马建平
- 作品数：15 被引量：14H指数：3
- 供职机构：山东建筑大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程冶金工程化学工程更多>>
- Ca<,0.4>Sr<,0.6>Bi<,4>Ti<,4>O<,15>铁电陶瓷厚膜制备工艺的研究
- 铋层状铁电材料(bismuth layer-structured ferroelectrics，BLSFs)因具有较高的剩余极化强度(2Pr)，较低的矫顽场(2Ec)以及在铂电极上抗疲劳性能好等优点，成为目前非挥发性铁电...
- 马建平
- 关键词：铁电性能
- 文献传递
- 高取向钙锶铋钛铁电陶瓷的制备与性能研究
- 本实验采用传统的固相合成方法,通过压制成型进行烧结,制备了CSBT铁电陶瓷,又通过切片的方法制备了不同取向的CSBT铁电陶瓷,测试了样品的电学性能,利用现代仪器观察了CSBT陶瓷样品的相结构
- 范素华于冉张丰庆马建平车全德
- 文献传递
- 凝胶预碳化处理对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)纳米晶粉体的影响(英文)
- 2008年
- 用凝胶预碳化处理工艺的溶胶-凝胶法制备了晶粒粒径小且分散性能较好的钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15)纳米晶粉体。借助差热-热重分析仪、X射线衍射仪和扫描电镜等分别确定凝胶的预碳化处理温度,研究了预碳化处理工艺对粉体的物相结构、粉体的微观形貌以及分散性能的影响,并分析讨论了预碳化机理。结果表明:在300℃对前驱体凝胶进行预碳化处理增强了粉体的分散性,降低粉体的粒度,提高粉体的均匀性。凝胶预碳化处理工艺并未对粉体的物相结构造成影响。经过预碳化处理制备的粉体的颗粒尺寸集中在100nm左右;未经预碳化处理的粉体的颗粒尺寸为100nm～1μm。凝胶预碳化处理后,高吸附活性的有机碳包覆在前驱体的表面是有效减少粉体团聚的原因。
- 范素华冯博楷王培吉张丰庆张伟马建平
- 关键词：团聚
- Sm掺杂对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响
- 2009年
- 利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Ca0.4Sr0.6SmxBi4-xTi4O15铁电薄膜。研究了不同钐掺量对薄膜的显微结构、晶粒取向及铁电性能的影响。结果表明:钐掺杂对钙锶铋钛铁电薄膜既有抑制氧空位所导致的畴钉扎作用,也有抑制晶粒生长发育的作用。当钐掺量x=0.05时薄膜样品晶粒发育较良好,沿a轴择优取向,I(200)/I(119)=0.869;样品铁电性能优良,剩余极化强度Pr=10.2μC/cm2,矫顽场强度Ec=120kV/cm。
- 车全德范素华张丰庆马建平于冉田清波
- 关键词：铁电薄膜
- 退火温度和匀胶速率对SrBi_(3.88)Nd_(0.12)Ti_4O_(15)薄膜铁电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜材料,研究了退火温度和匀胶速率对铁电薄膜材料结构、铁电性能的影响。退火温度为750℃、匀胶速率为3000r/min薄膜样品为纯的铋层状钙钛矿结构且没有其它杂相出现,a轴取向的晶粒较多,铁电性能较好,剩余极化强度和矫顽场分别为2Pr=26.7μC/cm2、2Ec=80kV/cm。
- 张丰庆范素华马建平车全德于冉
- 关键词：退火温度铁电性能
- 退火温度和匀胶速率对SrBi3.88Nd0.12Ti4O15薄膜铁电性能的影响
- 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜材料，研究了退火温度和匀胶速率对铁电薄膜材料结构、铁电性能的影响。退火温度为750℃、匀胶速率为3000r/min薄膜...
- 张丰庆范素华马建平车全德于冉
- 关键词：铁电薄膜材料退火温度
- 退火工艺对SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜结构和性能的影响
- 本文从改善薄膜的铁电性能出发,采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/Si O/Si基片上制备了Nd掺杂改性的
- 张丰庆范素华马建平车全德于冉
- 文献传递
- 粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能,其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值。
- 马建平范素华张丰庆车全德于冉
- 关键词：铁电性能粉末特性
- Sm掺杂对Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响
- 本文选用Sm作为A位掺杂元素对铋层状钙钛矿结构的CSBT-0.4铁电薄膜进行掺杂改性研究。采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/Si O/Si衬底上制备了性能优良的CaSrBiTiO铁电薄膜,利用x射线衍射分
- 范素华车全德张丰庆马建平张伟
- 文献传递
- 膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响被引量：5
- 2008年
- 采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的I(200)/[I(119)+I(00l)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm。
- 范素华张伟王培吉张丰庆冯博楷马建平
- 关键词：ND掺杂SOL-GEL法膜厚
