于开坤
- 作品数：28 被引量：133H指数：6
- 供职机构：西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”西安交通大学博士学位论文基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 改进α-碳化硅防晕体系防晕性能的研究被引量：2
- 2004年
- 为开发优良的防电晕材料,利用电阻率较小、非线性系数较大的β-碳化硅(β-SiC)加入α-碳化硅(α-SiC)防晕体系,结果表明随加入量的增加,电阻率降低,从不掺杂β-SiC时的7.89×107Ω·m,降低至β-SiC掺入量为7.5%时的1.34×107Ω·m,而非线性系数增加,从不掺杂β-SiC时的1.527提高至β-SiC掺入量为7.5%时的1.695,该防晕体系用于大电机定子线棒时,起晕电压提高了353%,达到了实际应用的要求。
- 于开坤宁叔帆赵丽华刘斌陈寿田
- 关键词：防电晕材料起晕电压
- 真空中可加工陶瓷材料冲击电压下沿面闪络特性与机理的研究
- 于开坤
- 关键词：真空沿面闪络表面电荷二次电子发射
- 不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响被引量：6
- 2011年
- 固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程。本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物Cu2O以及Cr2O3,研究掺杂之后材料的二次电子发射系数的变化,对不同掺杂工艺下试品的沿面闪络电压进行研究。结果发现:掺杂低二次电子发射系数金属氧化物能够相应降低可加工陶瓷材料的二次电子发射系数,通过研究不同加工工艺条件下材料的闪络电压,发现试样的闪络电压随其二次电子发射系数的降低而提高。
- 于开坤张冠军田杰郑楠黄学增马新沛李光新山纳康小林信一
- 关键词：沿面闪络可加工陶瓷真空
- 浆料酸值对钛酸钡电容器介电性能的影响
- 2004年
- 通过水煮溶液 pH值及其电导率、电气强度、介电性能 -温度特性、化学组成、陶瓷片表面显微结构等的测试分析 ,研究了固相反应合成钛酸钡 (BaTiO3)粉体中 ,用氨水调高浆料的 pH值对BaTiO3 基电子陶瓷电容器的介电性能的影响。结果表明 :pH值提高明显改善BaTiO3 粉体的性能。在 pH=10.3时 ,合成的BaTiO3 中BaO含量降低了92.86 % ,电气强度提高了29.50 % ,介电常数峰值提高了15.41 %
- 赵丽华郭相国浦永平于开坤
- 关键词：钛酸钡介电性能PH值电容器
- 绝缘材料在真空中冲击电压下的沿面闪络特性
- 绝缘材料的沿面闪络往往导致系统绝缘失败，导致严重事故的发生。本文采用光电同步测量的方法，针对真空条件下PTFE和氧化铝陶瓷在冲击电压下的沿面闪络现象进行了观测和研究。探讨了闪络现象表现出的一般特性，并发现在绝缘材料表面溅...
- 郑楠于开坤赵文彬张冠军
- 关键词：冲击电压沿面闪络二次电子发射绝缘材料
- 文献传递
- β-SiC非线性导电特性影响因素及机理的研究被引量：5
- 2005年
- 研究了-βSiC非线性导电特性的影响因素及其机理,提出了利用-βSiC作为电机线棒防电晕材料的新方法.在-βSiC微粉合成的过程中,向其中掺杂V、Al等非4价金属,与-βSiC形成固溶体,可有效地改变β-SiC的非线性导电特性;-βSiC微粉表面吸附的Fe、Al、Mg、Ca、Ti、V等金属杂质,随其含量的提高,-βSiC电阻率下降;随表面胶态SiO2含量提高,-βSiC微粉电阻率提高,非线性系数增大;随晶体中x(C)/x(Si)的增大,-βSiC微粉电阻率降低,非线性系数减小.随着-βSiC微粉表面SiO2含量的增加,其防电晕涂层表面电阻率Sρ和起晕电压随之提高,最高可达55 kV,-βSiC完全可单独用作电机线棒的防电晕材料.
