王卫乡
- 作品数：22 被引量：105H指数：6
- 供职机构：华南师范大学信息光电子科技学院量子电子学研究所更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程机械工程更多>>
- 激光CVD纳米氮化硅的制备工艺研究被引量：5
- 1995年
- 研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程，探讨了制备工艺参数与粉末特征的关系，获得较佳的工艺参数：激光功率密度２０００Ｗ／ｃｍ２，反应气体配比ΦＮＨ３／ΦＳＨ４＝４，反应气体总流量２００ｃｍ３／ｓ，反应池压力３５ｋＰａ。
- 王卫乡刘颂豪李道火刘宗才
- 关键词：激光诱导化学气相沉积纳米级氮化硅
- 氮化硅薄膜的微结构被引量：17
- 1998年
- 利用ＴＥＭ，ＳＴＭ和ＰＤＳ显微光度计研究了ＥＣＲＰＥＣＶＤ技术制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的微结构．结果表明：在较低沉积温度下，ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜是一种纳米αＳｉ３Ｎ４薄膜，其晶粒粒度在１４—２９ｎｍ间，而且这种薄膜具有较好的表面平整度．
- 陈俊芳王卫乡刘颂豪任兆杏
- 关键词：TEMSTMPDS氮化硅微结构
- 激光合成硅粉中的分形结构被引量：1
- 1996年
- 本文对激光合成硅粉过程中出现的分形现象进行了分析，计算了其分维。
- 王卫乡吉玉泓梅宴标刘颂豪陈俊芳
- 关键词：分形硅粉
- 氮化硅薄膜表面平整度特性分析被引量：1
- 1996年
- 本文分析了ＥＣＲＰＥＣＶＤ制备的Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度特性，随着基片沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的表面平整度变好，该膜具有良好的透光性；
- 陈俊芳王卫乡刘颂豪丁振峰陶孟仙任兆杏
- 关键词：沉积温度
- 激光诱导化学气相沉积法制备纳米晶硅的制备参数和退火工艺的研究
- 2002年
- 用CO2 红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大 ,则SiH4受热温度越高 ,纳米Si的成核率越高 ,纳米Si核的密度越大 ,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少 ,从而所得的纳米Si粒小而均匀。当激光强度减小到一个低限阈值 ,则SiH4温度太低 ,不能裂解。SiH4的流速越快 ,则纳米Si成核后生长期越短 ,纳米Si粒也小而均匀。当SiH4流速快到一个高限阈值 ,则SiH4受热时间太短 ,升不到裂解所需的高温。以上 2个产生纳米Si的阈值正相关。纳米Si制取后退火脱H ,344 0cm-1光谱带红移并增强 ,2 15 0cm-1光谱带形状变化 ,110 0cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽。这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现。为了减轻含O键出现 ,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中 ,从低于 30
- 梁礼正张海燕何艳阳陈可心王卫乡刘颂豪
- 关键词：激光诱导化学气相沉积法退火工艺红外吸收光谱集成电路
- 纳米晶Si在高压下的电学性质与金属化相变被引量：2
- 1999年
- 在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法，研究了粒径为１５～１８ｎｍ和８０ｎｍ的纳米晶Ｓｉ在室温下、２４ＧＰａ内的电阻、电容与压力的关系。实验结果表明。
- 鲍忠兴何宇亮王卫乡王卫乡柳翠霞
- 关键词：纳米晶电阻电容硅
- ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究被引量：5
- 1998年
- 利用ECR－PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Si3N4膜的钝化机理。
- 陈俊芳王卫乡任兆杏丁振峰王道修宋银根
- 关键词：ECR-PECVD钝化膜功率晶体管氮化硅
- 用连续波CO_2激光对氮化硅陶瓷打孔的实验研究被引量：3
- 2000年
- 报导用连续波ＣＯ_２激光加工机对氮化硅陶瓷的激光打孔试验，获得了深径比达１８．７５的结果．
- 陈可心张有廖健宏王卫乡
- 关键词：激光加工氮化硅陶瓷激光打孔二氧化碳激光
- 激光合成纳米硅的可见发光被引量：1
- 1996年
- 研究了激光ＣＶＤ合成纳米硅（平均粒径为１４ｎｍ）的可见发光特性。用３００－４５０ｎｍ波长激发时，在４００－６５０ｎｍ区间观测到了发射宽峰。首次发现粒径大于１０ｎｍ的纳米硅在室温下具有可见发光，该现象可用量子限制／发光中心模型来作定性解释。
- 王卫乡张季波李国明吴育槐曾志坚
- 关键词：纳米硅光致发光
- 退火处理对激光诱导化学气相沉积制备纳米硅红外光谱的影响
- 2000年
- 研究激光诱导化学相沉积（ＬＩＣＶＤ）法制备纳米硅粒子的工艺过程，分析了影响纳米硅形成及尺寸的主要工艺参数，获得了最佳的工艺条件并讨论了退火处理对纳米硅红外光谱各吸收峰的强度。
- 张海燕陈可心刘颂豪梁礼正王卫乡
- 关键词：纳米硅红外光谱
