潘孝任
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华东理工大学理学院物理系更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 衬底温度对ZnO薄膜晶体结构和电学性质的影响研究被引量：2
- 2005年
- 由GDARE法在较低温度下,以玻璃为衬底沉积ZnO薄膜,用SEM、AFM、XRD及交流阻抗谱测量等方法研究了衬底温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及晶体导电性质的影响.研究结果表明,室温下沉积的薄膜为颗粒致密的非晶相结构,晶界电阻较小.在衬底温度大于50℃时,由GDARE法可沉积出具有一定c轴取向的ZnO薄膜.随衬底温度的升高,薄膜沿c轴择优生长趋势明显增强,内应力减小,晶界效应增强,晶界电阻增大.衬底温度大于100℃后,沿c轴的取向度增强趋势减缓.在衬底温度180～200℃时,可获得高度c轴取向的ZnO超细微粒薄膜,其结晶性能良好,表面光滑,平均粒径30～40nm,晶粒尺寸均匀,晶形规则,沿c轴的内应力很小,取向度达0.965.此时薄膜的晶界效应增强,晶界电阻明显大于室温下沉积的薄膜,而晶粒电阻所占比例很小,总阻抗以晶界电阻为主.同时还讨论了衬底温度对薄膜晶体结构及晶界特性的影响机理.
- 陆慧阴其俊夏姣贞潘孝任
- 关键词：ZNO薄膜衬底温度晶体结构应力阻抗谱
- ZnO低压压敏薄膜制备与研究
- ZnO低压压敏电阻是一种新型多功能性陶瓷材料,具有非线性系数高,响应时间快,漏电流小,通流容量大等优点,广泛应用于电子设备、电力系统等领域,主要作为半导体器件的过压保护。随着电子产品的微型化、集成化,工作电压愈来愈低,对...
- 陆慧滕月莉陆元成潘孝任
- 关键词：ZNO低压压敏电阻
- 文献传递
