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贺剑雄

作品数:12 被引量:17H指数:2
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 11篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 7篇电池
  • 7篇太阳电池
  • 4篇退火
  • 3篇溅射
  • 3篇溅射法
  • 3篇CDTE太阳...
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 3篇磁控溅射法
  • 3篇ALSB
  • 2篇碲化镉
  • 2篇金属
  • 2篇金属间化合物
  • 2篇薄膜太阳电池
  • 2篇背接触
  • 2篇AL
  • 1篇电池材料
  • 1篇电池效率
  • 1篇电极
  • 1篇电流

机构

  • 12篇四川大学
  • 1篇中国核工业集...

作者

  • 12篇贺剑雄
  • 12篇冯良桓
  • 10篇郑家贵
  • 10篇武莉莉
  • 7篇张静全
  • 7篇雷智
  • 7篇夏庚培
  • 5篇黎兵
  • 5篇王文武
  • 5篇宋慧瑾
  • 4篇李卫
  • 3篇蔡亚平
  • 3篇蔡伟
  • 2篇郝霞
  • 2篇李愿杰
  • 1篇李卫
  • 1篇鄢强
  • 1篇蔡亚萍
  • 1篇曾广根

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇计量与测试技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国科技论文...
  • 1篇第九届中国太...
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 2篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CuxTe背接触层对CdTe光伏器件性能的影响
2009年
研究了由共蒸发制备出的CuTe多晶薄膜的性能及其对CdTe光伏器件性能的影响。研究表明,刚沉积的CuTe薄膜为非晶相,退火后,随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变,其中Cu/Te为1:1.44的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高。以CuTe结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触层电池,性能改善不显著,转换效率随膜厚的增加呈递减趋势;以Cu1.44Te结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触电池,转换效率有极大提升,在膜厚40nm处电池呈现最高转换效率;Cu2Te为背接触主相的电池相对于Cu1.44Te为背接触主相的电池,器件性能略有下降,但优于CuTe为背接触主相的电池。
宋慧瑾郑家贵冯良桓夏庚培王文武贺剑雄李愿杰鄢强
关键词:太阳电池材料
碲化镉薄膜太阳电池的制造技术
冯良桓蔡亚平张静全黎兵蔡伟武莉莉李卫郑家贵雷智曾广根夏庚培王文武贺剑雄宋慧瑾李愿杰
①课题来源与背景  主要来自国家“十五”863计划能源技术领域的两个重点课题,一是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号:2001AA513010);二是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号:2...
关键词:
关键词:碲化镉太阳电池
不同背电极CdTe太阳电池的暗特性分析
我们分别用金和镍作为CdTe多晶薄膜太阳电池的电极,对比了电池的I-V,C-V及转换效率.发现用镍作电极时,电池效率变化不明显,但是提高了短路电流.我们认为镍作电极时,掺杂浓度有所提高,而且用镍作电极更有利于大规模生产中...
王文武武莉莉贺剑雄郑家贵宋慧瑾冯良桓蔡伟蔡亚萍黎兵李卫雷智
关键词:背电极薄膜太阳电池电池效率短路电流
文献传递
不同沉积条件下ZnTe与ZnTe:Cu复合背接触层对CdTe太阳电池性能的影响
2011年
制备高效的CdTe太阳电池,改善电池的背接触特性是一关键技术。背接触层中掺Cu能够得到性能良好的电池,但Cu在CdTe中进一步扩散,会形成缺陷,造成CdTe太阳电池性能不稳定。因此,有必要系统研究Cu原子在薄膜中的存在状态,进而有效控制Cu的浓度;另一方面,要获得良好的背接触层,必须制备出结构致密的ZnTe与ZnTe:Cu多晶薄膜。研究了衬底温度及沉积速率的变化对ZnTe:Cu薄膜质量及电池性能的影响。在常温下沉积ZnTe后,提高衬底温度沉积ZnTe:Cu对太阳能电池的影响明显,得到了转化效率达10.28%的电池。
钟永强郑家贵冯良桓王文武贺剑雄
关键词:衬底温度沉积速率碲化镉太阳电池
AlSb多晶薄膜的结构和电学性能研究
