石之杰
- 作品数：7 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省国际科技合作项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- 集成电路铜互连中硅碳氮介质阻挡层的制备与特性研究
- 随着集成电路技术不断发展，互连RC（R为电阻，C是介质电容）延迟却逐步增大。从130nm技术阶段开始，其已成为影响电路速度的主要矛盾。为提高互连性能，采用新的低电阻率金属互连材料（Cu）和低介电常数互连介质材料的铜互连技...
- 石之杰
- 关键词：磁控溅射表面形貌介电常数铜互连集成电路
- 文献传递
- 用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
- 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具...
- 周继承石之杰郑旭强刘福黄迪辉
- 文献传递
- SiCN扩散阻挡层薄膜的制备及特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu/SiCN薄膜,并对试样进行了退火处理。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、四探针测试仪(FPP)研究了SiCN薄膜的表面形貌、物相结构及在Cu/SiCN/Si结构中SiCN薄膜对铜与硅的阻挡性能。结果表明,沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构,晶化温度在1000℃以上;SiCN薄膜作为Cu的扩散阻挡层有较好的热稳定性及阻挡性,阻挡失效温度在600℃左右。
- 周继承石之杰郑旭强
- 关键词：铜互连磁控溅射
- 用于铜互连的SiCN介质扩散阻挡层薄膜及其制备工艺
- 本发明公开了一种用于铜互连的SiCN扩散阻挡层薄膜，其特征在于，由包括质量百分比为10％～15％的N、15％～20％的C和余量为Si的原料通过磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该SiCN扩散阻挡层薄膜的工艺，具...
- 周继承石之杰郑旭强刘福黄迪辉
- 文献传递
- AlN电子薄膜材料的研究进展被引量：14
- 2007年
- AlN是一种在热、电、光和机械等方面具有良好综合性能的材料,作为电子薄膜材料在微电子、电子元件、高频宽带通信以及功率半导体器件等领域有广泛应用。简介了AlN薄膜的制备方法,评述了国内外各科研团体的最新研究成果和进展,阐述了AlN薄膜的应用,并综述了近年来AlN薄膜作为缓冲层、SOI结构的绝缘埋层和吉赫兹级声表面波器件压电薄膜的研究现状。
- 周继承石之杰
- 关键词：电子元器件
- 溅射工艺对SiCN扩散阻挡层薄膜的影响
- 本文采用射频磁控反应溅射法制备了SiCN薄膜,利用台阶仪、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构。研究了工艺参数如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热处理对薄膜沉积速率、表面形貌、物相结构...
- 石之杰周继承郑旭强
- 关键词：半导体技术磁控溅射扩散阻挡层
- 文献传递
- 溅射工艺对SiCN扩散阻挡层薄膜的影响
- 采用射频磁控反应溅过去制备了SiCN簿膜,利用台阶仪、原了力显微镜(AFM)）、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构。研究了工艺参加如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热处理对薄膜沉积速率、表面形貌、物相结构的...
- 石之杰周继承郑旭强
- 关键词：半导体薄膜扩散阻挡层磁控溅射
