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陈宇

作品数：8 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院兰州物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇砷化镓
  • 2篇离子
  • 2篇SIMS
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化钛
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻率
  • 1篇镀膜
  • 1篇仪器
  • 1篇异质结
  • 1篇有机化合物
  • 1篇质谱
  • 1篇砷化镓表面
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇离子发射
  • 1篇接触电阻
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇金属
  • 1篇化合物
  • 1篇俄歇电子谱法

机构

  • 7篇中国科学院兰...

作者

  • 8篇范垂祯
  • 8篇陈宇
  • 1篇汪贵华
  • 1篇杨得全

传媒

  • 4篇真空与低温
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
覆氧条件下砷化镓表面二次离子发射机理的研究
1993年
研究了高真空分析室中砷化镓表面覆氧对二次离子产额的影响。通过 X 射线光电子谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)、俄歇电子谱(AES)研究比较了室温下长期暴露大气的砷化镓、高真空分析室中充氧后砷化镓表面以及离子轰击条件下砷化镓表面上氧的化学状态。并对覆氧对二次离子产额的作用机理进行了探讨。
陈宇范垂祯
关键词：砷化镓离子发射
砷化镓的二次离子质谱定量分析方法
1989年
化合物半导体由于其复杂的基体效应,给表面定量分析带来了很大困难。如何提高分析精度,对痕量元素作出定量分析,是定量分析的一个难点。近年来,随着半导体集成电路工业的发展和表面分析技术的进一步提高,出现了一些适用于砷化镓及其它半导体材料二次离子质谱定量分析的新方法。这里简要介绍了它们的特点、分析计算步骤和分析精度。根据不同情况,有选择地运用这些方法,可对砷化镓材料的背景杂质浓度及掺杂元素分布进行定量分析,可获得较好的精度,从而实现对材料制备和器件制作等工艺过程的监控。
陈宇余镇江范垂祯
关键词：砷化镓
GaAs-Al_x Ga_(1-x)As异质结的SIMS定量分析被引量：1
1991年
本文利用二次离子质谱对GaAs^-AI_xGa_(1-x)As异质结进行了定量深度分析。首先,在对LTE模型中的温度T的物理意义作了进一步探讨的基础上,提出采用相对灵敏度因子结合双定标的LTE模型法,对GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的元素成份进行定量分析,获得了满意的结果,此外,本文利用Ta_2O_5-Ta标准陡峭界面对SIMS溅射剖面进行弧坑效应修正,得到异质结中元素的深度分布曲线,从而给出异质结中各种元素随深度的浓度分布。
范垂祯陈宇
关键词：异质结GA
AuGeNi－n型GaAs欧姆接触界面微区结构与接触电阻率的关系
1994年
欧姆接触是砷化镓器件中的基本单元，它的电性能极大地影响器件的质量。在众多的欧姆接触系统中，ＡｕＧｅＮｉ系统应用最为广泛。利用扫描俄歇电子微探针对离子注入重掺杂的ｎ型ＧａＡｓ上利用快速热合金制备的ＡｕＧｅＮｉ欧姆接触进行了研究，比较了不同退火温度下欧姆接触的电性能和微区界面结构，对界面微区结构与接触电阻的关系进行了探讨，提出了产生低阻接触的理想微区结构，为工艺参数的选择提供了有益的依据。
陈宇范垂祯周文益
关键词：GAAS器件欧姆接触电阻率
工业中的现代表面分析技术(Ⅰ) 主要仪器和方法简介被引量：1
1992年
本文扼要地介绍了几种工业中常用的现代表面分析仪器和方法，如俄歇电子谱（ＡＥＳ）、Ｘ－射线光电子谱（ＸＰＳ）［或称化学分析用电子谱（ＥＳＣＡ）］、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等的基本工作原理、仪器结构、使用方法及其特点，简单讨论了与表面分析有关的超高真空技术、样品表面的清洁、离子束溅射及无损检测等问题．
范垂祯杨得全陈宇
关键词：仪器
掺锌砷化镓样品的SIMS定量分析被引量：1
1992年
本文利用注入剂量法,对离子注入掺Zn的GaAs样品进行了SIMS定量分析,得到了Zn在GaAs中的浓度分布,并由此获得了稳定的相对灵敏度因子,利用相对灵敏度因子法对GaAs 中的掺杂元素进行定量分析,获得了较好的结果,相对偏差小于 8 ％,此外,本文讨论了GaAs中杂质元素二次离子产额的覆氧效应,对注入剂量法进行了覆氧修正.
陈宇范垂祯
关键词：砷化镓SIMS
有机聚合物薄膜的ＳＩＭＳ分析研究
陈宇范垂祯
关键词：有机化合物高聚物
氮化钛膜AES叠峰的因子分析法分析被引量：1
1992年
因子分析法是利用各种谱峰的峰形进行成分定量分析的方法,广泛应用于多种成分的混合物、化合物的谱峰分析。通过对因子分析法(FA)的数学过程及其物理意义的进一步分析,对应用 FA 对氮化钛的俄歇电子谱(AES)叠峰进行谱蜂分解和定量计算进行了研究。由于缺乏纯 N 谱峰,采用化合物(Si_3N_4、BN)中的 N 谱和纯 Ti 谱作为 TiN_x 谱中 N 和 Ti 的标准谱峰。为解决化学效应影响定量计算的问题,提出了两次迭代的分析方法。这种分析是以线性分析为基础的非线性的处理过程。应用 FA 法的两次迭代分析获得了较好的 N/Ti 原子比,分解了Ti 和 N 的叠峰,分解的峰形叠加得到的峰形与原峰形拟合的很好。
范垂祯汪贵华陈宇
关键词：氮化钛俄歇电子谱法镀膜金属
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