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黄维

作品数：41 被引量：23H指数：3
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇晶片
  • 8篇电阻
  • 8篇碳化硅
  • 7篇光电
  • 7篇光电导开关
  • 6篇光导
  • 6篇光导开关
  • 6篇半导体
  • 6篇SIC
  • 5篇导通
  • 5篇导通电阻
  • 5篇电极
  • 5篇脉冲
  • 5篇脉冲激光
  • 5篇脉冲激光器
  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 4篇晶片加工
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光

机构

  • 41篇中国科学院
  • 4篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 41篇黄维
  • 31篇施尔畏
  • 14篇卓世异
  • 11篇刘学超
  • 10篇常少辉
  • 9篇陈辉
  • 8篇庄击勇
  • 8篇陈之战
  • 6篇严成锋
  • 6篇孔海宽
  • 3篇周天宇
  • 2篇郑燕青
  • 2篇忻隽
  • 2篇刘熙
  • 2篇张静玉
  • 2篇杨建华
  • 2篇周仁伟
  • 2篇陈卫宾
  • 1篇周克瑾
  • 1篇宋力昕

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇强激光与粒子...
  • 1篇中国照明电器
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇首届全国脉冲...
  • 1篇2013‘全...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 3篇2009
共 41 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法
本发明公开一种无损伤、高平面度单晶碳化硅平面光学元件及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：（1）挑选零微管道的整块单晶碳化硅晶锭；（2）对该单晶碳化硅晶锭进行切割，得到粗坯；（3）对粗坯进行双面研磨，得到两个平行的粗磨...
黄维陈辉忻隽王乐星卓世异孔海宽施尔畏
文献传递
氢氟酸刻蚀对Ni/6H-SiC接触性质的作用被引量：2
2009年
采用浓度为10%的氢氟酸(HF)刻蚀6H-SiC单晶片,研究了HF刻蚀时间对Ni/6H-SiC接触性质的影响.经24h刻蚀的SiC基片在溅射Ni层后,其接触表现良好线性的电流-电压(I-V)曲线.低于这个腐蚀时间的接触具有明显的势垒,但在大于1000℃快速退火后,也得到了良好线性的I-V曲线.X射线衍射(XRD)和俄歇能谱(AES)深度元素分析表明Ni2Si和C是快速退火后的主要产物.XRD和低能反射电子能量损失谱表明表层的C元素是以非晶态存在.通过研究高温快速退火下元素的互扩散及HF与SiC表层反应机理,发现SiC表面富碳层是这两种方法形成欧姆接触的关键因素.
黄维陈之战陈博源张静玉严成锋肖兵施尔畏
关键词：欧姆接触SIC互扩散
一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法
本发明提供一种用于氮化镓晶体的定向切割装置与加工方法，该定向切割装置包括：夹持晶锭的夹具；控制首片厚度的影像监测系统，以及对所述晶锭进行切割的多线切割机，夹持晶锭的所述夹具包括支架和支撑所述支架的基座，所述影像监测系统将...
陈辉庄击勇黄维卓世异王乐星施尔畏
锗酸铋晶片的清洗工艺
本发明涉及一种锗酸铋晶片的清洗工艺，所述清洗工艺包括：采用二级去离子水对所述锗酸铋晶片进行清洗以去除表面粘附力较弱的大块污染物的初步清洗步骤；采用航空煤油对所述锗酸铋晶片进行清洗以去除表面有机物油污的第二清洗步骤；采用C...
卓世异黄维王乐星庄击勇陈辉
文献传递
高质量钒掺杂半绝缘碳化硅晶体及其在光导开关上的应用
本文采用上海硅酸盐研究所自制的2英寸(1英寸=25.4 mm)半绝缘6H-SiC晶体开展了光导开关的制备与性能研究。采用PVT法制备了钒掺杂的6H-SiC晶体，晶体结晶质量的高分辨X射线(HR-XRD)摇摆曲线平均半高宽...
刘学超严成锋黄维杨建华施尔畏
关键词：光导开关宽禁带半导体材料性能评价
SiC同质外延薄膜中Ehrlich-Schwoebel势垒的计算
台阶位置和平面位置原子构型的区别,在台阶位置存在额外的势垒,即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒。ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响,不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最大生长速率,还会影响生长过程中台阶...
郭慧君黄维刘熙卓世异周仁伟郑燕青施尔畏
关键词：4H-SIC分子动力学模拟
文献传递
超硬半导体材料抛光方法
本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了...
黄维王乐星庄击勇陈辉杨建华施尔畏
文献传递
Ni/V/4H-SiC欧姆接触电极制备与性能研究
本文选择Ni/V双层金属结构，研究了引入V对Ni/4H-SiC欧姆接触性能的影响。实验结果表明，Ni/V双层金属结构在退火温度高于950℃才能与SiC半导体形成良好的欧姆接触;不同厚度的Ni/V结构电极在1050℃快速退...
代冲冲刘学超周天宇黄维杨建华施尔畏
关键词：欧姆接触电极碳化硅性能表征
文献传递
一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置
本实用新型提供了一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置，包括：夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；以及吸附于磨床的基底；其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。本实用新型可保证碳化硅晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏...
陈辉庄击勇黄维王乐星卓世异施尔畏
文献传递
高耐压、低导通电阻的光电导开关及其制造方法
本发明提供一种高耐压、低导通电阻的光电导开关的制造方法，包括步骤：提供半绝缘衬底，在其上形成透明电极层；在透明电极层上旋涂光刻胶层，对透明电极层作图形化，在半绝缘衬底的左右两端分别形成透明电极；在半绝缘衬底和透明电极上旋...
黄维常少辉刘学超王乐星庄击勇陈辉施尔畏
文献传递
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