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顾经纶

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 1篇电路模拟
  • 1篇载流子
  • 1篇栅结构
  • 1篇双栅
  • 1篇双栅MOSF...
  • 1篇子线
  • 1篇量子
  • 1篇量子线
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇解析模型
  • 1篇集成电路
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道长度
  • 1篇多栅
  • 1篇MOSFET
  • 1篇泊松
  • 1篇泊松方程
  • 1篇超大规模集成

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇顾经纶
  • 1篇胡光喜
  • 1篇梅光辉

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种围栅结构MOSFET源漏电流解析模型
本发明属于半导体技术领域，具体为一种围栅结构金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）源漏电流解析模型。本发明针对围栅结构MOSFET的不同沟道长度，根据McKelvey的通量理论，得到这种器件的电流电压模型。只要调整其中的...
胡光喜顾经纶梅光辉
文献传递
用于超大规模集成电路的多栅MOSFET研究
在摩尔定律的指导下,集成电路半导体器件的尺寸越来越小,但是不能无限缩小。在缩小到一定程度将达到它的物理极限,严重的短沟道效应和栅极泄漏电流将会出现。这对摩尔定律的有效性将是一个挑战。但是人们积极寻找着替代用缩短器件尺寸来...
顾经纶
关键词：超大规模集成电路双栅MOSFET泊松方程
文献传递
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