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杨海峰
作品数:
2
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张泽
北京电子显微镜实验室
韩培德
北京电子显微镜实验室
杨辉
中国科学院半导体研究所
李新峰
中国科学院半导体研究所
林耀望
中国科学院半导体研究所
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韩培德
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张泽
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年份
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1999
1篇
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分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析
被引量:2
1999年
运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构.在GaN外延层中,观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶),以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列。
韩培德
杨海峰
杨辉
林耀望
张泽
李新峰
周增圻
关键词:
砷化镓
电子显微分析
分子束外延
半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析
被引量:1
1998年
运用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HREM)对金属有机化学气相沉积(MOCVD)的(0001)GaN/(111)MgAl2O4异质结构中的缓冲层进行了观察和分析。
韩培德
杨海峰
张泽
段树坤
滕学公
关键词:
氮化镓
缓冲层
透射电子显微镜
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