方步青
- 作品数:3 被引量:6H指数:2
- 供职机构:中国矿业大学(北京)更多>>
- 发文基金:中国工程物理研究院发展基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学更多>>
- 铜晶体中类层错四面体的结构及其演化被引量:4
- 2009年
- 运用分子动力学方法,研究了金属铜单晶中不同形状的Frank位错环演化形成的各种类层错四面体稳定构型.对其形成过程的细致分析表明,这些稳定构型都可以用统一的位错分解和位错反应过程来解释.模拟结果表明,在零温下各种Frank位错环存在各自的临界尺寸,小于临界尺寸的Frank位错环不能长成类层错四面体结构.对梯形、六边形等Frank位错环演化过程的模拟表明,在形成稳定类层错四面体的过程中,存在位错生长和回缩的振荡现象.振荡现象是由于位错间的排斥和吸引相互作用不同步或弹性波传播的延迟效应引起的.
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- 关键词:位错分子动力学
- 有限温度下位错环的脱体现象
- 2009年
- 在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为b=[112]/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0—350K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50K温度下,螺型和刃型位错具有基本相同的迁移速度;随温度增加,刃型位错具有较大迁移速度;温度较高时,位错核宽度进一步增加;小位错环周围的局部应力,引起4个脱体位错环;脱体位错环在原位错的应力作用下逐渐生长,原位错消失后,在自相互作用下收缩消失.这是与Frank-Read,L型、双交滑位错源(冷的,应力引起的)不同的新位错源机理(热激发机理);温度进一步提高时,新位错产生区域的局部应力梯度更大,脱体位错更早出现.
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- 关键词:单晶铜位错环分子动力学位错源
- 基于连续介质位错理论的位错原子分布构造方法被引量:2
- 2010年
- 基于连续介质位错理论提出一种新的位错原子分布构造方式,理论上可以构造出任意形状和任意Burgers矢量的位错结构.利用该方法,选用FCC单晶铜为模拟介质,构造Burgers矢量为b=[110]/2的刃型全位错和Burgers矢量为b=[112]/6圆环形不完全位错环,并使用分子动力学方法模拟全位错的扩展分解过程和不全位错环在自应力作用下的收缩过程,模拟结果与理论分析一致.该方法的优点在于可以方便地构造出其他传统方法难以构造的位错闭合结构——位错环,从而使位错环的细致研究成为可能.
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- 关键词:位错环分子动力学