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王微

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 4篇淀积
  • 4篇锗硅
  • 4篇小尺寸
  • 3篇应变硅
  • 3篇晶体管
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇氧化法
  • 2篇应变SI
  • 2篇应力
  • 2篇应力弛豫
  • 2篇退火
  • 2篇硼硅玻璃
  • 2篇气相淀积
  • 2篇热退火
  • 2篇局部应力
  • 2篇快速热退火
  • 2篇化学气相淀积
  • 2篇隔离区
  • 2篇硅薄膜

机构

  • 12篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 12篇王微
  • 8篇王向展
  • 5篇曾庆平
  • 4篇罗谦
  • 4篇秦桂霞
  • 3篇甘程
  • 3篇刘斌
  • 2篇于奇
  • 2篇李竞春
  • 2篇杨洪东
  • 2篇郑良辰
  • 1篇郑良晨
  • 1篇王凯

传媒

  • 2篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法
一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(S...
王向展王微曾庆平罗谦郑良辰刘斌甘程
文献传递
一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法
一种具有高弛豫度(SiGe)缓冲层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及弛豫锗硅(SiGe)缓冲层的制备方法。该方法的特征是，采用离子注入的方法，在硅(Si)衬底和锗硅(SiGe)缓冲层界面形成一层具有黏性流动性的材料...
王向展于奇杨洪东王微
一种MOS晶体管局部应力的引入技术
一种MOS晶体管局部应力的引入技术，属于半导体器件领域，尤其涉及关于在MOS晶体管栅极下面的沟道区引入局部应力的新技术。它的特征是先将在侧墙形成工艺步骤之后的MOS器件的栅极和侧墙用氮化硅薄膜覆盖，然后在MOS器件的源漏...
王向展秦桂霞罗谦王微李竞春
文献传递
一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法
一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤：准备硅(Si)衬底；采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并...
王向展王微秦桂霞曾庆平
文献传递
有关SiGe源及CESL对纳米nMOSFET性能提高的研究
本文主要研究NMOSFET的性能提高,以SiGe作为纳米nMOS的源,能够有效降低器件的源漏电阻Rsd,进而提升器件性能.本文设计了以SiGe作为源的纳米尺寸nMOSFET,并用TCAD器件仿真软件对其进行仿真,结果表明...
王微李竞春甘程崔伟
关键词：场效应晶体管
文献传递
应变LDMOS器件的特性研究
本文通过二维仿真软件研究采用SiN薄膜在LDMOS中引入应力对器件特性的影响.通过SiN薄膜覆盖在LDMOS器件的不同器件区域来研究漂移区中引入应力对器件击穿电压的影响.仿真结果表明覆盖有应力的SiN膜的器件的跨导、驱动...
郑良晨王微曾庆平王凯刘斌甘程
关键词：应变硅击穿电压饱和电流
文献传递
天基预警雷达信号处理关键技术研究
天基预警雷达的一项重要任务是实现地面/空中动目标指示（GMTI/AMTI），但考虑到其探测覆盖范围广阔，非均匀杂波干扰严重，如何提高杂波抑制性能进而实现动目标指示成为天基预警雷达信号处理必须要面对和研究的关键技术之一。由...
王微
关键词：信号处理杂波抑制目标检测
文献传递
一种MOS晶体管局部应力的引入技术
一种MOS晶体管局部应力的引入技术，属于半导体器件领域，尤其涉及关于在MOS晶体管栅极下面的沟道区引入局部应力的新技术。它的特征是先将在侧墙形成工艺步骤之后的MOS器件的栅极和侧墙用氮化硅薄膜覆盖，然后在MOS器件的源漏...
王向展秦桂霞罗谦王微李竞春
基于超薄虚拟衬底上的应变MOS的研究
随着集成电路的发展，器件尺寸越来越小，集成电路集成度越来越高，但与此同时，半导体也面临着由材料和器件本身所带来的一些小尺寸问题。应变材料由于其特殊的能带结构，以及较小的有效质量，较低的散射率等特点，能够大大提高载流子的迁...
王微
关键词：MOS器件模拟仿真
一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法
一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤：准备硅(Si)衬底；采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并...
王向展王微秦桂霞曾庆平
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