柯三黄
- 作品数：14 被引量：5H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自然科学总论更多>>
- 不同晶面与应变状态下Si／Ge应变异质界面的价带能量不连续性
- 1996年
- 结合应变异质界面能带排列的平均键能理论和形变势方法，确定了三种不同衬底上生长的Ｓｉ／Ｇｅ系统在（００１）和（１１０）两种不同晶面上的价带能量不连续值（Ｅ＿ｖ）得出了Ｓｉ／Ｇｅ系统的Ｅ＿ｖ值随其衬底Ｓｉ＿ｌ－ｘＧｅ－ｘ的组分ｘ变化的定量关系结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ系统价带平均能量的不连续性（Ｅ＿ｖ，ａｖ）基本不随应变状态的不同而变化，而最高价带的Ｅ＿ｖ值则表现出对弹性应变的高度敏感性（变化量约达０．５ｅＶ），此效应主要来源于单轴应力对价带结构的影响．Ｓｉ／Ｇｅ系统在（００１）面和（１０）面上的Ｅ＿ｖ值略有差别，表现出弱的晶格取向的相关性本文对（００１）面的计算结果与新近的归一保持赝势方法的大型超原胞计算结果以及相关的实验值相当一致．
- 柯三黄黄美纯王仁智
- 关键词：半导体超晶格
- 异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用被引量：1
- 1991年
- 由半导体的LMTO能带计算平均健能E_1,并以平均键能E_1作为参考能级计算共阴离子异质结的△E值.在LMTO能带计算中采用不同处理d态的计算方法,系统地研究d态在△E,理论计算中的作用,研究结果表明,d态对主要能带的杂化程度显著地影响△E值;适当处理d态之后,以E为参考能级的△E计算方法可以得到接近于界面自洽方法(SCIC或SCSC)的准确结果。
- 王仁智黄美纯柯三黄
- 关键词：异质结
- 应变层超晶格(InAs)_n/(GaAs)_n的电子结构与价带能量不连续性被引量：1
- 1995年
- 采用内部求和d轨道处理下的线性丸盒轨道方法,对在GaAs衬底上生长的应变层越晶格(InAs)_n/(GaAs)_n(001),(n=1,2,3,4,5)的电子结构进行了第一性原理计算,得出了其能带结构、带隙值和态密度分布.本文得出的(lnAs)_1(GaAs)_1在布里渊区中各高对称点的能隙值与从头赝势方法的计算结果相一致,得出的带隙值与光致发光实验结果符合得很好.为了确定该系统的价带能量不连续值(△E_(?)),并全面考虑各因素对其的影响,本文提出一种基于自治超原胞计算及其冻结势处理下的形变势方法.该方法全面考虑了界面电荷转移(及其引起的偶极子势)和弹性应变以及自旋-轨道相互作用三方面的因素对△E_(?),值的影响.本文得出的InAs/GaAs系统的△E_(?)值为—0.201eV,与X射线光电子能谱的测量值—0.17±0.07eV相一致.
- 柯三黄黄美纯王仁智
- 关键词：砷化铟电子结构价带超晶格
- 金刚石结构晶体Λ,△轴光学声子形变势的LMTO-ASA计算
- 1992年
- 本文在LMTO-ASA 自治能带计算的基础上,采用冻结声子模型,对C、Si、Ge、Sn在A轴和△轴的光学声子形变势(ODPs)进行了第一原理计算,并考察了自治电荷密度计算中所取用的特殊k点的数目对ODPs计算结果的影响以及在Γ点附近各形变势之间的相互关系.讨论了同一材料各形变势随k的变化规律以及不同材料之间各形变势的变化趋势.
