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温度梯度法BaY_2F_8晶体生长中的小面研究: 2011年; 采用温度梯度法生长了BaY2F8晶体,通过X射线定向仪确定晶体自发沿[001]方向生长。通过对不同截面的显微观察和分析,研究认为生长方向与竖直方向不平行是诱发(100)、(130)、(130)等小面生长的重要因素。由于温度的波动和径向温度梯度的存在,会造成晶体生长过程中的组分过冷,引发晶面上出现胞状凸起,影响了晶体的生长质量。; 张守超阮永丰王帅王友发吴周礼

Er^(3+)掺杂量对Er^(3+):BaY_2F_8晶体上转换发光性能的影响被引量：4: 2011年; 利用温度梯度法生长了Er3+:BaY2F8晶体。测量了样品的吸收谱、上转换荧光发射谱和上转换发光强度与激光泵浦功率的对数关系;分析了Er3+的上转换可见发光机制和Er3+掺量对Er3+:BaY2F8晶体发光强度的影响。结果表明,在相同泵浦功率的980 nm光激发下的Er3+:BaY2F8晶体的上转换发射谱中,552 nm绿光和653 nm红光的发光峰的强度随着Er3+掺量的增加而增大;Er3+掺量小于3.0%(摩尔分数,下同)的晶体,552 nm绿光的上转换发光占主要部分;Er3+掺杂量大于3.0%的晶体,653 nm红色光上转换发光占主要部分。552 nm绿光和653 nm红光发射皆为双光子过程。利用双光子吸收、激发态吸收、能量转移、交叉弛豫和多声子无辐射跃迁等过程解释了这一现象。; 张守超阮永丰王帅王友发吴周礼; 关键词：上转换发光铒温度梯度法激光晶体

掺铈YVO_4晶体的上转换发光及其机理: 2012年; 在YVO4晶体中分别掺入摩尔分数为2%的Ce2(CO3)3和CeO2,在中频感应加热炉中采用提拉法生长了掺Ce的Ce:YVO4晶体。用X射线衍射测试了这两种晶体的物相,发现两种样品都主要以YVO4相存在。X射线光电子能谱测试表明,在两种样品中铈离子都是以+3、+4混合价态的形式出现的。光谱测试表明,两种样品的光谱特性非常相似,同时发现,两种方式掺杂的Ce:YVO4晶体在620 nm的光激发下,均可发出以450 nm为中心的蓝色宽带荧光。分析认为,在Ce:YVO4晶体中由620nm引发的上转换发光的激发过程,不可能直接起源于Ce3+的基态2F5/2,它起源于由特殊的"Ce-O"构型形成的电荷迁移态的基态。; 王友发阮永丰吴周礼王帅李文润童红双; 关键词：光谱上转换发光提拉法

温度梯度法生长Tm^(3+):BaY_2F_8晶体的光谱特性被引量：1: 2012年; 采用温度梯度法成功生长出BaY2F8晶体和Tm3+:BaY2F8晶体。测试了Tm3+:BaY2F8晶体的室温吸收光谱和室温、低温荧光光谱;根据Judd–Ofelt理论,拟合出晶体场强度参数i(i=2,4,6)为:2=0.364 1×10–20cm2,4=5.750 9×10–20cm2,6=2.533 9×10–20cm2。计算并分析了Tm3+:BaY2F8晶体各激发能级的自发辐射跃迁几率、荧光分支比、荧光寿命和积分发射截面积等光谱参量,从计算的结果可以看出3F4→3H6跃迁有较大的荧光寿命、积分发射截面,易于实现人眼安全波段的激光震荡。结合室温和低温的荧光发射谱,定性阐述了随着温度的降低,荧光发射峰的强度增强,并且主要发射峰的半峰宽变窄。; 王帅阮永丰张守超李文润王友发吴周礼童红双; 关键词：晶体生长温度梯度法光谱特性

退火对Ce:YVO_4晶体光谱性能影响被引量：1: 2011年; 采用中频感应提拉法生长了高质量的掺铈钒酸钇(Ce:YVO4)晶体,其中Ce3+离子的浓度为1.0%(原子分数)。对于加工好的晶体薄片分别在中性气氛Ar和还原性气氛H2中不同温度下进行了退火处理。对退火后的样品进行了吸收光谱和荧光光谱的测量。中性Ar中退火对晶体发光效率提高没有作用,H2退火后晶体吸收谱发生显著变化,晶体的发光效率大幅提高。发射光谱中400～600 nm的发射带包含两个发射峰,其中心波长分别在424和469 nm处。并对掺铈钒酸钇晶体作为白光材料的可能性进行了分析。; 张守超阮永丰王友发吴周礼王帅贾国治; 关键词：退火荧光光谱白光发光效率

Ce:YVO_4晶体的生长及其电荷迁移发光被引量：2: 2012年; 为探索新型的白光LED荧光粉材料,采用提拉法生长了Ce2(CO3)3掺杂的Ce3+∶YVO4晶体,并对生长晶体的结构和光谱性能进行了表征。通过XRD测试,确定了由提拉法生长的Ce3+∶YVO4晶体的晶相没有发生变化。Ce3+∶YVO4晶体在450 nm处有一个较宽的发射带,在620 nm处有一个明显的发射峰。分析表明,在Ce3+掺杂的YVO4晶体中,铈离子主要以三价离子的形式存在,但在激发光照射下出现的620 nm发射表明有Ce4+存在,并且Ce4+与配位O2-形成了电荷迁移态(CTS)。; 吴周礼阮永丰王友发王帅童红双; 关键词：提拉法发射光谱

掺铈YVO_4晶体的发光特性及铈离子的价态分析被引量：3: 2012年; 采用中频感应单晶炉和提拉法生长了高质量的掺Ce的YVO4晶体,并采用了两种不同的方式进行掺杂,即分别在YVO4晶体掺入了Ce2(CO3)3和CeO2,两种不同方式的掺杂浓度均为2at%.使用XRD测试了这两种晶体的物相,发现样品主要以YVO4相存在.吸收谱、荧光光谱和激发光谱的测试发现,这两种不同掺杂方式所得到的样品具有相似的光谱特性,即使用325nm的紫外线激发时,两种样品均可发出以440nm为中心的宽带蓝光,这是来自Ce3+离子的5d→4f的特征发射;而在460nm的激发下,两种样品又均可发出以620nm为中心的宽带红光.通过X射线光电子能谱(XPS)对样品中的各个元素进行的测试分析,发现氧元素的1s峰分裂为529.8eV和531.8eV,这说明晶体中存在两种配位氧离子,一种是正常配位的氧离子(O2),另一种是带空穴的配位氧离子(O).由Ce的XPS测试结果中展现的5个5d峰推断,样品中的铈是以Ce3+和Ce4+两种形式共存,这种共存与两种配位氧离子的存在密切相关.我们认为,Ce:YVO4晶体的宽带红光发射来自Ce4+-O2的电荷迁移发光,并且它有可能因此而成为一种新型的用于白光LED的红色荧光粉.; 王友发吴周礼李文润王帅童红双阮永丰; 关键词：YVO4 XPS

Ce:YVO/_4晶体的生长及其电荷迁移发光的研究: YVO/_4晶体是一种性能优良的双折射单轴晶体，透光性能好，YVO/_4晶体与其它光学晶体相比，具有高的激光损伤阈值和很高的机械性能和化学稳定性，以及泵浦阈值低、激光发射截面大的特点。实验表明，在开发白光LED荧光材料的...; 吴周礼; 关键词：CE 提拉法发射光谱; 文献传递

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吴周礼