周智猛
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：大连理工大学电气工程与应用电子技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN异质外延初始生长条件的优化及其实时监控
- GaN,作为第三代半导体材料,因为其优良的特性,日益成为研究的重点,在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景.该论文隶属于国家自然科学基金(自组装GaN量子点结构的ECR-PEMOCVD生长及特性(69976...
- 周智猛
- 关键词：GAN实时监控系统
- 文献传递
- 半导体薄膜生长实时监控系统的设计与应用被引量：1
- 2003年
- 文章分析了半导体薄膜生长工艺流程的特点。在此基础上 ,为实验室的ECR -MOCVD设备设计了一套半导体薄膜生长的实时监控系统 ,介绍了系统的硬件结构以及在WIN98环境下用VB6 0实现生长实时监控系统软件的实现方法。经实验证明 ,系统保证了工艺流程的连续可靠运行 ,实验数据的可靠性和工艺流程的可重复性也大大提高 ,使用方便 ,降低了试验人员的劳动强度 ,实现了预期的设计目标。
- 周智猛徐茵刘国涛
- 关键词：实时监控系统半导体工业
- 在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法被引量：1
- 2003年
- 分析了在ECR MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件下的对比试验,以反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)对实验结果进行检测,发现在清洗的过程中加入一定量的氮可以避免单纯氢清洗对衬底的损伤,并取得了比较好的氮化效果。
- 刘国涛徐茵顾彪秦福文周智猛
- 关键词：GAAS氮化GAN薄膜反射高能电子衍射
