闫国英
- 作品数：43 被引量：51H指数：4
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省科技厅科研项目河北省教育厅项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学一般工业技术医药卫生更多>>
- 一种P型透明Ca<Sub>3</Sub>Co<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>导电薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种P型透明Ca<Sub>3</Sub>Co<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>导电薄膜的制备方法,属于功能薄膜材料技术领域，制备方法步骤中包括：A、陶瓷靶材的制备：利用高温固相反应法烧结Ca<...
- 孙丽卿王淑芳闫国英傅广生李晓苇
- Bi2Sr2Co2Oy薄膜的激光诱导电压效应研究
- 闫国英王芳白子龙张洪瑞
- 激光诱导电压是一种温差和电压/电流方向相互垂直的热电效应。这种特殊的热电效应源于材料塞贝克系数的各向异性，通常只能在c轴倾斜生长的薄膜、单晶及人工构建的金属－金属或金属-半导体多层倾斜结构中观测的到。该项目采用化学溶液沉...
- 关键词：
- 关键词：热电效应
- 一种P型透明导电钴氧化物金属纳米复合薄膜的制备方法
- 本发明公开一种P型透明导电钴氧化物金属纳米复合薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域，本方法步骤中包括：A、陶瓷靶材的制备：利用高温固相反应法烧结钴氧化物陶瓷靶材；B、脉冲激光沉积薄膜：在钴氧化物陶瓷靶材上贴上扇形金属...
- 王淑芳孙丽卿闫国英傅广生李晓苇
- 文献传递
- 一种P型Na<Sub>x</Sub>CoO<Sub>2</Sub>透明导电薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种P型Na<Sub>x</Sub>CoO<Sub>2</Sub>透明导电薄膜的制备方法,属于功能薄膜材料技术领域，制备0.5≤x≤0.8的NaxCoO<Sub>2</Sub>透明导电薄膜的方法步骤中包括：A...
- 孙丽卿王淑芳闫国英傅广生李晓苇
- 文献传递
- 微空心阴极放电特性的研究
- 何寿杰闫国英韩育宏杨振亚肖振雷欧阳莹
- 该项目研究了矩形微空心阴极放电的时空特性，并且分析了放电模式随时间发展的特性；在氦气中进行实验，验证了空心阴极效应pD相似性的存在；利用柱形结构空心阴极在氩气和氦气等惰性气体环境下对空心阴极放电中的自脉冲现象进行了研究，...
- 关键词：
- 关键词：放电特性
- 电力系统分散式低周减载保护研究
- 蔡淑珍段书兴段平光李霞刘素玲孙业歧许建忠闫国英梁伟华王志军
- 电力系统分散式低周减载保护研究，系河北省科学技术研究与发展指导计划项目，编号：072135141，研究起止时间：2007年4月--2008年9月。本项目主要研究电网安全稳定运行控制。当电力系统发生有功缺额时，可实现自动按...
- 关键词：
- 关键词：电力系统分散式
- 一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器
- 本发明提供了一种基于<I>c</I>轴倾斜的硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，所述光探测器包括斜切基片、横向热电元件和金属电极；所述横向热电元件是采用脉冲激光沉积技术在所述斜切基片上生长的<I>c</I>轴倾斜的硒化铅薄膜...
- 陈明敬宋宇航陈旭阳张子才闫国英方立德
- 文献传递
- 一种斜切砷化镓单晶光、热探测器
- 本发明提供一种斜切砷化镓单晶光、热探测器，依次由导热胶粘结的斜切砷化镓单晶薄片，金属铜热沉和金属支架组成，在斜切砷化镓单晶薄片上表面设置两个对称的金属电极作为电压信号输出端，用电极引线将斜切砷化镓单晶薄片电压信号输出端与...
- 傅广生张洪瑞吴筱美王淑芳闫国英于威李晓苇
- 文献传递
- 静电放电模拟器电路建模分析被引量：8
- 2009年
- 从实际的静电放电模拟器结构出发,根据接触放电时静电放电电流的主要特征,考虑到静电模拟器本身、连接线及回路电缆与地平面间产生的分布参数的影响,建立了一个新的静电放电模拟器等效电路模型,并用PSPICE软件对等效电路进行模拟分析,得到了与实测波形基本一致的电流波形。利用该模型讨论了各分布参数对放电电流的影响。结果表明:模拟器体电阻与地间的电感对电流波形影响不大,因此可以忽略,但其与地之间的分布电容对电流波形的低频段有重要影响;连接线分布参数对电流波形的第一峰值及波形光滑度都有影响;回路电缆分布参数主要影响了电流波形中第二个波峰峰值及其位置。
- 刘素玲段平光李霞闫国英
- 关键词：电路模型PSPICE软件放电电流
- c轴倾斜的BiCuTeO薄膜的制备及其脉冲光探测
- 2024年
- BiCuTeO是近年来新发现的一种P型热电材料.本文利用脉冲激光沉积技术在LaAlO_(3)单晶衬底上制备了c轴10°倾斜的BiCuTeO薄膜,研究了生长温度对薄膜物相和表面形貌的影响,基于横向热电效应测试了其脉冲光探测特性.结果发现:380℃生长的薄膜晶体质量最优;在308 nm脉冲激光辐照下,输出电压灵敏度达到9.5 V/mJ、上升时间为68 ns,该灵敏度优于相同晶系的BiCuSeO及横向热电效应研究的许多材料,表明该薄膜在高灵敏、快响应的紫外脉冲光探测领域具有重要的应用潜力.
- 刘朔昀罗一鹏张霄闫国英
