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李萌

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇存储器
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇驱动电路
  • 1篇可靠性
  • 1篇高阻
  • 1篇RRAM
  • 1篇擦除

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇林殷茵
  • 2篇李萌
  • 1篇吴雨欣
  • 1篇陈刚

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种基于阻变单元特性的阻变存储器修复方案
2012年
针对新型阻变存储器(RRAM)工艺良率不高的问题,提出了一种新型的修复解决方案,该方案基于阻变单元的特殊性能,即初始状态为高阻,经过单元初始化操作过程后转变为低阻。利用这样特性的阻变单元作为错误检测位、冗余单元作为修复位,提出了三种不同的组织结构来实现修复操作。三种结构由于主存储器、检验位存储器及冗余存储器的组织方式不同,达到了不同的冗余存储器利用率。最后,通过数学分析可以证明,该方案在利用了较少冗余存储器的条件下,可以将阻变存储器的错误率普遍降低10~30倍,实现了较好的修复效果。
李萌陈刚林殷茵
一种提高阻变存储器擦除可靠性的写电路设计被引量:4
2011年
针对现有阻变存储器中严重影响擦除操作可靠性的"写回"现象,结合测试数据、材料特性及电路原理分析了引起这种现象的主要原因,给出了一种加入"擦除反馈"功能的写电路设计方案。该方案能够对擦除操作进行监控,一旦发现操作完成,立即使用反馈电路关闭写驱动的输出以停止擦除操作,防止"写回"现象。优化后的写电路方案在0.13μm标准CMOS工艺下进行了流片验证。通过测试数据的分析对比,可以看到相比传统的写电路方案,采用文中的电路设计能明显降低"写回失效"的可能,大幅度提高擦除操作的可靠性。
吴雨欣李萌林殷茵
共1页<1>
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