朱友华
- 作品数：53 被引量：29H指数：3
- 供职机构：南通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省产学研联合创新资金项目江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>
- 实验室开放管理的探索与实践
- 2016年
- 高校实验室是进行实验实践教学的重要场所,实验室的开放共享为学生提供更加轻松的环境,优化了实验教学,增强了学生的探究意愿,对培养学生的创新思维,提升学生的综合素质,提高学生的实践创造能力具有重要意义。本文对实验室开放的制度和管理及成效等进行了研究。
- 王美玉朱友华施敏曹青华管叶青
- 关键词：实验室管理
- 一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管
- 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有In<Sub>x</...
- 李毅钱星鹏朱友华王美玉
- 4-inch蓝宝石图形衬底上GaN基白光LED制备及表征
- 2020年
- 在4-inch蓝宝石图形衬底上,基于InGaN/GaN多量子阱结构制备了蓝光LED芯片,并通过与钇铝石榴石黄色荧光粉(YAG∶Ce3+)结合,封装成白光LED器件。简要介绍了外延生长和芯片工艺及封装流程,并对材料特性及器件性能进行了表征。外延片表面形貌良好,蓝光外延片荧光光谱(PL)显示峰值波长为442 nm。对封装后白光芯片进行电学特性测试,得出其开启与限流电压分别为2.7 V与3.6 V。此外,电致发光光谱(EL)含有两个主要的发光峰,分别是440 nm的蓝光峰以及540 nm的黄绿光峰,而随着注入电流的增加,蓝光峰位先蓝移后红移,黄绿光峰位先红移后蓝移再红移。本文中相关的芯片制备及表征技术将对固态照明研究起到一定的促进作用。
- 朱友华刘轩王美玉李毅
- 关键词：GANYAG荧光粉白光LED
- 基于DBR结构的蓝光及白光GaN LED的制备及光学性能改善被引量：1
- 2023年
- 为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO_(2)/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400~660 nm波长内平均反射率超过99.3%,其反射带宽度达到231 nm。测试并比较了封装后的基于DBR结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流-光输出功率(I-L)特性测试,发现具有17周期DBR结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%,而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100 mA的直流注入电流下,蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9 mW和108.4 mW。
- 胡涛朱友华钟岱山王美玉李毅
- 关键词：离子辅助沉积光输出功率
- 单向数据传输的可移动存储器及方法
- 作为计算机安全方面的常识，无论采取多么严密的防范手段和措施，只要特定的计算机与外界存在网络联系，则总有各种各样的安全漏洞，无法完全保证内网计算机、特定计算机的安全。再完美的防火墙、VPN，都难以绝对能保证内网计算机、特定...
- 王志亮龚俊帅张洁陈旭张振娟许鹏邵海宝邓洪海朱海峰黄静陈云马青兰朱友华郭兴龙秦琳葛梅
- 文献传递
- 通信工程专业光纤通信课程的教学改革研究被引量：5
- 2015年
- 光纤通信课程是一门多学科交叉渗透的专业课,具有内容涉及门类广、基础理论深、知识更新快等特点。随着通信技术的飞速发展,对于本科光纤通信课程的教学提出了更高的要求,本文深刻分析了光纤通信在当前教学工作中存在的问题,并就通信工程这个专业中光纤通信课程的教学模式提出了一些尝试性的改革方案。
- 朱晓军季彦呈曹娟陈俊杰朱友华
- 关键词：光纤通信通信工程专业教学方法
- 浅析大学生实习面临的问题和对策
- 2014年
- 大学生校外实习是培养高素质技能型人才的重要教学环节。对于实习中出现的一些问题,政府、企业、学校、学生自身都要齐心协力,解决好实习中面临的各种问题,有效地保证实习的教学质量。
- 王美玉朱友华许鹏
- 关键词：大学生
- 一种复合结构长周期光纤光栅
- 本发明公开了一种复合结构长周期光纤光栅，包括纤芯，包覆在所述纤芯外部的光纤包层及包覆在所述光纤包层外部的光纤涂覆层，所述纤芯为上下错位复合结构形成的长周期光纤光栅的纤芯。本发明的一种复合结构长周期光纤光栅，具有良好的环境...
- 朱晓军章国安徐晨朱友华曹张华梁志鹏
- 文献传递
- 一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管
- 本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，至少包含：n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层，其特征在于：所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构，从下到上依次为...
- 李毅朱友华王美玉胡涛葛梅
- 文献传递
- 终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响被引量：1
- 2021年
- 为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(L_(FP))和绝缘层厚度(T_(FP))及GaN漂移区掺杂浓度(N_(D))条件下仿真了器件的击穿电压,通过器件表面电场分布情况确认了BV的变化趋势。结果表明:当T_(FP)=0.3μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3),L_(FP)从0增加到2.0μm时,SBD的BV逐渐升高,在L_(FP)=1.6μm时达到阈值;当L_(FP)=1.6μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3),T_(FP)从0.1μm增加到0.4μm,SBD的BV先上升后减小,在T_(FP)=0.3μm时达到最大值;当L_(FP)=1.6μm,T_(FP)=0.3μm,N_(D)从1×10^(16)cm^(-3)增加到1×10^(19)cm^(-3)时,SBD的BV逐渐减小。相比于传统无场板型GaN-SBD,该终端场板型GaN-SBD的BV在L_(FP)=1.6μm,T_(FP)=0.3μm,N_(D)=1×10^(16)cm^(-3)的条件下可达到840 V。研究进一步表明:通过优化器件结构,其场板效应可延伸至阳极下方的耗尽区,有效减缓了阳极边角处的电流拥挤。
- 朱友华薛海峰王美玉李毅
- 关键词：场板结构氮化镓肖特基势垒二极管击穿电压
