常方高
- 作品数：69 被引量：102H指数：5
- 供职机构：河南省光伏材料重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省教育厅自然科学基金河南省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- Gd,Co共掺杂对BiFeO_3陶瓷电输运和铁磁特性的影响被引量：4
- 2012年
- 采用快速液相烧结法制备BiFeO_3和Bi_(0.95)Gd_(0.05)Fe_(1-x)Co_xO_3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷样品,研究Gd,Co共掺杂对BiFeO_3微观结构,介电性能和铁磁性的影响.X射线衍射谱表明:所有样品的主衍射峰与纯相BiFeO_3相符合且具有良好的晶体结构,随着Co^(3+)掺杂量x的增大,Bi_(0.95)Gd_(0.05)Fe_(1-x)Co_xO_3样品的主衍射峰(104)与(110)逐渐相互重叠,当x大于0.1时,样品呈现正方晶系结构;J-V特性显示Gd3+,Co^(3+)共掺杂有效地降低BiFeO_3陶瓷的漏导电流,其降低幅度为1—2个数量级;当f=10~3 Hz时,Bi_(0.95)Gd_(0.05)Fe_(0.8)Co_(0.2)O_3的介电常数是BiFeO_3的6倍,而Bi_(0.95)Gd_(0.05)Fe_(0.95)Co_(0.05)O_3和Bi_(0.95)Gd_(0.05)Fe_(0.85)Co_(0.15)O_3样品的介电损耗最小,均为0.01.室温下,Bi_(0.95)Gd_(0.05)Fe_(1-x)Co_xO_3样品磁性与BiFeO_3相比显著增强.在磁场为30 kOe的作用下,Bi_(0.95)Gd_(0.05)Fe_(1-x)Co_xO_3(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)的剩余磁化强度M_r分别是BiFeO_3的34,60,105,103,180倍.样品磁性增强的主要原因是Gd,Co掺杂使BiFeO_3的晶格结构发生变化导致BiFeO_3自身储存的磁性能被释放,Gd^(3+)的4f电子与Fe^(3+)或Co^(3+)的3d电子自旋相互作用及样品中存在局域的Fe-O-Co磁耦合三者共同作用的结果.
- 宋桂林周晓辉苏健杨海刚王天兴常方高
- 关键词：磁滞回线
- WO_3薄膜的微观结构与电致变色机制研究被引量：7
- 2010年
- 采用直流反应磁控溅射方法在ITO导电玻璃上沉积了WO3薄膜,研究了靶基距对其微结构和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜的微结构和成分进行了表征。通过可见光透射谱对样品的电致变色性能进行了研究,并且讨论了WO3薄膜电致变色性能与其微结构、价态变化之间的关系。发现靶基距为7cm的情况下沉积得到的WO3薄膜呈非晶态,薄膜有更多的孔隙,有利于Li+的抽取,进而显示出较好的电致变色性能。反应溅射制备的WO3薄膜中W是W6+价态,颜色为透明状,当发生着色反应时,随着薄膜中Li+成分增加,薄膜颜色变为蓝色,薄膜中W原子为W6+和W5+的混合价态。认为其电致变色的行为是由于Li+和e-在薄膜中的注入和拉出引起的W6+和W5+发生转化所致。
- 杨海刚王聪宋桂林王天兴常方高
- 关键词：WO3薄膜磁控溅射
- 反应溅射制备MoO_3薄膜及其光学和电致变色性能研究被引量：1
- 2011年
- 本文采用磁控溅射方法,通过金属钼靶材在Ar+O2气氛中反应溅射制备了氧化钼薄膜。在制备样品过程中改变反应气氛O2的流量,保持其它参数不变,得到不同的氧化钼薄膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)方法对MoO3薄膜样品结构进行表征。XRD测试结果表明MoO3薄膜样品均为非晶结构。MoO3薄膜样品的光学性能和电致变色性能采用分光光度计进行测试研究。研究结果表明,当反应气氛O2/Ar流量比例为1:5时,所制备的样品具有较高的可见光透射率,可见光平均透射率为90%,并且电致变色性能较好,调色范围达到了66.94%。
- 杨海刚尤天友宋桂林王天兴常方高
- 关键词：氧流量光学性能电致变色性能
- 缺氧YBCO多晶陶瓷的磁电耦合与磁电阻效应
- 2009年
- 将高温超导陶瓷YBa2Cu3O6+x经过真空热处理得到氧含量x=0.13的缺氧陶瓷样品,利用HP4294A精密阻抗分析仪测量了样品介电常数温谱图,在温度为410K附近发现了介电异常现象,认为是由反铁磁相变感应铁电相变引起的。铁电测量表明缺氧YBCO多晶陶瓷在室温下有一定的铁电性。在零磁场和外加磁场条件下,采用标准四引线法分别测量了样品电阻率随温度的变化关系,发现温度低于400K时样品的磁电阻MR约为60%且基本不随温度变化,在反铁磁相变温度410K附近出现异常,认为是由于样品大量本征载流子产生并且外加磁场对顺磁区域影响较小所致。缺氧YBCO(x=0.13)陶瓷样品的磁电耦合特性,显示出它可能成为一种新的室温多铁材料从而在传感、控制和信息储存等方面发挥重要作用。
- 常方高刘越奇于伏娟宋桂林
- 关键词：氧含量铁电磁电耦合
- 反应溅射制备NiO_x薄膜及其电致变色响应时间性能研究被引量：1
- 2011年
