邹子英
- 作品数：42 被引量：42H指数：4
- 供职机构：上海市计量测试技术研究院更多>>
- 发文基金：国家质检总局科技计划项目国家重点实验室开放基金上海市科委科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 纳米台阶标准样板的制备和表征被引量：14
- 2011年
- 介绍了纳米标准样板在纳米量值溯源体系中的重要作用和制备纳米标准样板的基本要求,设计了适用于多用途的标准值为100nm纳米台阶标准样板的特征结构和制备工艺流程,阐述了纳米测量装置的工作原理以及原子力测头(AFM)、激光聚焦式测头(LFS)、扫描白光干涉测头(SWLIS)的参数指标和适用范围。分别利用纳米测量机(NMM)的多种测头对纳米标准样板进行表征,对SIMT100纳米标准样板A区域开展重复性实验、区域均匀性实验和长时间稳定性实验。结果表明,设计与制备的SIMT100纳米标准样板A区域的高度值具有较好的量值传递特性。台阶标准片的测量重复性、区域均匀性和稳定性的标准偏差均小于1nm。
- 雷李华邹子英李源王丽华李东升
- 硅片表面机械损伤层厚度的测试方法研究被引量：2
- 2000年
- 本文介绍了用磨角、择优腐蚀的方法显示和测试硅片表面的机械损伤层厚度的测试方法。原理和实验结果。
- 邹子英闵靖
- 关键词：单晶硅片半导体材料
- 集成电路芯片的工艺诱生缺陷被引量：2
- 2003年
- 调研了三条100～150mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明,这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷,离子注入诱生弗兰克不全位错,薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错。前二种缺陷存在于MOS电路,后一种存在于双极型电路。弗兰克不全位错起因于离子注入损伤诱生的氧化诱生层错(OISF),薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错都与薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关。同时,提出了减少这几类缺陷密度的工艺途径。
- 邹子英闵靖
- 关键词：集成电路芯片
- 纳米台阶标准样板的制备和表征性研究
- 纳米计量技术是纳米科学技术发展的基础和保障,建立完整的纳米尺度量值溯源体系具有重要意义.介绍纳米标准样板的特征结构设计和制作工艺,利用原子力测头、激光聚焦式测头和白光干涉测头三种测量方法进行测量,开展对比实验、重复性实验...
- 邹子英王丽华李源郭彤马龙
- 电波暗室卫星信号覆盖装置
- 本实用新型公开了一种电波暗室卫星信号覆盖装置，包括接收天线、信号转发器、发射天线、同轴电缆；接收天线安装于室外,用于接收卫星信号；信号转发器安装于室内并在电波暗室外,输入端口通过同轴电缆与接收天线连接，用于将接收天线收到...
- 马欣王明明邹子英赵士桢金善益龚增刘麒
- 文献传递
- 表征硅片中氧的深度分布的间接测试方法
- 2000年
- 本文介绍了利用硅中产生热施主的退火，结合磨角和扩展电阻测试，用硅片的电阻率变化的纵向分布，来间接发表征硅片中的氧的深度分布的测试方法。
- 闵靖邹子英吴晓虹
- 关键词：硅片氧电阻率
- 检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法
- 一种关于检测掺杂浓度为≥1×10<Sup>15</Sup>cm<Sup>－3</Sup>的N型重掺(砷、锑、磷)或轻掺的硅单晶片或锭晶格缺陷的方法。该方法步骤是(1)去除表面的自然氧化层；(2)配制硝酸铜和氢氟酸腐蚀混合...
- 邹子英闵靖郭瑾吴晓虹谢江华宗龙章叶祖超
- 文献传递
- 辐射场均匀性校验定位装置
- 本发明公开了一种辐射场均匀性校验定位装置，其包括垂直连杆、底板、水平连杆、水平套筒；所述垂直连杆，底端固定在所述底板上；所述水平套筒，套设在所述垂直连杆外部，能沿所述垂直连杆轴向滑动；所述水平套筒和/或所述垂直连杆上设置...
- 马欣邹子英陆敏龚增王晖张亮田禾箐
- 文献传递
- 高温氢气退火提高硅片质量的研究被引量：1
- 2004年
- 研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层。测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果。
- 邹子英闵靖
- 关键词：氧沉淀
- 激光聚焦式测头应用于特殊结构测量中的标定和扫描方法
- 本发明为激光聚焦式测头应用于特殊结构测量中的标定和扫描方法。通过对具有多种材料表面的被测样品进行预先多次标定，在扫描过程中通过自动或手动设置FES信号线性拟合系数，对具有多种材料表面的被测样品进行焦平面位置修正。本发明在...
- 李源邹子英刘一
- 文献传递
