万书权
- 作品数：12 被引量：9H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体热处理研究被引量：2
- 2011年
- 结合差示扫描量热曲线（DSC）和相图确定出热处理的温度范围。分别在真空和AgGa1-xInxSe2（x=0.2,0.6,0.8）多晶粉末包埋下,对AgGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响。结果表明：用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550~5500 cm-1波数范围内整体提高到65%以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善。
- 许建华赵北君朱世富陈宝军何知宇万书权
- 关键词：红外透过率热分析
- AgGa1-xInxSe2晶体器件的定向加工
- AgGa1-xInxSe2晶体是一种性能优异的中远红外非线性光学晶体,黄铜矿结构,42m点群。AgGa1-xInxSe2晶体非线性系数大,随X的不同,非线性光学系数d36在392.4pm/V之间变化。AgGa1-xInx...
- 龙勇赵北君朱世富何知宇陈宝军万书权王莹
- 文献传递
- 硒铟镓银晶体(112)面蚀坑形貌观察
- 硒铟镓银(AgGa1-xInxSe2)晶体属于黄铜矿结构,42m点群,是一种性能优异的中红外非线性光学晶体。AgGa1-xInxSe2晶体的显著特点是其机械性能、热学性能以及双折射等都可随x的改变而变化。然而晶体中的缺陷...
- 王莹朱世富赵北君陈宝军何知宇万书权龙勇
- 文献传递
- AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体退火改性研究被引量：1
- 2008年
- 采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2（x=0.2）单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217%。采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理。退火处理后晶体的红外透过率有明显改善。在4000 cm^-1～7000 cm^-1范围内红外透过率由原先低于25%改进到高于40%;在750 cm^-1～4000 cm^-1范围的红外透过率由原先低于45%改善到超过50%,在2000 cm^-1～750 cm^-1区域甚至高达60%。结果表明：采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备。
- 万书权朱世富赵北君黄毅朱伟林徐承福何知宇陈宝军赵国栋
- 关键词：退火处理差热分析红外透过率
- AgGa_(0.6)In_(0.4)Se_2晶体的制备与表征
- 2011年
- 以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2（x=0.4）化学计量配比配料（富1%Se）,在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料。差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃。采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Φ20 mm×60 mm、结构完整的AgGa0.6In0.4Se2单晶体。经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为（112）面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836~19.65μm范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV。结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备。
- 万书权朱世富赵北君陈宝军何知宇许建华刘勇
- 关键词：性能表征光学材料
- 硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究
- 采用Bridgman法生长出尺寸为Φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa1-xInxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰。沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中I...
- 杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇
- 关键词：单晶体分凝系数
- 文献传递
- AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的定向加工被引量：3
- 2010年
- 报道了一种AgGa1-xInxSe2晶体定向加工的新方法,即根据AgGa1-xInxSe2晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射仪,快速寻找AgGa1-xInxSe2晶体通光面并进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进垂直Bridgman法自发成核生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体光参量振荡(OPO)器件,其相位匹配角θm=54.71°、方位角φ=45°,元件尺寸达8mm×8mm×18mm。新方法不仅定向准确、操作简便,而且可以应用于不同In含量的系列AgGa1-xInxSe2晶体定向加工。
- 龙勇赵北君朱世富何知宇陈宝军万书权王莹许建华
- 关键词：X射线衍射分析
- 硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究
- 2009年
- 采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.
- 杨帆赵北君朱世富赵国栋马杰华万书权陈宝军何知宇
- 关键词：单晶体分凝系数
- AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。
- 黄毅赵北君朱世富赵国栋朱伟林徐承福万书权何知宇
- 关键词：黄铜矿
- AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究
- AgGaInSe晶体是一种性能优异的中远红外非线性光学材料。采用高纯(6N)的Ag、Ga、In和Se单质为原料,按照AgGa1-xInxSe2(x=0.2)化学计量配比,并考虑到高温下Se易挥发,为减少其损失,富0.3%...
- 万书权朱世富赵北君黄毅朱伟林徐承福何知宇
- 关键词：退火处理红外透过率差热分析
- 文献传递
