曹培江
- 作品数：7 被引量：22H指数：4
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 射频磁控溅射和N离子注入方法合成CN<,x>膜及其表征
- 使用射频磁控溅射方法和N离子注入方法合成了CN<,x>膜,使RAMAN光谱、XPS光谱、FTIR光谱、AFM和CSR-01划痕试验机对合成CN<,x>膜进行了表征.对于射频磁控溅射方法沉积的CN<,x>膜RAMAN光谱、...
- 曹培江
- 关键词：FTIR光谱
- 文献传递
- 甲醇在热阴极DC-PCVD方法制备金刚石膜过程中的作用被引量：5
- 2002年
- 采用热阴极 DC-PCVD方法制备了金刚石膜 ,研究了甲醇对放电状态和金刚石膜生长特性的影响 .结果表明 ,通入适量的甲醇有利于稳定辉光放电状态 ,保持阴极清洁 ,提高膜的生长质量 .
- 姜志刚金曾孙白亦真曹培江张露杨广亮李俊杰吕宪义
- 关键词：甲醇辉光放电金刚石膜
- Mo膜上金刚石膜生长特性研究
- 该文对Mo膜上金刚石膜的生长特性作了较系统的研究.主要工作包括:采用热灯丝化学气相沉积方法,以甲烷和氢气为原料气体,在Si衬底上制备出具有各种结晶与生长特性的金刚石膜.对溅射于镜面单晶Si上的Mo膜和溅射于镜面抛光金刚石...
- 曹培江
- 关键词：金刚石膜
- 射频磁控溅射CN_x薄膜的结构与衬底温度关系的研究被引量：6
- 2002年
- 使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 .Raman光谱结果表明 ,随衬底温度 ( ts)增加 ,D带向低频方向移动 ,G带向高频方向移动 ;它们的半高宽分别由 375和 1 5 0 cm- 1减小至 32 8和 1 4 2 cm- 1 ;ID/IG 由 3.76减小至 2 .88.FTIR谱中除无序 D带 ( 1 4 0 0 cm- 1 )和石墨 G带 ( 1 5 70 cm- 1 )外 ,还有～ 70 0 cm- 1 ,～ 2 2 1 0 cm- 1 ( C≡ N) ,2 330 cm- 1 ( C—O)及 3 2 5 5～ 335 1 cm- 1 ( N—H)等峰 .XPS测试结果表明 :随衬底温度增加 ,N与 C的物质的量比由 0 .4 9下降至 0 .38,sp2 ( C—N)组分与 sp3( C—N)组分强度比呈增大趋势 .低温 ( 35 0℃ )退火并未对CNx 膜的化学结合状态产生较大影响 ;高温 ( 90 0℃ )
- 曹培江姜志刚李俊杰金曾孙王欣郑伟涛李哲奎
- 关键词：射频磁控溅射氮化碳薄膜衬底温度退火温度FTIRXPS
- 底成本高品质金刚石膜生长技术和热沉应用
- 金曾孙顾长志吕宪义白亦真姜志刚王佳宇纪红曹培江杨广亮孙越
- 该项目为“863”新材料领域重大项目，该项目建立低成本高导热金刚石膜的制备方法和制备技术，即用直流热阴极PCVD方法实现高导热大面积金刚石膜的快速生长。采用微波PCVD方法制备大面积高纯金刚石薄膜，满足SOD材料的制备要...
- 关键词：
- 关键词：金刚石膜热沉
- N离子注入金刚石膜方法合成的CN_x膜的成键结构被引量：5
- 2001年
- 使用 N离子 (能量分别为 1 0 ke V,60 ke V)注入金刚石膜方法合成 CNx 膜 ,用 Raman光谱和 XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构 .结果表明 ,金刚石膜经 1 0 ke V N离子注入后 ,在 Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰 (1 332 cm- 1)和一个弱的石墨峰 (G带 ,～ 1 550 cm- 1) .而 XPS N1s资料显示两个主峰分别位于～ 398.5e V和～ 40 0 .0 e V.金刚石膜经 60 ke V N离子注入后 ,N1s XPS光谱中的主峰位于～ 40 0 .0 e V;相应地 ,Raman光谱中的石墨峰变得较强 .通过比较 ,对注入样品的 XPS谱中 N1s的成键结构作如下归属 :～ 40 0 .0e V属于 sp2 C— N键 ;～ 398.5e V则属于 sp3C—N键 .
- 曹培江姜志刚李俊杰金曾孙王欣郑伟涛牟宗信董闯李哲奎
- 关键词：金刚石膜氮化碳薄膜RAMAN光谱
- 轰击离子能量对CN_x薄膜中sp^3型C—N键含量的影响被引量：8
- 2003年
- 对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CN_x薄膜样品的化学键合及结构进行了研究,利用不同的衬底负偏压(V_h)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态。样品的FTIR,Ra-man和XPS分析结果表明,CN_x薄膜中N原子分别与sp,sp^2和sp^3杂化状态的C原子结合,其中sp^3型C—N键含量先随着衬底偏压(V_b)的升高而增加,并在偏压V_b=-50V时达到最大值,但随着V_b继续升高,sp^3型C—N键含量减少,这表明CN_x薄膜中,sp^3型C—N键的含量与轰击离子的能量变化密切相关。
- 李俊杰曹培江郑伟涛吕宪义卞海蛟金曾孙
- 关键词：化学键合氮化碳薄膜
