词：SOI离子注入温度背散射氧离子
- 氧注入制成SOI材料的研究
- 1989年
- 采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.
- 董顺乐丛培杰刘家瑞马瑞芬
- 关键词：离子注入SOI沟道
- 原子与双原子分子的碰撞反应
- 2002年
- 一个原子与一个同核双原子分子反应碰撞的过渡态构型是线型的 ,计算了平衡临界键长的统计分布函数及其平均值、反应活化能和反应速率常数 ,理论结果与实验值相符 .
- 丁世良孔涛董顺乐
- 关键词：过渡态
- 过渡态理论中穿透因子的修正
- 1990年
- 透过几率中考虑隧道效应而得到过渡态络合物振动、转动量子态的穿透系数,对弯曲振动态和转动态取统计平均就得到伸缩振动态的穿透系数,利用此穿透系数对传统的过渡态理论得到的反应速率常数做了修正.将反应速率常数的计算值与实验值比较发现:低温区(<300K)穿透系数修正的反应速率常数明显好于传统的过渡态理论的结果.
- 董顺乐卢兆铭丁世良谭安辉
- 隧道效应修正的过渡态理论
- 1992年
- 提出了计算速率常数的精细态—态过渡态表达式,考虑隧道效应的计算结果与实验结果符合得较好,特别是室温以下,未考虑隧道效应的计算值偏离,实验结果较明显。
- 董顺乐
- 关键词：过渡态隧道效应反应速率常数
