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王冬冬

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇ALGAN/...
  • 2篇氮化镓
  • 2篇导体
  • 2篇电流崩塌
  • 2篇电流崩塌效应
  • 2篇预处理
  • 2篇截止频率
  • 2篇禁带
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管性能
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体
  • 2篇反向漏电
  • 2篇半导体
  • 2篇X波段
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇HEMTS
  • 2篇场板
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇CA

机构

  • 5篇中国科学院微...

作者

  • 5篇刘新宇
  • 5篇王冬冬
  • 5篇李诚瞻
  • 4篇刘果果
  • 4篇和致经
  • 3篇郑英奎
  • 3篇黄俊
  • 3篇刘键
  • 2篇刘丹
  • 2篇魏珂
  • 1篇庞磊
  • 1篇曾轩

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域,公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法,该方法包括:在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中,在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前,采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理,...
李诚瞻魏珂刘新宇刘键刘果果郑英奎王冬冬黄俊和致经
文献传递
Carbon-Induced Deep Traps Responsible for Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
2008年
Although outstanding microwave power performance of AlGaN/GaN HEMTs has been reported,drain current collapse is still a problem. In this paper,an experiment was carried out to demonstrate one factor causing the collapse. Two AlGaN/GaN samples were annealed under N2-atmosphere with and without carbon incorporation, and the XPS measurement technique was used to determine that the concentration of carbon impurity in the latter sample was far higher than in the former. From the comparison of two Id- Vds characteristics,we conclude that carbon impurity incorporation is responsible for the severe current collapse. The carbon impurity-induced deep traps under negative gate bias stress can capture the channel carriers, which release slowly from these traps under positive bias stress,thus causing the current collapse.
庞磊李诚瞻王冬冬黄俊曾轩刘新宇刘键郑英奎和致经
一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域,公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法,该方法包括:在制作氮化镓基场效应晶体管的过程中,在对氮化镓基场效应晶体管进行钝化之前,采用混合预处理溶液对器件表面进行表面预处理,...
李诚瞻魏珂刘新宇刘键刘果果郑英奎王冬冬黄俊和致经
文献传递
X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究
2008年
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板(field plate)长度为0.4μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm。研究了Γ栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响。器件直流I-V及转移特性并不依赖场板长度变化,增加场板长度器件击穿电压提高可达108 V,器件截止频率及振荡频率下降,输出功率大幅度提高,结合器件小信号提参结果分析。8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度为0.9μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB。
王冬冬刘果果刘丹李诚瞻刘新宇和致经
关键词:ALGAN/GANHEMTS截止频率
X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究(英文)
2008年
基于SiC衬底成功研制X波段0.25μm栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,对比T型栅结构器件,研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响。结果表明,Γ栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率,但明显改善器件膝点电压和输出功率密度。针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1μm,得出一定范围内增加场板长度,器件输出功率大幅度提高,并结合器件小信号模型提参结果分析原因。在频率8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度0.9μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB。
王冬冬刘果果刘丹李诚瞻刘新宇
关键词:ALGAN/GANHEMTS截止频率
共1页<1>
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