朱炳金
- 作品数：7 被引量：22H指数：4
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- 六硼化镧薄膜场致发射的特性被引量：4
- 2008年
- 阵列薄膜是在制备好的尖锥阵列上沉积其他材料的薄膜,以提高场发射阴极性能,它是一种有效的提高场发射阴极性能的方法。在n型硅片上先后采用氧化、光刻、干法刻蚀、氧化削尖等工艺,制备出曲率半径很小的硅尖锥场发射阵列,硅阵列中每个硅尖锥的底半径约2μm,锥高约1.04μm,每个硅尖之间间隔6μm,尖端的曲率半径约50nm,锥角约56°,尖锥阵列的密度约106/cm2。为了降低硅尖锥的功函数及提高抗离子轰击能力,通过电子束蒸发在硅尖阵列上沉积六硼化镧(LaB6)薄膜,薄膜的厚度大约50nm,锥尖曲率半径变为约111nm。X射线衍射(XRD)分析结果表明,电子束沉积在硅尖端的LaB6具有良好的结晶特性。硅尖锥及不同的真空度下阵列薄膜的场致发射I-V特性及电流发射稳定性的测试结果表明:沉积LaB6的薄膜阴极阵列的总发射电流达到125μA,是纯硅尖锥阵列125倍。并且硅阵列六硼化镧薄膜具有良好的场发射稳定性,是一种理想的薄膜场发射阵列。
- 朱炳金陈泽祥张强王小菊于涛
- 关键词：电子束蒸发场致发射
- 碳纳米管场致发射中的空间电荷效应被引量：6
- 2008年
- 采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法成功制备以碳纳米管束为单元的场致发射阵列,获得很好的场致发射电流发射特性,在电流密度较大时,发现I-V特性偏离由Fowler-Nordheim公式计算出的结果。采用Electron Beam Simulation(EBS)软件进行模拟分析发现:在电流密度较低时,I-V特性能很好与F-N公式吻合。但碳纳米管尖端电流密度大于106A/cm2时,碳纳米管尖端处的有效电场强度受空间电荷的影响比较明显,进而对碳纳米管的场致发射特性显现出不可忽略的影响,此时碳纳米管的发射电流密度开始受到空间电荷的限制。
- 张强陈泽祥朱炳金王小菊于涛
- 关键词：空间电荷效应碳纳米管场致发射微波等离子体化学气相沉积
- 六硼化镧薄膜的制备及发射特性研究
- 阴极是电子源的核心部件。随着电子源在各领域的广泛应用，对电子源的要求越来越高，相应地，对阴极的要求也越来越苛刻。如要求发射电流密度大、束流品质好的电子源,以获得很高亮度的电子束。目前阴极的实现方案很多，其中在材料基底上敷...
- 朱炳金
- 文献传递
- 六硼化镧薄膜的制备及发射特性的研究被引量：4
- 2007年
- 用阴极电泳的方法在Re衬底上制备了LaB6薄膜,用扫描电镜、X射线光电子能谱对样品的表面状况、化学组分进行了分析。经过真空烧结,采用真空热电子发射法测出了LaB6薄膜的逸出功。使用Richardson直线法测量薄膜的逸出功为2.56 eV,具有良好的电子发射性能。
- 朱炳金陈泽祥张强
- 关键词：真空烧结电泳逸出功
- 六硼化镧薄膜的制备及发射特性的研究
- 阴极是电子源的核心部件。随着电子源在各领域的广泛应用,对电子源的要求越来越高,相应地,对阴极的要求也越来越苛刻。如要求发射电流密度大、束流品质好的电子源,以获得很高亮度的电子束。目前阴极的实现方案很多,其中在材料基底上敷...
- 朱炳金
- 关键词：薄膜阴极电泳法电子束蒸发
- 文献传递
- LaB_6薄膜的制备工艺研究被引量：2
- 2008年
- 分别用电子束蒸发和电泳的方法在不同的衬底上制备出了LaB6薄膜,用扫描电镜(SEM)对样品表面形貌进行了分析,同时利用x射线衍射(XRD)分析了成膜参数衬底温度以及退火处理对LaB6薄膜结晶性能的影响。结果表明,所得样品为LaB6多晶薄膜,合适的衬底温度和退火处理能够提高LaB6薄膜的结晶质量。并对两种成膜方式进行了比较。
- 朱炳金陈泽祥张强
- 关键词：电子束蒸发电泳多晶XRD
- 大电流密度碳纳米管场致发射阴极阵列的研制被引量：10
- 2006年
- 设计了一种由TiN,Al,Fe和牺牲层构成的堆栈式催化剂层结构,采用微波等离子体化学气相沉积法实现碳纳米管阵列高速笔直生长。SEM和TEM结果表明,生长出来的碳纳米管为典型的多壁碳纳米管,长度和直径均匀,排列整齐并垂直于基底,生长速率大于5μm/min,晶格缺陷少。场致发射测试结果表明:碳纳米管的发射阵列具有良好的电流发射稳定性,最大电流密度大于6 A/cm2。紫外光电子能谱法(UPS)测试出碳纳米管的功函数为4.59 eV,则相应的场致发射陈列的场增强因子大于1 400。
- 陈泽祥曹贵川张强朱炳金林祖伦
- 关键词：碳纳米管化学气相沉积法场致发射加速器
