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王大朋

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中兴通讯股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇散热
  • 3篇晶体管
  • 3篇功放
  • 3篇功放管
  • 3篇供电
  • 3篇供电臂
  • 3篇半导体
  • 2篇散热结构
  • 2篇化合物
  • 2篇半导体化合物
  • 1篇散热装置
  • 1篇化合物层

机构

  • 3篇中兴通讯股份...

作者

  • 3篇曾武
  • 3篇赵志勇
  • 3篇宗柏青
  • 3篇穆学禄
  • 3篇崔亦军
  • 3篇王大朋

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种晶体管及晶体管的散热装置
本实用新型公开了一种晶体管及晶体管的散热装置，包括：半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层，晶体管工作部件生长在...
王大朋赵志勇曾武穆学禄宗柏青崔亦军
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一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法
一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法。本发明公开一种晶体管，包括：半导体生长基底和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属层、导热层、热电偶导热装置和散热层，半导体化合物层生长在半导体生...
王大朋赵志勇曾武穆学禄宗柏青崔亦军
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一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法
一种晶体管、晶体管的散热结构以及晶体管的生产方法。本发明公开一种晶体管，包括：半导体生长基底和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属层、导热层、热电偶导热装置和散热层，半导体化合物层生长在半导体生...
王大朋赵志勇曾武穆学禄宗柏青崔亦军
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