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彭长四
作品数:
79
被引量:9
H指数:2
供职机构:
苏州大学
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发文基金:
国家自然科学基金
江苏省普通高校研究生科研创新计划项目
江苏省高校自然科学研究项目
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相关领域:
理学
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
王艳艳
苏州大学
陈林森
苏州大学
张锋
苏州大学
刘维萍
苏州大学信息光学工程研究所
顾小勇
苏州大学信息光学工程研究所
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作者
79篇
彭长四
32篇
王艳艳
18篇
陈林森
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张锋
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张伟
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顾小勇
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2011
1篇
2002
1篇
2001
2篇
1999
1篇
1998
2篇
1997
共
79
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超疏水超亲油过滤膜及其制备方法和使用
本发明涉及一种超疏水超亲油过滤膜,包括多孔网状基底,多孔网状基底的表面沉积有无定形碳薄膜,无定形碳薄膜的外侧修饰有二氧化硅,二氧化硅的表面修饰有疏水层。本发明还公开了其制备方法:烘烤多孔网状基底的表面,使其表面沉积无定形...
石震武
张锋
吴竹慧
徐成云
彭长四
文献传递
原位激光干涉定位生长高质量外延半导体量子点
通过将激光干涉直写纳米图形化(DLINP)技术嫁接到分子束外延上,InAs二维浸润层生长过程中,通过DLINP光致电激发诱导表面InAs从GaAs衬底选择性脱附形成量子点,定位生长了缺陷密度不高于自组织生长的InAs量子...
彭长四
石震武
霍大云
邓长威
陈晨
杨琳韵
一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物
本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物,包括以下步骤:S1、设置第一温度,在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs,1.4<n<1.7;S2、设置第二温度,进行...
石震武
耿彪
彭长四
祁秋月
张高俊
朱泽群
韩照祥
一种有序半导体量子点制备方法及装置
本发明所提供的有序半导体量子点制备方法,利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象,通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热,不涉及刻蚀过程,量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定,故其有序可控性有极大的保障;...
石震武
庄思怡
彭长四
杨新宁
缪力力
耿彪
祁秋月
一种基于还原氧化石墨烯的气体传感器及其制备方法
一种基于还原氧化石墨烯的气体传感器及其制备方法,超声制备氧化石墨烯分散液,采用苯胺对氧化石墨进行还原,并将所得到的还原氧化石墨烯有机溶剂分散液滴加到电极表面,从而得到还原氧化石墨烯气体传感器。本发明所制备的还原氧化石墨烯...
王艳艳
彭长四
陈林森
顾小勇
刘维萍
文献传递
一种基于还原氧化石墨烯的气体传感器及其制备方法
本发明属于传感器技术领域,公开了一种基于还原氧化石墨烯的气体传感器及其制备方法,首先将氧化石墨烯在混合溶剂中超声分散,形成单片分散的悬浮液,加入吡咯继续反应,得到还原氧化石墨烯的固体粉末,分散至有机溶剂中形成分散液,取分...
王艳艳
彭长四
陈林森
张锋
元磊
文献传递
一种胶黏剂复合耐磨超疏水涂层及其制备方法
本发明公开了一种胶黏剂复合耐磨超疏水涂层及其制备方法,将胶黏剂涂在刚性基底上,再压入纳米二氧化硅,得到胶黏剂复合耐磨超疏水涂层,刚性基底为玻璃;胶黏剂为硅橡胶、水性漆、水性不干胶、502胶水、环氧树脂AB胶中的一种或几种...
王艳艳
徐志勇
唐兴杰
彭长四
文献传递
光场图形化诱导纳米结构阵列外延制备
纳米材料制造的传统方法涉及自上而下的光刻图形化和(或)自下而上的自组装。(1)将光刻图形化转移到材料所需的蚀刻过程在原子尺度上引发的晶格破坏和化学污染,是永远不能完全去除的。因此,在晶圆外延质量级别上说,光刻图形化之后的...
彭长四
石震武
庄思怡
耿彪
祁秋月
Si(001)衬底上GeSi外延膜的Crosshatch起源研究
本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足.
陈弘
李永康
彭长四
刘洪飞
黄绮
周均铭
关键词:
SI衬底
分子束外延生长
文献传递
一种自清洁光栅玻璃的制备方法
本发明提供了一种自清洁光栅玻璃的制备方法,包括以下步骤:A)将光栅玻璃依次进行亲水性处理与氨基化处理;B)将步骤A)得到的光栅玻璃依次进行氧化石墨烯的组装与还原处理;C)将步骤B)得到的光栅玻璃进行二氧化钛的组装;D)将...
王艳艳
彭长四
浦东林
戎晨
李权
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