- 在Ar和O2气氛下采用直流反应溅射制备了NiOx薄膜,利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱技术(XPS)对薄膜的晶体结构、Ni离子在不同化学态的结合能进行了表征。NiOx薄膜的扫描电子显微镜(SEM)照片表明薄膜有较好的晶体结构,晶粒尺寸为10 nm左右。NiOx薄膜中Ni元素是Ni2+和Ni3+混合价态,薄膜颜色为淡棕色,NiOx表现出阳极电致变色特征,其电致变色的行为是由于Li+和OH-在NiOx薄膜中的注入和拉出引起的Ni2+和Ni3+发生转化所致。通过电致变色动态测试对样品的电致变色性能和相应的响应时间进行了研究,讨论了沉积气压与NiOx薄膜的电致变色性能之间的关系。当沉积气压为3 Pa时,所制备的NiOx薄膜样品具有较好的电致变色性能,其在可见光范围的平均调色范围为47%,着色时间为9 s,漂白时间为1 s,具有较快的响应时间。
- 杨海刚宋桂林王天兴尤天友常方高
- 关键词：电致变色NIOX磁控溅射
- Ni/硅橡胶复合材料的压敏与介电特性被引量：5
- 2009年
- 采用硅橡胶(110型)与金属(Ni粉)按质量比1∶2配料,经过特殊的制备工艺,合成金属Ni/硅橡胶高分子复合材料。分别测量样品的压敏效应和介电特性。结果表明:在不同应力作用下,样品的电阻从1×1012Ω降到10Ω,其变化范围为11个数量级;在恒应力作用下,样品的电阻随时间的增加而减小,表现出"电阻蠕动"现象;室温下,样品的电容和介电损耗都随频率的增加而减小,随应力的增加而增大,其原因是在样品中形成了以高分子为绝缘层、金属Ni粉为导电填料的相互隔离且平行的超电容网络微观结构。在外力作用下,这种微观结构中每一个电容单元的间距逐渐减小而电容逐渐增大,致使样品的电容有大幅度增加;介电损耗是由于样品的电阻率减小,电导增大,使部分电能转化为热能。
- 宋桂林房坤常方高
- 关键词：介电特性压敏效应
- Ho掺杂BaTiO3陶瓷的制备及其正电子湮没研究
- 采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,O.2％,0.3％,0.4％,0.5％,0.6％,0.7％);对其室温电阻率进行了测量,结果显示其室温电阻率随掺杂量增加呈U型变化曲线...
- 李涛常方高葛永霞李喜贵
- 关键词：BATIO3陶瓷正电子湮没固相反应法
- 文献传递
- Al,Ga掺杂ZnO电子结构和光电特性的第一性原理计算被引量：4
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Al掺杂ZnO(ZnAlO)和Ga掺杂ZnO(ZnGaO)的能带结构、态密度、复介电函数和复电导率.其中Al或Ga是以替位杂质的形式进入ZnO晶格.计算结果表明纤锌矿型ZnO,ZnAlO和ZnGaO都是直接带隙半导体材料,掺杂后ZnO的带隙变小,且ZnAlO的带隙略大于ZnGaO.掺杂后ZnO)的电子结构发生变化,费米能级由本征态时位于价带顶上移进入导带,ZnO表现为n型掺杂半导体材料,掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子—电子,明显提高了电导率和介电函数,改善了ZnO的导电性能,并且ZnAlO的导电性能要略好于ZnGaO.
- 王天兴李苗苗宋桂林常方高
- 关键词：N型掺杂密度泛函光学特性
- 高性能织构Cu基合金复合基带立方织构形成的研究
- 2015年
- 采用放电等离子体烧结的方法制备了外层为Cu_(60)Ni_(40)合金,芯层为Ni_9W合金的Cu基复合坯锭,结合传统的RABiTS路线成功获得了无铁磁性、高强度、强立方织构的Cu_(60)Ni_(40)-Ni_9W-Cu_(60)Ni_(40)复合基带。利用EBSD技术对复合基带轧制织构及再结晶退火后的微取向特征进行了分析表征。测试结果表明:大变形量冷轧后复合基带表面形成了典型的铜型轧制织构,在截面方向上织构呈现梯度分布的特征,在再结晶退火后该复合基带表面立方织构含量达到了97.6%(<10°),并发现,在再结晶过程中立方织构优先在外层材料中形核、长大,并逐渐吞并周围的非立方晶粒。对其力学性能表征发现:该复合基带在室温下的屈服强度为170 MPa,达到了商业化Ni_5W合金基带的水平。
- 刘志勇张娜宋桂林杨枫安义鹏黎文峰常方高
- 关键词：RABI立方织构
- 超导YBa2Cu3O7＋δ/硅橡胶复合材料的压敏与介电特性被引量：3
- 2009年
- 采用YBa2Cu3O7＋δ（简称YBCO）多晶陶瓷超导粉末与硅橡胶（110型）按不同质量比进行配料,经过特殊的制备工艺,合成不同含量的超导YBCO/硅橡胶高分子复合材料,分别测量样品的压敏效应和介电特性。结果表明,在不同应力作用下,样品电阻值的变化范围在1～4个数量级。样品电阻值随测量温度的降低（300-50 K）呈下降趋势,测量温度降到90 K时,样品电阻值发生突变,但在90-50 K没有观察到超导零电阻现象。室温下,样品的介电常数随频率的增加（1 kHz-5 MHz）而减小,介电损耗随测量频率的增大先增大后减小。随着YBCO含量的增加,形成的超电容网络微观结构也就越多,样品的电阻逐渐减小电流加大,导致超电容中电解质的极化强度有所增加,两者共同作用的结果导致样品的介电常数、介电损耗均随着YBCO含量的增加而增大。
- 宋桂林杨枫王少祥常方高
- 关键词：压敏效应介电特性
