石勤伟
- 作品数:8 被引量:34H指数:3
- 供职机构:中国科学技术大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域:理学生物学一般工业技术更多>>
- DNA在熵受限管道中穿越过程的计算机模拟被引量:8
- 2004年
- 利用MetropolisMonte Carlo动力学方法结合键长涨落算法 ,模拟了单链DNA分子在电场作用下穿越熵受限管道的动力学过程 .结果表明 ,DNA分子穿越管道时将经历无规迁移、受限迁移及快速迁移等几个显著不同的阶段 .平均迁移率随外场增加而增大并最终达到饱和值 μ0 ,受限时间的对数与所加场强的倒数之间基本满足线性关系 .模拟结果不仅与文献所给的实验结果基本一致 ,而且还可以提供实验不能直接观察到的DNA分子较为详细的穿越过程 .
- 谢永军石勤伟王晓平朱平平杨海洋张兴元
- 关键词:DNA分子
- 准粒子谱函数对单层石墨片最小电导率的影响被引量:3
- 2008年
- 在有效质量近似下,利用久保(Kubo)公式计算了单层石墨片的最小电导率.结果发现最小电导率的大小依赖于准粒子谱函数的函数形式:如果准粒子谱函数取洛伦兹分布,得到最小电导率为4e2/πh;如果准粒子谱函数满足高斯分布,则最小电导率为2e2/h.
- 罗涛朱伟石勤伟王晓平
- 高聚物薄膜表面堆起结构的变温原子力显微术研究被引量:2
- 2003年
- 利用原子力显微镜研究了不同温度 (室温至 5 8℃ )及扫描速率 (1— 2 0 μm s)对高聚物PtBuA薄膜 (厚度为133nm)表面上形成的突起结构和周期状堆起结构的影响 .发现较快的扫描速率或较低的温度易产生随机的团状突起 ,较慢的扫描速率或较高的温度则易形成周期状突起结构 (周期宽度约为 10 0nm) ,且温度和扫描速率对周期状堆起结构的影响定性满足高聚物的时温等效关系 .此外 ,当温度低于高聚物的玻璃化转变温度Tg 时 ,表面粗糙度随扫描次数的增加而增加 ;高于Tg 时 ,表面粗糙度基本不变 .实验表明堆起结构的形成需要高聚物有较大的模量、较小的粘附力和较弱的分子弛豫能力 ,因此该类结构主要在玻璃态才能形成 .
- 王晓平石勤伟
- 关键词:高聚物薄膜变温
- 开口悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响被引量:2
- 2005年
- 采用紧束缚模型研究了悬挂端对单壁碳纳米管电子输运特性的影响.结果表明:有限长悬挂端开口碳纳米管的电导在费米能级附近作周期性振荡.椅型(armchair)碳纳米管的振荡同时具有快、慢两个准周期,而锯齿型(zigzag)碳纳米管的振荡仅有一个周期;碳纳米管电导在费米能级附近的振荡周期随着悬挂端的增长而减小.研究还发现:有限长悬挂端开口碳纳米管的平均电导随探针与碳纳米管间耦合强度的增加而增大,其大小约为无限长悬挂端开口碳纳米管平均电导的两倍.
- 陈钦李统藏石勤伟王晓平
- 关键词:电子输运特性单壁碳纳米管紧束缚模型有限长准周期无限长
- 单链DNA在受限环境中伸展的Monte Carlo模拟被引量:2
- 2005年
- 将MonteCarlo方法和键长涨落算法相结合,模拟了受限于两平行平面间的单链DNA分子在外力作用下的伸展以及撤除外力以后弛豫的动力学过程,研究了受限程度对DNA分子的伸展长度及弛豫过程的影响.结果表明,随着受限程度的增加,DNA分子链的构象更加伸展,这主要是由于随着平面间距的减少,DNA分子不同链段之间流体力学相互作用将会被平面屏蔽所致,受限程度不同时DNA分子的弛豫过程进一步证实了这一点.DNA分子的伸展长度(即末端距)随着流速的变化关系与文献给出的实验结果及其对此所做的理论分析是基本一致的.
- 张胡铭谢永军何秀娟石勤伟朱平平杨海洋
- 关键词:MONTECARLO模拟DNA分子
- 碳纳米管化学分子探测传感器及其制备方法
- 碳纳米管化学分子探测传感器及其制备方法涉及一种利用纳米尺度的碳纳米管实现对化学分子传感探测的器件及其制备方法,其传感器是将单壁碳纳米管置于衬底上,其一端沉积基点电极,然后在纳米管上距离另一端口即悬空端距离为该纳米管的电子...
- 胡海龙张琨王振兴石勤伟王晓平侯建国
- 文献传递
- 碳纳米管化学分子探测传感器及其制备方法
- 碳纳米管化学分子探测传感器及其制备方法涉及一种利用纳米尺度的碳纳米管实现对化学分子传感探测的器件及其制备方法,其传感器是将单壁碳纳米管置于衬底上,其一端沉积基点电极,然后在纳米管上距离另一端口即悬空端距离为该纳米管的电子...
- 胡海龙张琨王振兴石勤伟王晓平侯建国
- 文献传递
- 晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响被引量:17
- 2004年
- 利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程 .研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响 .结果发现产生压 (张 )应变的晶格负 (正 )失配使生长过程更早 (迟 )从成核区进入过渡区 ,失配越大 ,这一效应越明显 .在相同的沉积条件下 ,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸 ,而正失配则相反 .成核密度满足标度关系Ns≈ (F D)χ ,随着失配度从 - 0 0 4增加到 0 0 2 ,标度系数 χ从 0 37逐渐减小到 0 33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无二聚体扩散模式 .此外 ,模拟结果还表明 。
- 王晓平谢峰石勤伟赵特秀
- 关键词:薄膜物理薄膜生长晶格失配蒙特卡罗模拟