潘福泉
- 作品数：34 被引量：12H指数：2
- 供职机构：沈阳工业大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 试论PiN二极管雪崩电压公式
- 2012年
- 对功率整流二极管必须具有的雪崩特性，进行了详细分析与论述，界定了二极管雪崩性状，叙述了雪崩二极管的3个基本特点和雪崩的一般原理，进而在截面电阻率均匀度的认识基础上给出了可行的二极管雪崩电压公式，说明了影响二极管雪崩的因素，为雪崩二极管的生产与制造工艺改进指明了方向。
- 游佩武关艳霞潘福泉
- 关键词：二极管雪崩特性
- 提高晶闸管di/dt能力的研究
- 2013年
- 从di／dt损坏机制、定量公式入手，分析了国内外有关di／dt的著作、文章，研究了提高晶闸管器件di／dt能力的各种有效方法，给出了一个常规新设计及其研究成果。
- 夏吉夫潘福泉关艳霞
- 关键词：晶闸管DI短路点
- 浮空场限坏终端结构的仿真分析被引量：1
- 2017年
- 为了提高功率半导体器件的耐压,常常在其结构终端上设置浮空场限环,而环宽、环间距以 及环数的确定是玚限环设计的难点.本文利用Baliga的理论基础,结合silvaco的仿真分析,给出了 1200V 平面功率半导体器件所需要的浮空场限环的设计参数.
- 范春雨关艳霞潘福泉
- 关键词：功率器件终端结构
- MPS二极管反向恢复特性的仿真分析
- 2017年
- 由于 MPS二极管阳极肖特基区域的存在,使其反向恢复特性优于PIN二极管,即反向恢复 时间和反向恢复峰值电流均显著减小. 本文以1 200 V MPS二极管为例,分别对反向恢复特性进 行理论分析和仿真分析,在此基础上,研究器件参数对反向恢复性能的影响.
- 许海虹关艳霞潘福泉
- 晶闸管dv/dt的研究
- 2014年
- 对晶闸管dv/dt公式及其参数进行了解析分析、计算研究，结合测试数据，说明如何正确理解、设计和应用dv/dt，而确保研制的晶闸管具有优良特性。
- 潘福泉关艳霞高颖
- 关键词：晶闸管VD结电容
- 受光区具有薄n层结构的光控晶闸管的研究
- 1990年
- 本文研讨了具有薄n层结构的受光区,对提高光控晶闸管的光触发灵敏度的作用及触发灵敏度与dV/dt耐量间的协调关系,结果表明,这种结构可使其具有较高的触发灵敏度,可较好的协调灵敏度与dV/dt耐量间的关系。并利用这一结构,研制出了高灵敏度的500A,2000V直接光触发晶闸管。
- 赵善麒高鼎三潘福泉
- 5000A－200V－10KHz阻焊机用FRD二极管的研制被引量：1
- 2012年
- 阐述了高中频电阻焊机对超大电流FRD快恢复整流二极管的需求和技术特征。给出了FRD5000A-200V-10kHz二极管的设计计算书，采用和国际接轨的超薄硅片技术、超薄封装结构技术、低阳极浓度技术、带有缓冲层的双基区技术、保留磷硅玻璃层的扩铂技术、雪崩二极管技术、整个加工过程的无应力技术和先进的测试技术，完成了10kHz电阻焊机用FRD5000A-200V器件的制作和批量生产任务。
- 夏禹清关艳霞高瑞彬潘福泉
- 关键词：雪崩
- PiN二极管反向恢复机理研究
- 2013年
- 对PiN二极管反向恢复过程进行了分步分析，推导出了反向恢复过程中四个阶段的时间计算公式，并在一定简化近似的基础上得出了反向恢复时间的计算公式，利用该公式分析了影响反向恢复特性的主要因素及实现快速软恢复的条件。
- 关艳霞董方媛潘福泉
- 关键词：PIN二极管反向恢复时间
- CAL技术在现代FRD中的应用
- 2016年
- 叙述了现代FRD的最关键技术就是运用CAL技术控制基区寿命,给出了这一技术的原理,成功运用这一技术制造了 15 A/1 200 V.20 kH Z 快软恢复二极管,进一步阐明了应用CAL技术给FRD 带来的十大根本变革.
- 宝钒游佩武裘立强关艳霞潘福泉
- 关键词：质子辐照
- IGBT动态过电压失效的研究
- 2014年
- 绝缘栅型双极晶体管（IGBT）过电压击穿是一种常见的失效形式。由于电路中存在杂散电感，关断时会产生瞬间的高电压而引起动态雪崩击穿。通常误认为发生雪崩击穿是造成IGBT过压失效的根本原因。针对此问题，基于IGBT基本结构和PN结雪崩击穿原理，利用SilvacO软件仿真IGBT正向阻断以及关断瞬态时的电流密度分布，并从能量的角度深入分析得出过电压击穿的本质是结温过高引起的热失效，并从理论上给出了几种改进措施，为IGBT的正确使用与工艺改进提供理论参考。
- 郑翔关艳霞潘福泉
