朱修殿
- 作品数：7 被引量：14H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究
- GaN基材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度大、导热性能好等优良特性，因而利用AlGaN/GaN异质结制作的HEMT(高电子迁移率晶体管)引起了人们的广泛关注。利用AlGaN/GaNHEMT制作的大功率微波器...
- 朱修殿
- 关键词：半导体材料小信号模型氮化镓基材料
- 文献传递
- 基于ISE的AlGaN／GaN HEMT的C-V转移特性模拟
- 2006年
- 主要叙述了在ISE软件平台上对AlGaN／GaN HEMT的转移特性以及C—V特性的模拟．首先实现了通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应的模拟．其次,在此基础上改变了的AlGaN／GaN HEMT中spacer层的厚度,分别模拟了器件的转移特性和C-V特性．从结果得知,随着spacer层厚度的增加器件的跨导和电容均有所降低,所以应该在不同的应用领域选择不同的spacer层厚度．
- 鲁小妹吕长志张小玲朱修殿刘婧许鸿鹤
- 关键词：ALGAN/GANISETCADSPACER
- 基于SoC设计的软硬件协同验证方法学被引量：13
- 2006年
- 文章介绍了软硬件协同验证方法学及其验证流程。在软件方面,采用了一套完整的软件编译调试仿真工具链,它包括处理器的仿真虚拟原型和基本的汇编、链接、调试器;在硬件方面,对软件调试好的应用程序进行RTL仿真、综合,并最终在SoC设计的硬件映像加速器(FPGA)上实现并验证。
- 赵刚侯立刚刘源朱修殿吴武臣
- 关键词：软硬件协同验证
- AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
- 2005年
- 研究了20℃￣-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaNHEMT的直流特性。随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。
- 张浩吕长志朱修殿徐立国杨集
- 关键词：ALGAN/GANHEMT阈值电压
- 不同Al组分AlGaN/GaN HEMT的模拟与分析
- 本文主要叙述了在ISE软件平台上对不同Al组分AlGaN/GaNHEMT的转移特性的模拟以及对模拟结果的分析.首先实现了在成熟的模拟软件中,通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应进行了模拟.其次,通过考虑极化前后的转移特...
- 鲁小妹吕长志朱修殿张小玲
- 关键词：ALGANHEMTISETCADAL组分
- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT高温特性的研究进展被引量：1
- 2006年
- 回顾了在高温条件下AlGaN/GaN HEMT器件特性的研究进展。发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、衬底及其器件的封装形式也影响器件的高温特性。最后总结了适合高温下工作的AlGaN/GaN HEMT的改进方法。
- 朱修殿吕长志鲁小妹张小玲张浩徐立国
- 关键词：AIGAN/GAN高电子迁移率晶体管二维电子气
- 蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT低温特性研究
- 本文研究了栅长为1μm的蓝宝石衬底AlGaN/GaNHEMT的室温～-70℃低温直流特性.阈值电压随温度的降低而下降且低于-30℃下降明显;饱和漏极电流随温度的降低而增大,增大的百分比为40.58﹪;拐点电压随温度的降低...
- 朱修殿鲁小妹张浩吕长志张小玲
- 关键词：二维电子气电子信息技术蓝宝石衬底
- 文献传递
