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牛立华

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导光
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列波导
  • 1篇阵列波导光栅
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇光栅
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇AWG
  • 1篇ICP
  • 1篇波导
  • 1篇波导光栅

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇魏珂
  • 1篇曹振亚
  • 1篇王润梅
  • 1篇牛立华
  • 1篇罗明雄
  • 1篇刘训春

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术被引量：5
2003年
采用 ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚 Si O2 陡直刻蚀技术的研究 ,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题 ,刻蚀获得 12 .4 μm的陡直 Si O2 光波导剖面 ,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中 .
魏珂刘训春曹振亚王润梅罗明雄牛立华
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