魏全香
- 作品数：13 被引量：20H指数：3
- 供职机构：山西大学物理电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 摩擦系数测定仪
- 本实用新型属于力学领域固体间摩擦系数的测定仪器。它既可测定物体的静摩擦系数,也可测定物体的滑动摩擦系数。它是采用测倾斜角法来测定物体的静摩擦系数的。其结构合理,测量精度高,测量速度快,操作方便。它可应用于摩擦力的科学研究...
- 武少文虞仲博魏全香陆占余
- 文献传递
- 爱因斯坦对量子理论发展的重要影响被引量：3
- 2006年
- 结合20世纪量子力学发展的特殊历史背景,从早期的量子论到现行量子力学理论体系的形成和完善过程出发,讨论了爱因斯坦在量子力学方面的重要工作,指出他在量子理论发展的不同时期都发挥了重要作用,对量子力学理论的研究产生了重要而又深远的影响,极大地促进了量子力学的发展.
- 乔灵爱魏全香
- 关键词：爱因斯坦量子理论
- 1.5微米波段GaAs基异变InAs量子点分子束外延生长被引量：1
- 2014年
- 1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值。本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度。在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用。在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长。最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491nm,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点。
- 魏全香王鹏飞任正伟贺振宏
- 关键词：INAS量子点分子束外延发光波长
- 45^#钢牵丝盘焊接接头裂纹的金相分析
- 2003年
- 对焊接接头处出现的裂纹进行了金相分析,表明该部位在焊接过程中出现的魏氏组织在常规条件下是不可避免的,但是通过一些补救措施可以消除它的影响或将其影响降至最低程度,提出了环境温度的差异是造成焊接失败的因素.
- 魏全香
- 关键词：焊接接头金相分析魏氏组织环境温度
- 论赫兹对麦克斯韦电磁场理论的实验验证被引量：2
- 2007年
- 麦克斯韦虽然在理论上预言了电磁波的存在,但是,他并未提出过产生电磁波的任何方法.历史上,赫兹第一个通过实验发现了电磁波,并用实验证实了电磁波与光波的同一性,从而证实了麦克斯韦的电磁理论.文章论述了赫兹发现了电磁波以及证实电磁波与光波的同一性的全过程,说明赫兹能够证实电磁场理论,主要归因于他精湛的实验技能和敏锐的观察力.
- 乔灵爱魏全香
- 关键词：赫兹电磁场理论
- 成人高考物理选择题特点分析及解法
- 1999年
- 本文就近几年成人高考试卷中物理选择题特点进行了系统全面的分析 ,并介绍了几种解选择题常用的方法。
- 乔灵爱魏全香
- 关键词：成人高考物理选择题解法
- 摩擦系数测定仪的研制被引量：7
- 2000年
- 本文介绍了本实验室自行研制的摩擦系数测定仪，并对它的原理、结构及其使用均作了较详的论述。
- 武少文虞仲博魏全香
- 关键词：摩擦力光电传感器
- 物理实验的测量与评定
- 2003年
- 运用多种测量手段和统计方法 ,对教师完成物理实验目标的程度 。
- 魏全香
- 关键词：物理实验观察法问卷法测验法物理教学高校
- 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究被引量：4
- 2012年
- 研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391～1438nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层实施原位退火、采用Sb辅助生长InGaAs盖层等方法可以增强高密度(2×1010 cm-2)InAs量子点的发光强度,减小光谱线宽,改善均匀性和红移发光波长。
- 魏全香吴兵朋任正伟贺振宏牛智川
- 关键词：INAS量子点光致发光分子束外延
- 原子氢辅助MBE生长的不同晶面GaAs表面形貌被引量：1
- 2004年
- 研究了原子氢辅助分子束外延(MBE)中,原子氢对不同晶面GaAs外延层表面形貌特征的诱导作用。原子力显微镜(AFM)测试表明,在GaAs的(311)A和(331)A面,原子氢导致了台阶状形貌的形成。提出了一种简单模型,解释了台阶面形貌形成的物理机制。为最终有序低维纳米表面结构提供了一种实验参考。
- 魏全香牛智川
- 关键词：分子束外延原子力显微镜