- 柯三黄王仁智黄美纯
- 关键词：金刚石晶体
- 平均键能模型的物理基础及该模型的应用
- 1996年
- 平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比较,揭示了各模型之间的相互关系,并分析了平均键能模型的优点及其局限性。在此基础上,本文应用这一模型方法对二十七种异质界面的价带偏移值进行了全面的计算,并对结果进行了广泛的分析和比较。结果表明:(1)阳离子浅d轨道是影响价带偏移理论值的一个重要因素;(2)界面偶极子势是决定异质界面价带偏移值的一个关键要素;(3)在与实验的比较上,平均键能模型的准确性优于几种其它的模型方法;(4)平均键能模型不适用于不具有sp^3杂化特性的材料系统。
- 柯三黄王仁智黄美纯
- 关键词：半导体平均键能
- 应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究被引量：2
- 1994年
- 对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）＿１（ＧａＡｓ）＿１（００１），（ＩｎＰ）＿ｎ（ＩｎＡｓ）＿ｎ（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ＿ｖ和平均键能Ｅ＿ｍ的行为，对以Ｅ＿ｍ为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验，基于这一方法，本文分别对ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡｓ和Ａｌ－Ａｓ５种化合物在３种不同的应变状态下的Ｅ＿ｍ－Ｅ＿ｖ值作了从头计算，求出了由这几种材料构成的５种应变层超晶格的ΔＥ＿ｖ值，并讨论了它们的应变效应。本文的计算结果与目前可以得到的实验结果及几个有关的界面自洽计算结果相当一致。
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- 关键词：超晶格半导体价带电子结构
- 不同晶向、厚度的超晶格界面的平均键能行为被引量：1
- 1994年
- 对三种不同晶面（（１００），（１１０）和（１１１））的超晶格（ＡｌＡｓ）＿１（ＧａＡｓ）＿１，（ＡｌＡｓ）＿３（ＧａＡｓ）＿３的电子结构进行了第一性原理的计算，采用冻结势万法系统地分析了在不同的晶向和不同的周期层厚度的情况下，超晶格界面处的电荷转移、平均键能的对齐行为和价带边的不连续性。进一步从第一性原理的数值计算上检验了以平均键能为能量参考的异质界面价带边不连续性的理论计算方法。
- 王仁智柯三黄黄美纯
- 关键词：超晶格晶向平均键能半导体
- 用平均键能确定异质结价带偏移的准确性研究
- 1994年
- 我们建议的以平均键能为参考能级的异质结价带偏移△E_v值的理论计算方法已在一系列晶格匹配的异质结的△E_v值的理论计算中获得比一般线性理论方法更准确的结果,几乎达到计算量极大的界面自洽计算方法(也称为非线性理论方法)的准确性.本文对于由AlAs和GaAs构成的AlAs/GaAs异质结的(110)、(111)以及(100)三种不同晶面的(AlAs)_3(GSAS)_3超原胞(简称SL_3),分别采用E_m为参考能级的方法和界面自洽方法进行了理论计算和比较,全面考察SL_3中的平均键能E_m对齐程度与界面结构、界面电荷转移及计算方案的关系,揭示以平均键能为参考能级的△E_v理论计算方法可达到界面自洽方法的准确性的主要原因.
- 王仁智柯三黄郑永梅黄美纯
- 关键词：异质结平均键能半导体
- Si／Ge应变层异质结价带偏移的剪裁与设计
- 1995年
- 讨论应变层异质结价带偏移的剪裁、设计方法，研究Ｓｉ／Ｇｅ应变层异质结价带偏移设计参数与应变条件的关系，基于异质结中平均键能“对齐”，得到适用于Ｓｉ／Ｇｅ异质结价带偏移剪裁与设计的计算公式和图表。
- 王仁智黄美纯柯三黄李开航
- 关键词：硅锗应变层异质结
- Si/Ge应变层异质结的价带偏移理论计算
- 1996年
- 在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以 Ge 为衬底和自由共度生长等3种不同应变情况的 Si/Ge 异质结价带偏移△E_v 值计算中,分别得到0.731eV、0.243eV 和0.521eV 的计算结果。
- 王仁智郑永梅柯三黄黄美纯朱梓忠
- 关键词：异质结半导体
