李耀东
- 作品数：3 被引量：28H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 300mm硅片化学机械抛光技术分析被引量：18
- 2006年
- 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。
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- 关键词：化学机械抛光超大规模集成电路硅片
- 双面抛光工艺中压力对300mm硅片表面形貌的影响被引量：10
- 2006年
- 利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固-液混合接触区时,协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系,使之达到平衡,可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。
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- 关键词：硅片表面形貌
- 大尺寸硅片边缘抛光技术被引量：1
- 2016年
- 重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微镜观察抛光片的边缘形貌,使用三维光学表面分析仪对抛光片的表面粗糙度进行测量,之后对抛光后的样品进行外延加工,对比经过不同加工方式的抛光后硅片边缘损伤的残留程度。结果表明,酸腐蚀能够去除硅片边缘绝大部分的损伤,机械抛光会重新带入机械损伤,机械抛光后再进行化学机械抛光能彻底消除硅片边缘的损伤层,但相对成本较高。化学机械抛光也能够彻底去除硅片边缘的损伤层,是大尺寸衬底硅片边缘抛光的最优加工工艺。
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- 关键词：硅片机械抛光