本文采用共蒸法制备出了新型薄膜太阳电池材料——AlSb多晶薄膜。通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构、掺杂类型等。分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,退火后,随着退火温...
宋慧瑾武莉莉郑家贵冯良桓雷智张静全贺剑雄夏庚培
文献传递
AlSb多晶薄膜的制备及性质被引量:1
2010年
用磁控溅射法制备了Al/Sb多层薄膜,通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、Hall效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质。XRD测试结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,而Al则以非晶态形式存在,500℃退火后化合为AlSb多晶,且沿(111)择优取向。Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明,所制备的AlSb多晶薄膜为P型材料,且载流子浓度为1019cm-3,光能隙为1.64eV,电导率随温度的变化可分为两个过程,在30℃到110℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加,而在110℃到260℃间增加明显,升温电导激活能为0.11eV和0.01eV,这与AlSb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关。将制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳电池器件中,已观察到明显的光伏效应,说明用这种方法制备的AlSb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层。
贺剑雄武莉莉夏庚培郑家贵冯良桓雷智李卫张静全黎兵
关键词:ALSB磁控溅射法退火
CdTe薄膜太阳电池背接触的研究被引量:7
2007年
用近空间升华法制备了CdTe多晶薄膜,用硝酸-磷酸(NP)混合液对薄膜表面进行了腐蚀.经SEM观测,腐蚀后的CdTe薄膜晶界变宽,XRD测试发现,经NP腐蚀后,在CdTe薄膜表面生成了一层高电导的富Te层.在腐蚀后的CdTe薄膜上分别制备了Cu,Cu/ZnTe:Cu,ZnTe:Cu,ZnTe/ZnTe:Cu四种背接触层,比较了它们对太阳电池性能的影响.结果表明,用ZnTe/ZnTe:Cu复合层作为背接触层的效果较好,获得了面积为0.5cm2,转换效率为13.38%的CdTe多晶薄膜太阳电池.
贺剑雄郑家贵李卫冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智武莉莉王文武
关键词:CDTE太阳电池
锑化铝太阳电池研究进展
本文讨论了Ⅲ-V族金属间化合物锑化铝作为太阳电池材料的可行性。评述了锑化铝薄膜的制备方法、掺杂技术、可能的太阳电池结构,以及目前达到的水平。分析了技术障碍与发展的可能性。
冯良桓武莉莉张静全蔡亚平雷智夏庚培贺剑雄郝霞
关键词:太阳电池金属间化合物
文献传递
AlSb多晶薄膜材料的性能研究被引量:8
2009年
采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜.通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能.分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,在540℃以上退火转变为AlSb相,转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比,其中NAl∶NSb为47.2∶52.8,580℃退火后的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高;测试结果表明,退火后的AlSb薄膜为p型间接带隙半导体,载流子浓度为1019cm-1,吸收系数为104,而且在升降温阶段电导率发生不可逆变化.这种薄膜用于TCO/CdS/AlSb结构的太阳电池器件中已经得到200mV左右的开路电压.
宋慧瑾贺剑雄武莉莉郑家贵冯良桓雷智
关键词:ALSB退火多晶薄膜
AlSb多晶薄膜的制备及其潮解性研究被引量:2
2010年
采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,经500℃退火后化合为P型AlSb多晶薄膜,且沿(111)择优取向,退火温度超过600℃薄膜产生局部损伤。通过台阶仪显微摄像探头及俄歇深度剖图观察和分析了薄膜的潮解现象,提出了几种保护措施。
贺剑雄武莉莉郑家贵夏庚培冯良桓张静全李卫黎兵
关键词:ALSB退火磁控溅射法
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