- 宁叔帆于开坤徐明陈维刘斌陈寿田
- 关键词：Β-SIC电阻率防电晕材料
- 真空冲击电压下氧化铝陶瓷沿面闪络现象的发展过程被引量：2
- 2009年
- 真空沿面闪络的发生与发展的过程是电气与电子领域众多学者长期以来所关注的问题,这一复杂的放电现象至今还不能完全从机理上给予说明。本文采用电气、光学联合检测的方法,利用增强型电荷耦合器件(ICCD)对真空冲击电压下氧化铝陶瓷沿面闪络现象的动态发展过程进行了研究,考察了在试样表面溅射金属薄膜电极对闪络发光现象的影响。从闪络的电压、电流和发光波形看出,闪络发生时的电流和发光峰值出现时间一致,并滞后于电压截断点。从ICCD图像可以发现,在试样表面发生完全闪络之前其表面已经出现预闪络发光通道,而沿面闪络发光的最强阶段出现在闪络发生之后的几十纳秒,此时电流出现最大值,能够发现在电极的边缘位置发光最为强烈;溅射电极之后试样的沿面闪络电压有所降低,闪络发生时的发光强度提高,在闪络发生时电极之间的材料内部可能出现体内的复合过程。
- 于开坤张冠军郑楠田杰刘国清
- 关键词：真空氧化铝陶瓷沿面闪络ICCD
- 玻璃陶瓷表面浅陷阱分布对其真空沿面闪络特性的影响被引量：1
- 2009年
- 长期以来沿面闪络现象一直制约着真空绝缘系统的整体性能,极大地限制了高压电真空设备的发展进程。针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,研究了不同制备工艺的可加工陶瓷试品在进行表面氢氟酸处理前后其电学特性的变化。利用表面电位衰减法测量了材料表层陷阱分布,分析了表面酸处理对其陷阱分布的影响;采用光电结合的方法,测量了不同表面处理的材料在真空中的表面耐电情况,分析了材料表面陷阱的密度和能级对闪络特性的影响。发现玻璃陶瓷材料表面存在的玻璃相结构是造成存在大量浅陷阱的重要原因,而浅陷阱对沿面闪络特性造成不利影响。得知通过氢氟酸处理可以腐蚀掉材料表面的玻璃相结构,从而降低浅陷阱密度,进而明显提高材料表面闪络的稳定性和降低分散性。
- 于开坤张冠军刘国清马新沛李光新
- 关键词：真空沿面闪络玻璃陶瓷表面处理
- SiC非线性导电特性调控技术的研究
- 本文研究了SiC非线性导电特性的影响因素,提出了调控其防电晕涂层非线性导电特性及起晕电压的新方法.结果表明通过控制SiC微粉表面SiO2含量、金属杂质含量、晶体中C/Si元素比、掺入β-SiC、改变SiC颗粒粒径及混合不...
- 宁叔帆于开坤郭磊李鸿岩陈维陈寿田
- 关键词：SIC电阻率起晕电压绝缘材料
- 文献传递
- 新型可加工陶瓷真空中冲击闪络特性的研究被引量：3
- 2007年
- 为了克服氧化铝陶瓷存在加工难度及脆性大等缺点,研制成功了一种新型低熔点可加工微晶玻璃陶瓷,它具有良好的力学、热学和可加工性能,但需进一步了解其电气性能。因此,测量了这种新型陶瓷的介电特性;考察了其在真空中脉冲电压下的沿面耐电特性;对比分析了氧化铝陶瓷和可加工陶瓷的表面耐电性能及不同添加剂成分与不同比例的添加剂对可加工陶瓷表面耐电性能的影响。结果发现,这种可加工陶瓷符合电工陶瓷的标准,其表面耐电性能优于氧化铝陶瓷,可替代现有的陶瓷材料,并获得了较好的配方设计。
- 张冠军马奎于开坤马新沛李光新严璋
- 关键词：真空冲击电压沿面闪络二次电子发射
