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李骏

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇低能
  • 1篇低能电子
  • 1篇电离
  • 1篇电离过程
  • 1篇电子关联
  • 1篇正电子
  • 1篇体物
  • 1篇外区
  • 1篇里德
  • 1篇量子
  • 1篇量子态
  • 1篇晶格
  • 1篇矩阵
  • 1篇类氢离子
  • 1篇光晶格
  • 1篇R矩阵
  • 1篇操控

机构

  • 3篇中国科学技术...

作者

  • 3篇李骏
  • 1篇叶邦角
  • 1篇黄世娟
  • 1篇刘建党
  • 1篇张文帅

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
冷原子系综内基于里德堡阻塞机制的单量子态制备与操控
实现大尺度的量子通信和量子网络，是当前量子信息技术研究的核心内容之一，量子中继在其中起到至关重要的作用。冷原子系综是一个十分有希望用于构建量子中继系统的物理体系，然而其现有的实现方案具有不可避免的概率性缺陷。通过引入里德...
李骏
关键词：光晶格
完美晶体中正电子体寿命计算的几种方法的分析与比较
2014年
以正电子寿命为探测对象的正电子湮没寿命谱技术在研究半导体等材料的微缺陷方面得到了广泛的应用,它对晶体的结构类型、缺陷种类以及温度等十分敏感,因此,理论上正电子寿命的快速精确计算与实验数据的结合分析显得尤为重要.采用中性原子叠加模型、赝势方法和全势方法处理正电子局域势能,有限差分方法自洽求解正电子波函数,局域密度近似和广义梯度近似处理正电子电子关联势和增强因子,以体心立方结构的α-Fe、面心立方结构的Al和复式面心立方结构的Si三种单晶固体为例,分别计算了它们的正电子体寿命,计算值与相应的实验结果和其他计算结果均符合较好.同时细致分析了这几种方法在电子密度网格点精度、正电子电子关联势和增强因子等方面对正电子体寿命计算的影响,探讨了这几种方法在计算正电子体寿命方面各自的优缺点.
黄世娟张文帅刘建党张杰李骏叶邦角
低能电子/光子与类氢离子散射的外区复坐标变换及R矩阵方法研究
原子分子碰撞过程与天体物理、等离子体物理等都有着紧密的联系。随着实验技术的不断发展，人类已经在天体环境、等离子体环境中测得了大量原子分子碰撞的实验数据，同时也需要大量的高精度理论原子碰撞数据来解释这些实验结果，因此研究天...
李骏
关键词：类氢离子
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