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王新荣
作品数:
12
被引量:2
H指数:1
供职机构:
清华大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
化学工程
一般工业技术
电气工程
金属学及工艺
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合作作者
桂治轮
清华大学材料科学与工程系
张孝文
清华大学材料科学与工程系
李龙土
清华大学材料科学与工程系
阮立坚
清华大学
蔡丽英
清华大学
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机构
12篇
清华大学
作者
12篇
王新荣
9篇
桂治轮
7篇
李龙土
7篇
张孝文
2篇
阮立坚
1篇
蔡丽英
传媒
2篇
材料研究学报
2篇
’93全国相...
1篇
硅酸盐学报
1篇
电子显微学报
1篇
现代技术陶瓷
1篇
94’全国结...
1篇
’94全国结...
年份
1篇
2001
1篇
1997
1篇
1996
2篇
1995
5篇
1994
2篇
1993
共
12
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Pb(Sc<,1/2>Ta<,1/2>)O<,3>有序-无序相变的振动光谱研究
王新荣
桂治轮
关键词:
振动谱
铅化合物
铌镁酸铅基温度稳定型驰豫铁电陶瓷组成及制备工艺
本发明涉及一种铌镁酸铅基温度稳定型驰豫铁电介质陶瓷的组成和制备工艺。该陶瓷的一般式为:XPb(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3</Sub>,-yBaTiO<Sub>3</S...
李龙土
阮立坚
桂治轮
王新荣
文献传递
复合钙钛矿Pb(Fe_(1/2)Nb_(1/2))O_3的弛豫特性
1994年
制备了纯钙钛矿相Pb(Fe1/2Nb1/2)O3(PFN)陶瓷.研究其介电性能表明,PFN陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变(DPT)现象.未退火试样εmax对应的温度Tm不随测量频率变化,退火试样的Tm随频率变化,即表现出Tm频率色散现象.结合XRD分析,指出PFN应属弛豫铁电体.
王新荣
桂治轮
李龙土
张孝文
关键词:
弛豫铁电体
介电性能
钙钛矿
铌镁酸铅基温度稳定型驰豫铁电陶瓷组成及制备工艺
本发明涉及一种铌镁酸铅基温度稳定型驰豫铁电介质陶瓷的组成和制备工艺。该陶瓷的一般式为:XPb(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3</Sub>,-yBaTiO<Sub>3</S...
李龙土
阮立坚
桂治轮
王新荣
文献传递
铅系复合钙钛矿型铁电陶瓷的微结构及其性能研究
王新荣
Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3铁电体的有序结构和介电性质
被引量:1
1996年
通过铌铁矿预合成法制备Pb(Sc1/2Ta1/2)O3(PST)陶瓷,经适当的热处理获得了钙钛矿化合物B位离子的高有序和高无序试样PST陶瓷的介电性质研究结果表明,高有序试样(S=0.77)的居里温度为29℃,并具有较低的介电常(εmax=4050,1kHz),表现出普通铁电体性质特征而高无序试样(S=0)具有很高的介电常数(εmax=10100,1kHz),并表现出明显的弥散性相转变(DPT)和Tm的频率色散行为,即高介电常数的弛豫铁电体性质。文中还利用XRD,SEM,TEM,HREM等对高有序和高无序试样的微结构进行了研究。
王新荣
张孝文
桂治轮
李龙土
关键词:
介电性质
微结构
铁电体
铅系复合钙钛矿Pb(Fe_(1/2)Ta_(1/2))O_3铁电陶瓷的介电弛豫
1995年
用普通合成法制备了纯钙钛矿结构相的Pb(Fe_(1/2)=Ta_(1/2))O_3(PFT)陶瓷,并进行了900℃退火热处理。对其介电性质测试结果表明,未热处理与热处理过的PFT陶瓷在0.1~100kHz频率下均表现出介电弥散性转变。未热处理的PFT陶瓷最大介电常数对应的温度(T_0)不随测量频率变化;热处理过的PFT陶瓷在此频率范围T_0值表现出明显的频率依赖性(频率色散),即ΔT_0=5℃。由此可以认为PFT是弛豫铁电体。XRD结果表明,未热处理的PFT陶瓷无超晶格衍射;而热处理过的PFT陶瓷则有较弱的(111)超晶格衍射。利用有序-无序转变理论及超顺电结构模型对其结构与性质进行了探讨。
王新荣
桂治轮
李龙土
张孝文
关键词:
弛豫
铁电体
铁电陶瓷
陶瓷
PST陶瓷的有序无序状态与介电弛豫特性
钽钪酸铅Pb(ScTa)O(简称为PST)是一种典型的具有B位离子有序无序转变的铅系复合钙钛矿化合物,其有序无序结构已受到人们广泛的重视与研究。1980年Stenger和Burggraaf曾给出了几个不同有序度的PST陶...
王新荣
张孝文
桂治轮
李龙土
关键词:
弛豫铁电体
有序度
PST
介电性质
文献传递
Pb(Sc<,1/2>Ta<,1/2>)O<,3>铁电-顺电相变的变温Ramam光谱分析
王新荣
桂治轮
关键词:
氧化物陶瓷
喇曼光谱法
氧化铅
弛豫铁电陶瓷PST中反相畴结构的HREM研究
被引量:1
1995年
本工作用高分辨电子显微学方法研究了弛豫铁电陶瓷Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5)O_3(PST)中的有序-无序结构,直接观察到有序-无序结构畴界及反相畴界(APBs),对反相畴界的结构进行了分析,指出在PST中的反相畴往往是{111}面的层错,晶格位移在{111}方向上,位移量是{111}。提出了在PST中APBs形成的机制。
蔡丽英
张孝文
王新荣
关键词:
弛豫铁电陶瓷
电子显微学
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