孙家讹
- 作品数：9 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学自然科学总论更多>>
- 纳米MOSFET寄生电阻模型分析
- 2009年
- 随着器件尺寸的缩小，寄生电阻对器件性能的影响不可忽视，为准确预测器件的寄生电阻并了解器件参数对寄生电阻的影响，需要有准确的寄生电阻模型。该文分析了短沟道寄生电阻模型．研究了短沟道寄生电阻模型在栅压较小时与模拟结果存在较大误差的原因，并对模型进行了改进。最后分析了器件参数对寄生电阻的影响，提出未来减小寄生电阻需要和可能采取的措施。
- 储明孙家讹陈军宁
- 关键词：纳米MOSFET短沟道
- 纳米MOSFET量子效应模型与寄生电阻分析
- 集成电路对于高速、高集成度、大信息存储量的追求使得MOS器件的尺寸持续缩小，但是随着MOS器件尺寸的缩小，许多原本在长沟MOS器件中不重要的参数在小尺寸器件中变得显著，并影响器件的性能。因此，有很多的研究报告都在讨论如何...
- 孙家讹
- 关键词：MOSFET阈值电压栅电容寄生电阻
- 文献传递
- MOS反型层和多晶硅栅量子效应的解析模型
- 2007年
- 在超深亚微米MOS器件中,量子效应对器件特性的影响很大.根据改进后的三角势场近似和曲线拟合,同时对MOS器件反型层和多晶硅栅中电子的量子效应进行了建模,得到了一个基于物理的解析模型,利用该模型计算MOS器件的阈值电压,与数值模拟的结果比较表明,模型的精度令人满意.
- 金钟叶云飞陈军宁代月花孙家讹
- 关键词：量子效应多晶硅栅电容
- MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型被引量：1
- 2005年
- 根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性.
- 代月花陈军宁柯导名孙家讹徐超
- 关键词：多晶硅量子效应
- 纳米MOSFET迁移率解析模型
- 2006年
- 从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.
- 代月花陈军宁柯导明孙家讹胡媛
- 关键词：玻尔兹曼方程纳米MOSFET迁移率
- 用Verilog语言实现蓝牙系统中的加密技术
- 2005年
- 蓝牙(Bluetooth)技术是一种大家熟知的无线联网技术,是全球电信和电子技术发展的焦点,也是目前无线个域网(WPAN)应用的主流技术。但是蓝牙技术的安全问题目前还具有很多争议。本文用Verilog对蓝牙加密技术中的核心加密电路进行了描述,在经过EDA软件的仿真、综合和验证之后,在FPGA上进行了实现。结果表明,实现后的电路芯片具有较快的运算速度。
- 丁峰孙家讹柯导明陈军宁
- 关键词：VERILOG语言蓝牙系统加密技术
- 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响
- 2006年
- 根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。
- 孙家讹陈军宁柯导明代月花徐超
- 关键词：多晶硅量子效应MOSFET阈值电压
- 量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
- 2004年
- 根据改进后的三角势阱场近似,并考虑量子化效应,提出了一种基于物理的阈值电压和栅电容的解析模型,给出了MOSFETs的阈值电压和栅电容的解析表达式,并与经典理论结果进行了比较。
- 代月花陈军宁柯导明孙家讹
- 关键词：阈值电压量子效应量子化势阱
- 考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型被引量：6
- 2005年
- 根据改进后的三角势阱场近似 ,并考虑量子化效应 ,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型 ,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式 ,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较 .
- 代月花陈军宁柯导明孙家讹
- 关键词：阈值电压MOSFET量子化解析模型势阱
