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张清纯

作品数：6 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇软恢复
  • 6篇二极管
  • 4篇快速软恢复
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体二极管
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇功率
  • 3篇大功率
  • 2篇悬浮电位
  • 2篇隧道二极管
  • 2篇特性参数
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇功率二极管
  • 2篇反向恢复
  • 2篇反向恢复时间
  • 1篇自调节
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇大功率二极管

机构

  • 6篇清华大学

作者

  • 6篇张清纯
  • 4篇陈永麒
  • 4篇张斌
  • 3篇王晓彬
  • 2篇王均平
  • 1篇张斌

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
大功率软恢复隧道二极管SPBD管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区。基区为N区。阴极区由N<Sup>+</Sup>区及镶嵌...
张清纯张斌陈永麒王均平
文献传递
新型大功率快速软恢复二极管:SIOD被引量：5
1998年
提出了用于高频电力线路中的一种大功率软恢复二极管新结构。该二极管阳极由低注入效率的ｐ区及高注入效率的ｐ＋区组成。大电流下ｐ＋区的高注入效率使二极管正向压降显著降低，而在换向时，ｐ区的低注入效率又能使反向峰值电流显著下降，反向电流衰减明显变软。阴极是采用理想欧姆接触结构，同时为电子和空穴提供抽取通道，大大降低了反向恢复时间。采用传统功率半导体器件的常规工艺，做出了反向恢复软度因子ｔＢ／ｔＡ最大，ｄｉ（ｒｅｃ）／ｄｔ最小的大功率二极管。测试证明其电气特性优于国内外同类型的大功率二极管。
张清纯张斌王晓彬
关键词：二极管欧姆接触功率二极管
快速软恢复大功率二极管研究
大功率二极管的反向恢复特性对于高频电力电子线路的质量和效率具有至关重要的影响,因而快速软恢复二极管的研制具有重要意义.该文提出了一种大功率快速软恢复二极管新结构.该二极管阳极由低注入效率的P区及高注入效率的P<'+>区组...
张清纯
关键词：肖特基接触大功率二极管快速软恢复
大功率快速软恢复二极管SIOD管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区,基区为N区,阴极区由多个条状的N<Sup>...
张清纯张斌陈永麒王晓彬
文献传递
大功率快速软恢复二极管管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SIOD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属薄膜构成的二个电极。阳极区由P区及多个均匀分布在该P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区，基区为N区，阴极区由多个条状的N<Sup>...
张清纯张斌陈永麒王晓彬
文献传递
大功率软恢复隧道二极管管芯结构
本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区。基区为N区。阴极区由N<Sup>+</Sup>区为镶嵌...
张清纯张斌陈永麒王均平
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