许仲德
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 新型的L80C86 CPU电路电磁脉冲试验方法
- 2006年
- 介绍了一种新型的CPU类器件的EMP效应模拟试验方法,通过比较脉冲前后测量波形及CPU寄存器存数的变化,能够更科学地反映电磁脉冲对CPU类电路的影响,得到的结果客观、准确。
- 郑虹刘丽娜高松丰洋许仲德
- 关键词：中央处理器电磁脉冲寄存器
- CPU-80C86电路对EMP的敏感性研究
- 介绍了首次对CPU类超大规模集成电路(VLSI)所进行的EMP效应的敏感性模拟试验,并简单描述了电磁脉冲方波注入对80C86CPU电路产生的干扰情况.
- 许仲德高松姚达蔡振陈桂梅袁凯张丽
- 关键词：CPU电磁脉冲超大规模集成电路
- 文献传递
- CPU-80C86电路对EMP的敏感性研究被引量：1
- 2004年
- 本文介绍了对CPU类超大规模集成电路 (VLSI)首次进行的EMP效应的敏感性模拟试验 ,并简单描述了电磁脉冲方波注入对
- 王天科刘霞许仲德
- 关键词：中央处理器超大规模集成电路电磁脉冲
- CMOS/SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性
- 1999年
- 以金刚石膜作为绝缘埋层， 利用金刚石膜上的薄层硅（ Ｓ Ｏ Ｄ）技术， 制作 ５４ Ｈ Ｃ Ｔ０３ Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ／ Ｓ Ｏ Ｄ 结构的集成电路． 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究． 结果表明， Ｓ Ｏ Ｄ 电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路； 常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的 Ｓ Ｏ Ｄ
- 王怀荣姚达苏秀娣许仲德陆剑侠顾长志金曾孙
- 关键词：集成电路抗辐射
- CMOS/SOD电路的高温工作特性
- 1997年
- 采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。
- 顾长志金曾孙孟强邹广田陆剑侠苏秀娣许仲德姚达王怀荣
- 关键词：金刚石膜IC
- SEU的二维数值模拟被引量：1
- 2005年
- 本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行了简要介绍。运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-On-Insulator)衬底材料进行CMOS SRAM的SEU(Single -Event Upset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性。
- 宋哲王莉陆剑侠许仲德
- 关键词：SOI抗辐射
- 扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究被引量：1
- 2004年
- 针对半导体工艺的需要 ,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。
- 王嵩宇徐宁袁凯苏秀娣许仲德李宏林厚军
- 关键词：扫描电子显微镜解理
- 带RAM的L81C55并行接口电路的研制
- 1999年
- 简介了 L81 C5 5的主要功能和制造工艺 ,并论述了 MOS管阈值电压
- 喻德顺许仲德闫玉娥
- 关键词：并行接口RAM单片机
