廖小雨
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- SiP封装中的芯片堆叠工艺与可靠性研究
- 目前CPU+Memory等系统集成的多芯片系统级封装已经成为3D SiP (3Dimension System in Package,三维系统级封装)的主流,非常具有代表性和市场前景。SiP作为将不同种类的元件,通过不同...
- 廖小雨
- 关键词：SIP封装可靠性温度循环
- 文献传递
- 添加Sb和LaB_6对Sn3.0Ag0.5Cu/Cu界面IMC生长的影响被引量：1
- 2012年
- 研究了Sb和稀土化合物的添加对Sn3.0Ag0.5Cu无铅焊料焊接界面金属间化合物层生长的影响。研究结果表明,固态反应阶段界面化合物层的生长快慢排序如下:v(SAC0.4Sb0.1LaB6/Cu)
- 龙琳陈强廖小雨李国元
- 关键词：无铅焊料润湿性电子封装
- 芯片堆叠封装耐湿热可靠性被引量：2
- 2014年
- 采用Abaqus软件模拟了CPU和DDR双层芯片堆叠封装组件在85℃/RH85%湿热环境下分别吸湿5,17,55和168 h的相对湿气扩散分布和吸湿168 h后回流焊过程中湿应力、热应力和湿热应力分布,并通过吸湿和回流焊实验分析了该组件在湿热环境下的失效机理。模拟结果表明,在湿热环境下,分别位于基板和CPU、CPU和DDR之间的粘结层1和2不易吸湿,造成粘结层的相对湿度比塑封材料低得多,但粘结层1的相对湿度比粘结层2要高。吸湿168 h后,在回流焊载荷下湿应力主要集中在芯片DDR远离中心的长边上,而最大湿热应力和热应力一样位于底层芯片CPU的底角处,其数值是单纯热应力的1.3倍。实验结果表明,界面裂纹及分层集中在底层CPU芯片的边角处和芯片、粘结层和塑封材料的交界处,与模拟结果相一致。
- 唐宇廖小雨黄杰豪吴志中李国元
- 基于CPU和DDR芯片的SiP封装可靠性研究被引量：8
- 2015年
- 利用Abaqus有限元分析方法分析了温度循环条件下CPU和DDR双芯片SiP封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对SiP封装体应力应变的影响。结果表明,底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边角承受最大的应力应变。芯片越薄,SiP封装体所承受的应力越大;粘结层越薄,SiP封装体所承受的应力越小。塑封体的材料属性比粘结层的材料属性更显著影响SiP封装体应力应变,当塑封体的热膨胀系数或杨氏模量越大时,SiP封装体所受应力也越大。
- 唐宇廖小雨骆少明王克强李国元
- 关键词：系统级封装可靠性温度循环
