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张兴旺
作品数:
116
被引量:29
H指数:3
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
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尹志岗
中国科学院大学材料科学与光电技...
吴金良
中国科学院半导体研究所
陈诺夫
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
游经碧
中国科学院半导体研究所
高红丽
中国科学院半导体研究所
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2006
2篇
2005
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类四方相铁酸铋在蓝宝石衬底上的外延生长
赵亚娟
尹志岗
张兴旺
付振
图案化纳米模板及其制备方法
一种制备图案化纳米模板的方法,包括以下步骤:步骤1:利用提拉法,在亲水性良好的平面衬底上组装PS球,得到单层有序的PS球薄膜;步骤2:利用氧等离子体刻蚀PS球,改变PS球的大小;步骤3:旋涂异丙醇稀释的TiO<Sub>2...
董敬敬
张兴旺
尹志岗
谭海仁
高云
张曙光
白一鸣
文献传递
一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法
本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法,涉及半导体技术,该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜,利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合,使ZnO带间辐射复合速率加快;同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将...
张兴旺
游经碧
范亚明
屈盛
陈诺夫
文献传递
一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法
本发明涉及半导体技术领域,特别是一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法。利用脉冲激光沉积(PLD)技术在c-BN 薄膜上制备Ti/Au双层接触,在PLD技术中,由于激光溅射出的粒子具有较高能量(>100 eV),使...
张兴旺
陈诺夫
文献传递
异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究
被引量:1
2005年
利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉积的立方氮化硼薄膜是纯的立方相,而在多晶金刚石薄膜衬底上制备的立方氮化硼薄膜中还含少量的六角氮化硼。高分辨透射电镜的分析表明,在金刚石晶粒上异质外延的c BN直接成核于金刚石衬底,界面没有六角氮化硼过渡层;而在含有大量缺陷的晶粒边界,存在六角氮化硼的成核与生长。
张兴旺
陈诺夫
OYEN H-G
ZIEMANN P
关键词:
立方氮化硼薄膜
金刚石薄膜
成核
高分辨透射电镜
微结构
立方相
六方氮化硼紫外光探测器及制备方法
一种六方氮化硼紫外光探测器及制备方法,该六方氮化硼紫外光探测器包括:衬底;绝缘层,形成于衬底的一表面上,并在绝缘层的中间区域设置有延伸至衬底的窗口,露出衬底;第一石墨烯层,形成于绝缘层上,且覆盖绝缘层上窗口的内表面以及窗...
张兴旺
刘恒
王烨
尹志岗
文献传递
制备有序Al纳米颗粒的方法
本发明一种制备有序Al纳米颗粒的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)取一衬底;2)在衬底上旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯;3)利用电子束曝光在聚甲基丙烯酸甲酯上制备模板,形成所需图案;4)利用高纯Al靶作为金属Al薄膜沉积的溅...
游经碧
张兴旺
高云
董敬敬
陈诺夫
文献传递
一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法
本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法,该方法是在沉积金属电极之前,利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域,然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极,形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢...
张兴旺
蔡培锋
游经碧
范亚明
高云
陈诺夫
文献传递
基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法
本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二硫化铪的方法,涉及纳米材料制备技术领域。该方法包括:将h‑BN晶畴或薄膜材料转移至目标衬底上;对所述h‑BN进行厚度减薄处理;对所述h‑BN进行退火处理;在所述h‑BN衬底表...
王登贵
张兴旺
尹志岗
孟军华
文献传递
一种提高聚合物太阳能电池效率的方法
本发明公开了一种提高聚合物太阳能电池效率的方法,该方法是在制备聚合物太阳能电池的过程中,在光敏层与金属阴极之间引入ZnO电子传输层,并用氢等离子体处理该ZnO电子传输层。氢扩散到ZnO材料中形成浅施主能级,提高了ZnO的...
高红丽
张兴旺
张曙光
尹志岗
吴金良
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