刘金龙
- 作品数：17 被引量：73H指数：5
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 不同碱液单晶硅表面织构的初步研究(英文)被引量：2
- 2008年
- 分别以氢氧化钠(NaOH)、碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4.12H2O)作为刻蚀剂,研究刻蚀浓度、温度(θ)、刻蚀时间(te)和添加剂(异丙醇(IPA)、碳酸氢钠(NaHCO3))对晶体硅表面织构化的影响,用场发射扫描电子显微镜表征织构效果.通过优化工艺,可得到较低的平均表面反射率(Rav),按使用的刻蚀剂分别为:9.70%(NaOH)、9.76%(Na2CO3)和8.63%(Na3PO4.12H2O).据此分析了Rav和织构表面形貌之间的关系.发现添加剂IPA在Na3PO4.12H2O或Na2CO3与NaOH 3种刻蚀剂溶液中均可明显起改善织构效果.NaHCO3在某些方面具有与IPA的相同作用,同时又能促进大金字塔的形成.文中同时初步提出有关刻蚀过程的机理.
- 豆玉华周玉琴朱美芳宋爽刘丰珍刘金龙张占军
- 关键词：单晶硅织构碱液反射率表面形貌
- 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构被引量：6
- 2005年
- 采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态比的情况下 ,PECVD沉积的 μc Si:H薄膜微空洞体积比小 ,结构较致密 ,HWCVD沉积的 μ Si:H薄膜微空洞体积比大 ,结构较为疏松 ,PE HWCVD沉积的 μc Si:H薄膜 ,由于等离子体的敲打作用 ,与HWCVD样品相比 ,微结构得到明显改善 .采用HWCVD二步法和PE HWCVD加适量Ar离子分别沉积 μc Si:H薄膜 ,实验表明 ,微结构参数得到了进一步改善 .4 5°倾角的SAXS测量显示 ,不同方法制备的 μc Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性 .红外光谱测量也证实了SAXS的结果 .
- 周炳卿刘丰珍朱美芳谷锦华周玉琴刘金龙董宝中李国华丁琨
- 关键词：微晶硅薄膜微结构
- 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究被引量：20
- 2005年
- 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品 ,用原子力显微镜系统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化 .按照分形理论分析得到 :在玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长 ;而在单晶硅衬底上 ,薄膜早期以有限扩散生长模式生长 ,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式 .岛面密度与膜厚的依赖关系表明 ,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值 .Raman谱的测量证实 ,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶 微晶相变之间存在密切的关系 .不同的衬底材料直接影响反应基元的表面扩散能力 ,从而造成薄膜早期生长模式的差异 .
- 谷锦华周玉琴朱美芳李国华丁琨周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳
- 关键词：微晶硅薄膜表面形貌热丝化学气相沉积
- 低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究
- 为了研究微晶硅薄膜的生长机制,本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)制备一系列不同生长阶段的微晶硅(μc-Si:H)薄膜,用原子力显微镜(AFM),系统地研究表面形貌的演化.通过分形理论分析均方根表面粗糙度δ与薄膜厚度d...
- 谷锦华周玉琴朱美芳周炳卿刘丰珍刘金龙张群芳
- 关键词：表面形貌微晶硅薄膜热丝化学气相沉积
- 文献传递
- 高效薄膜硅/单晶硅太阳能电池
- 本文简单综述目前国内外对薄膜硅/单晶硅异质结电池的进展.着重介绍纳米晶硅/晶体硅异质结电池的界面钝化.本征缓冲层结构对太阳能电池的光伏特性的影响,HPTEM表明在高氢稀释条件下实现低温(250℃)硅薄膜的外延生长.优化各...
- 朱美芳张群芳刘丰珍周玉琴刘金龙
- 关键词：异质结太阳能电池硅薄膜热丝化学气相沉积光伏特性
- 文献传递
- 等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜被引量：15
- 2003年
- 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性 .Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成 .
- 刘丰珍朱美芳冯勇刘金龙汪六九韩一琴
- 关键词：多晶硅薄膜光学性质
- 微晶硅薄膜的电输运性质
- 考虑到微晶硅薄膜的柱状结晶生长,用二维结构渗流模型模拟计算了模型暗电导率随晶态比的变化.
- 刘丰珍朱美芳冯勇韩一琴刘金龙汪六九
- 关键词：微晶硅薄膜电输运特性太阳能电池
- 氢稀释度对微晶硅薄膜成核、生长的影响
- 采用热丝技术研究了在氢稀释度R<,H>=90﹪、98﹪及99﹪条件下玻璃衬底上硅的成核情况.在成核初期,氢稀释度为98﹪和99﹪条件下成核密度比90﹪高;在相同的氢稀释条件下生长20分钟后,低成核密度的样品对应较大的晶粒...
- 汪六九朱美芳刘丰珍刘金龙
- 关键词：微晶硅薄膜薄膜生长
- 文献传递
- 掺Sn的In_2O_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响被引量：2
- 2007年
- 采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω.cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
- 陈瑶周玉琴张群芳朱美芳刘丰珍刘金龙陈诺夫
- 关键词：ITO薄膜
- 晶化硅纳米棒的定向生长及在有机-无机太阳电池中的应用
- 采用掠角热丝化学气相沉积(GLAD-HWCVD)技术，在140℃的衬底温度下，制备了定向生长的晶化硅纳米棒(silicon nanorods，SiNRs)。发现了在同样的实验条件下，掠角生长的硅纳米棒比基元垂直入射下生长...
- 郭万武刘丰珍朱美芳周玉琴刘金龙
- 关键词：热丝化学气相沉积太阳电池
- 文献传递
