王德信
- 作品数：11 被引量：11H指数：2
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- 射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响
- 2012年
- 采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.
- 邵宇光杨沁玉王德信石建军徐金洲郭颖张菁
- 一种三维TiO<Sub>2</Sub>晶体膜的制备方法
- 本发明提供了一种三维TiO<Sub>2</Sub>晶体膜的制备方法，包括采用常压低温射频介质阻挡辉光放电方法，将放电气体通入介质阻挡放电等离子体反应器中，通射频交流电使所述放电气体放电产生等离子体射流，将前驱体和载气送入...
- 王德信张菁石建军郭颖丁可
- 一种二氧化钛立方锥晶体的制备方法
- 本发明涉及一种二氧化钛立方锥晶体的制备方法，其特征在于，采用常压低温射频介质阻挡辉光放电方法，将放电气体通入介质阻挡放电等离子体反应器中，通射频交流电使所述放电气体放电产生等离子体射流，将前驱体和载气送入等离子体区进行反...
- 王德信郭颖徐金洲杨沁玉石建军张菁
- 文献传递
- 三维锐钛矿TiO2单晶薄膜的常压非平衡等离子体制备及发光性能研究
- TiO2具有良好的化学稳定性、无毒性以及光诱导下的强氧化性等优点,在染料敏化太阳能电池、净化空气和水以及光解水生产氢气和氧气等方面表现出良好的应用前景。TiO2作为一种间接宽带隙半导体,它的锐钛矿晶型带隙为3.2 eV ...
- 王德信
- 关键词：阴极射线发光
- 文献传递
- 介质阻挡放电等离子体沉积多孔硅纳米颗粒膜的光发射及红外光谱被引量：4
- 2010年
- 用介质阻挡放电(DBD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过程的发射光谱结果表明,在412 nm处出现S iH*(A2Δ→X2Π0-0)特征峰,证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解。将脉冲负偏压固定在-300 V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜的红外光谱显示S i—O—S i在1 070cm-1伸缩振动吸收峰与800 cm-1的弯曲振动峰都有所增强,而930 cm-1的S i—H弯曲振动减弱。说明随着占空比的增加,S i—O—S i键的结合越来越明显。
- 刘磊杨沁玉王德信杨平张菁
- 关键词：发射光谱红外光谱占空比
- 超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法
- 本发明涉及一种超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法，包括：(1)以频率为12－14MHZ的射频等离子体发生器产生等离子体辉光，并且调节等离子体功率在40W－180W之间变动；(2)以四异丙基钛酸脂为单体沉积，...
- 刘伟李岩何涛过凯王德信郭颖杨平张菁
- 文献传递
- 大气压等离子体处理纤维束或纤维线绳表面装置及方法
- 本发明涉及一种大气压等离子体处理纤维束或纤维线绳表面装置及方法，同轴套置石英内套管和石英外套管构成气体放电等离子体区，石英内套管的内表面或外表面通过真空蒸镀沉积金属膜形成高压电极；石英外套管外表面套接不锈钢丝网和水膜夹层...
- 徐金洲张菁王德信王德兴
- 文献传递
- Au纳米薄膜可见光光谱研究被引量：1
- 2009年
- 通过测量不同厚度Au纳米薄膜的透过率,发现其光谱分布在低波长处光强有较为明显的减小,并与吸收光谱不完全成对应关系.究其原因是由Au纳米薄膜类球状积聚造成的.
- 刘娜王德信
- 关键词：直流磁控溅射透过率吸收度
- 一种三维TiO<Sub>2</Sub>晶体膜的制备方法
- 本发明提供了一种三维TiO<Sub>2</Sub>晶体膜的制备方法，包括采用常压低温射频介质阻挡辉光放电方法，将放电气体通入介质阻挡放电等离子体反应器中，通射频交流电使所述放电气体放电产生等离子体射流，将前驱体和载气送入...
- 王德信张菁石建军郭颖丁可李雪吴茂水
- 文献传递
- 多孔氧化硅薄膜阴极射线谱的研究被引量：5
- 2010年
- 采用近常压下等离子体增强化学气相沉积的方法制备得到多孔氧化硅薄膜,并在沉积区域加载偏压对薄膜形貌和性质进行调制。扫描电镜显示偏压条件下沉积的薄膜更加蓬松多孔,常温下阴极射线谱表明:增大偏压的占空比,CL谱中发光峰的位置并不改变,但谱线强度增大。发光峰的位置说明薄膜中的主要成分是Si-O-Si基团,且该种基团以非桥键的形式存在,薄膜中还存在少量的Si-H键,这与红外光谱测试结果一致。X射线衍射结果表明薄膜中的SiO2是非晶态的。
- 杨沁玉王德信丁可张菁王庆瑞
- 关键词：红外光谱X射线衍射
