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何沙
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8
被引量:5
H指数:2
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中国科学院半导体研究所
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范缇文
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晶格畸变与系统电子态
1994年
本文从研究晶格畸变与系统费米能EF的关系出发,采用费米子系统满足的费米—狄喇克统计分布讨论了晶格畸变对系统费米面附近的电子状态的影响。得出了不仅温度的改变可以改变系统费米面附近的电子状态,而且系统的晶格畸变同样能够改变系统费米面附近的电子状态分布的结论.
何沙
单文建
关键词:
泡利不相容原理
As+注入Si1—xGex的快速退火行为
1996年
用二次离子质谱对As+注入Si(1-x)Gex的快速退火行为进行了研究.Si(1-x)Gex样品中Ge组分分别为x=0.09,0.27和0.43.As+注入剂量为2×10(16)cm(-2),注入能量为100keV.快速退火温度分别为950℃和1050℃,时间均为18秒.实验结果表明,Si(1-x)Gex中As的扩散与Ge组分密切相关,Ge组分越大,As扩散越快.对于Ge组分较大的Si1-xGex样品,As浓度分布呈现“盒形”(box-shaped),表明扩散与As浓度有关.Si1-xGex样品中As的快扩散可能与未激活As的快速退火行为有关.就作者所知,离子注入As在Si(1-x)Gex中的扩散研究,以前未见报道.
邹吕凡
王占国
孙殿照
何沙
范缇文
刘学锋
张靖巍
关键词:
退火
SIGE
方程式A|Ψ>=|ψ>的解与束缚态的微扰理论
1994年
利用量子力学中的完备性条件,在抽象空间里阐明了非齐次方程A|Ψ>=|ψ>的解的存在问题,使解存在的充分和必要条件的几何概念十分清晰,并把它运用于束缚态的微扰理论.
何沙
武洪
关键词:
微扰
黑洞吸积盘内边缘半径的演化
被引量:2
1995年
本文用广义相对论讨论了黑洞吸积盘内边缘半径r(ms)的演化规律。结果表明,吸积盘的中心黑洞在由Schwarzschild型向极端Kerr型演化的过程中,黑洞的角动量变化对r(ms)的影响始终比黑洞的质量变化对r(ms)的影响大。在此过程中r(ms)始终是连续、单调减小的。本文得出r(ms)对时间变化率的取值范围,并对其物理意义作了讨论。
汪定雄
杨兰田
何沙
关键词:
黑洞
吸积盘
CooperPair的能量状态E^s及超导能隙E_g
1995年
讨论了具有非绝对零度(T=Tc≠0)“费米海”能态系统T<Tc后的电子相变.从理论上给出了T<Tc时费米面附近两自旋反平行电子所满足的薛定谔方程组,解方程得到:只有费米面附近组态为(k↑e1,-k↓e2)的两电子才具有稳定的低能态,其能量本征值为给出了超导能隙Eg与温度T的关系式和超导电性转变(电子在K空间“凝聚”)的物理图象;揭示了“CooperPair”的相对运动状态(即局域量子谐振子态)和超导电性转变(T≤Tc)与晶格类相变(T=Tp>Tc)间的必然联系.
何沙
单文建
关键词:
超导电性
谐振子
超导能隙
晶格畸变
非绝对零度(T≠0K)“费米海”与电子相变
被引量:2
1995年
讨论了计及温度T=Tp时系统的晶格畸变或类相变(PLT)所产生的电子-声子互作用后的电子能态变化,提出了系统将产生非绝对零度(T=Tc)“费米海”能态,并导致系统T<Tp时的电子相变,形成更稳定的低能态(超导态或CDW等),系统电子相变临界温度Tc由给出.系统基态不再是“费米海”.
何沙
关键词:
PAIR
As~+注入Si_(1-x)Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究
被引量:1
1996年
作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的X射线衍射峰的半宽度比未注入As+的Si0.57Ge0.43样品的半宽度窄,甚至比部分弛豫的原生样品的半宽度窄.这可能是退火后一部分Ge的晶格位置被As原子占据,导致晶格体积收缩,应变弛豫,因而失配位错密度低的缘故.
邹吕凡
王占国
孙殿照
何沙
范缇文
张靖巍
关键词:
X射线衍射
磁场、径向粘滞力和修正的α型粘滞对吸积盘不稳定性的影响
1995年
从磁流体动力学方程组出发,用微扰法得出吸积盘径向振荡超稳定性的色散方程,并在7种情况下详细讨论了磁场、径向粘滞力和修正的α型粘滞对吸积盘不稳定性的影响.得出的结论为解释活动天体的光变现象提供了进一步的理论根据.
汪定雄
何沙
关键词:
吸积盘
磁流体动力学
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