荆明娥
- 作品数：41 被引量：62H指数：5
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- 考虑电压降的SoC布局规划算法
- 2010年
- 针对SoC布局中的电压降问题,根据SoC布局特点以及芯片电压降物理模型,提出一种模块选择策略和目标函数共同约束算法.该算法在实现SoC布局的同时,极大降低了芯片的电压降,有效提高后端设计的收敛速度.实验结果表明了该算法的有效性.
- 陈珊珊周晓方荆明娥王琳凯
- 关键词：布局规划系统级芯片电压降
- 基于R-CNN算法的分割检测算法被引量：5
- 2020年
- 目前先进的目标检测算法大多基于R-CNN算法,如Fast R-CNN,Faster R-CNN,YOLO,SSD以及FPN+R-CNN.R-CNN算法利用了传统的Selective Search算法寻找可能包含物体的方框,将其送入CNN网络进行特征提取,以对方框内物体进行辨别.随着图片复杂度的升高和背景的多样化,Selective Search算法已无法满足精确性和实时性的要求.本文基于R-CNN算法,提出了一种优化分割检测算法.该算法将R-CNN与具有分割功能的FCN算法相结合,为目标检测算法提供了一种新的思路.测试结果与R-CNN算法相比,该算法在目标识别效果和耗时方面均有明显的提升.
- 史磊荆明娥范益波曾晓洋
- 关键词：目标识别图像分割神经网络
- 一种改进的有界模型检验子句规则被引量：1
- 2007年
- 为有界模型检验提出了改进的子句规则。在节点分类的基础上,首先对精简布尔电路表示进行逻辑化简,去掉功能冗余节点;然后识别、记录和处理多元运算的操作数,把多元运算作为单个节点直接生成子句;最后合并相邻节点,根据合并后的逻辑关系生成变量和子句。实验结果表明,改进的子句规则普遍减少了可满足性问题的变量、子句数目和运行时间。
- 尹文波荆明娥周电周晓方
- 集成电路分档成品率的效益优化模型及求解被引量：3
- 2004年
- 基于对集成电路分层成品率综合效益的考虑,提出了一种新型的效益优化模型.该模型根据客户对产品性能的要求构造了一个综合性能指标函数,把电路的可设计参数、产品分几档、如何分档作为设计参数来建立模型.针对此模型设计了一种算法,这种算法结合有效的抽样技术,在可设计域内均匀抽样,以获得最佳设计值.实验结果表明,通过适当的分档和定价会使集成电路分层成品率效益获得最大.
- 荆明娥郝跃赵天绪马佩军
- 关键词：集成电路均匀设计
- 利用近似解加速求解SAT问题的启发式完全算法被引量：7
- 2007年
- 结合DPLL完全算法能够证明可满足性(SAT)问题的不可满足性和局部搜索算法快速的优点,提出利用近似解加速求解SAT问题的启发式完全算法.首先利用局部搜索算法快速地得到一个近似解,并将该近似解作为完全算法的初始输入,用于其中分支变量的相位决策.该算法引导完全算法优先搜索近似解所在的子空间,加速解决器找到可满足解的过程,为SAT问题的求解提供了一种新的有效途径.实验结果表明,该算法有效地提高了决策的精度和SAT解决器的效率,对很多实例非常有效.
- 荆明娥周电唐璞山周晓方
- 关键词：SAT问题局部搜索
- 基于A*算法优化的片上网络源路由算法被引量：7
- 2018年
- 片上网络的路由算法目前大多都采用分布式算法,其实现较为容易但缺少路由策略的全局性.而源路由算法虽然实现较为复杂,但其路由策略能综合考虑整个片上网络的链路状态,具有高度的全局性,在宏观的计算机网络的路由策略中有广泛的应用.随着片上网络的发展,源路由算法将逐渐运用到片上网络上.本文基于A*寻路算法,提出了一种优化片上网络的源路由算法.该算法将寻路问题与路由策略相结合,为片上网络路由算法的设计提供了一种新的思路.根据测试结果可以看出该算法在效率和占用空间方面均有着明显的提升.
- 来耀荆明娥
- 关键词：片上网络路由算法源路由
- 启发式极性决策算法解SAT问题被引量：3
- 2007年
- 提出了一种启发式极性决策的可满足性问题(SAT)新算法.该算法继承了当前SAT解决器的许多策略:快速BCP、子句记录、重启动搜索等.同时,该算法通过预先根据Karnaugh图的覆盖分布计算变量极性,将其加入到DPLL的决策过程中,大大降低了搜索过程中的冲突次数.实验表明采用该算法的解决器——DiffSat,能够解决许多目前最有效的解决器Zchaff和MiniSat所不能解决的实例.尤其是对于Bart基准系列中的每个实例,DiffSat都能够在0.03s内解决,而Zchaff和MiniSat在给定的900s内不能够解决大部分实例.而且,DiffSat解决器在某些实例上的特性远远优于具有代表性的基于不完全随机算法的解决器DLM.
- 荆明娥周电唐璞山周晓方张华
- 关键词：DPLL
- 杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响被引量：2
- 2002年
- 基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ;而随着衬底掺杂浓度的提高 ,器件的抗热载流子性能降低。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅 MOS器件内的分布和拐角效应 。
- 任红霞荆明娥郝跃
- 关键词：槽栅PMOSFET抗热载流子深亚微米
- 集成电路参数成品率的预测与优化技术研究
- 本文对集成电路(IC)制造过程中的参数成品率问题进行了系统的研究,主要贡献和结果如下:在中心值设计和容差分配的基础上,提出了一种IC参数成品率的中心值设计和容差分配的耦合求解最优化方法.尽管Monte Carlo(MC)...
- 荆明娥
- 关键词：可制造性设计参数成品率
- 文献传递
- IC真实缺陷的骨架提取方法被引量：2
- 2005年
- 在集成电路制造中,光刻工艺(尤其是工艺引入的缺陷)直接影响生产的成品率.光刻工艺涉及的缺陷形状多种多样,提取缺陷并将之分类对于提高电路制造成品率是重要的.由于缺陷的骨架是描述缺陷形状及识别缺陷的重要特征,故提出一种集成电路真实缺陷骨架的提取方法,通过定义LS空间的特征值聚类分割集成电路彩色图像,使用小波分解分割集成电路灰度图像,然后基于数学形态学方法滤除分割图像的噪音并提取出缺陷的骨架.实验结果表明该方法使集成电路真实缺陷形状描述简单,从而为缺陷检测与分类提供了准确的依据.
- 王俊平郝跃荆明娥
