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彭立波

作品数:10 被引量:10H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
发文基金:湖南省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇注入机
  • 5篇离子注入
  • 4篇离子注入机
  • 2篇离子
  • 2篇离子源
  • 2篇溅射
  • 2篇高温
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶圆
  • 1篇电子束曝光
  • 1篇电子束曝光机
  • 1篇迭代
  • 1篇迭代算法
  • 1篇镀膜
  • 1篇镀膜设备
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇信号处理系统

机构

  • 9篇中国电子科技...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 10篇彭立波
  • 4篇张赛
  • 3篇易文杰
  • 3篇孙雪平
  • 3篇钟新华
  • 2篇毛朝斌
  • 2篇程文进
  • 2篇罗才旺
  • 2篇胡凡
  • 2篇佘鹏程
  • 1篇陈峰武
  • 1篇陈特超
  • 1篇胡振东
  • 1篇袁卫华
  • 1篇魏唯
  • 1篇陈庆广
  • 1篇巩小亮
  • 1篇张进学
  • 1篇范江华

传媒

  • 8篇电子工业专用...
  • 1篇自动化博览
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2001
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高温MOCVD外延生长AlN材料研究被引量:1
2017年
采用自主研制的量产型高温MOCVD设备进行AlN的外延生长,重点研究高温生长对于Al N质量的提升,以及Al N生长速率的控制规律。结果表明:生长温度的提高对于Al N晶体质量的提升和表面粗糙度的减小有着重要影响,而Al N的生长速率受到温度、反应室压力和载气比例的综合影响;经过工艺优化后的Al N外延材料(002)面和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别达到80 arcsec和775 arcsec,表明高温MOCVD生长技术可以实现量产化高质量AlN外延材料的制备。
程文进巩小亮陈峰武彭立波魏唯
关键词:ALN晶体质量生长速率
宽带束离子注入机均匀性调节与控制方法研究
2016年
宽带束离子注入机的均匀性调节系统由线圈磁铁组及可调磁极组组成,通过分析调节原理,结合实际调试中获得的可调磁极组中单个磁极调节的束流均匀性影响曲线,拟合曲线,建立束流均匀性影响模型,进一步推导出调节模型。在实际应用中,设计合理的控制方法,根据束流的实际情况,采用内/外插值法,适时调节束流均匀性影响模型参数组,可改善模型的适应性。经过测试表明,采用基于束流均匀性调节模型的迭代调节方法,可实现束流均匀性调节,测试注入300 mm硅片的方块电阻均匀性达到1.17%。
彭立波钟新华张赛张进学
关键词:离子注入机迭代算法
SiC高温高能离子注入机的离子源热场研究被引量:1
2017年
高温高能离子注入机是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,离子源直接影响整机的性能指标。为保证离子源的长寿命和大束流,针对SiC高温高能离子注入机中的离子源热场问题,采用仿真软件对灯丝、阴极帽和AlX罩的热场、热变形进行了研究,提出了离子源运用过程中的注意事项及改进设计。
彭立波张赛易文杰罗才旺孙雪平
关键词:离子注入机离子源
扫描式磁控溅射设备及工艺研究被引量:2
2017年
介绍了一种扫描式双腔连续生产型磁控溅射镀膜设备,通过研究不同溅射压强、溅射功率密度下金属薄膜的沉积速率以及沉膜均匀性,实验结果表明在溅射压强0.3 Pa、溅射功率密度9 W/cm^2的条件下沉积TiW薄膜的沉膜速率约41.5 nm/min,均匀性低于4%;沉积Cu薄膜的沉膜速率约95.2 nm/min,均匀性低于3%,符合电子器件镀膜工艺需求。
范江华胡凡彭立波程文进佘鹏程毛朝斌
关键词:磁控溅射
单晶圆注入机注入角度测量与补偿系统设计
2017年
在超大规模集成电路生产线宽45 nm及以下的注入工艺环节中,离子束注入晶圆角度精度控制变得愈显重要,注入角度的细小差别引起掺杂元素在晶体管中的分布深度和范围的变化,进而导致器件参数和性能的巨大变化。研究表明注入角度控制取决于对注入离子束与晶圆面法线间水平和竖直方向角度测算的精确度;系统能精确测量出离子束注入角度,然后通过补偿驱动旋转靶台到相应需求的角度后注入,满足工艺需求。
袁卫华钟新华彭立波
关键词:单晶圆注入机
平行束磁透镜的研究
2016年
离子注入机单纯的静电扫描造成注入角度的不一,已经不能满足器件性能的一致性要求,所以产生平行的离子束就很重要,为此介绍一种均匀磁场下的平行束磁透镜,可以产生近似平行的离子束;获得离子束的平行度小于0.43°,满足大规模集成电路制造生产线的使用要求。
胡振东孙雪平彭立波
关键词:磁透镜离子注入
多靶磁控溅射镀膜设备及其特性被引量:2
2016年
介绍了一种多靶磁控溅射镀膜设备,阐述了镀膜室、工件台、阴极溅射靶、辅助离子源、真空系统等关键部件的设计思想。镀膜工艺结果显示,设备满足工艺要求,膜层均匀性优于±3%。
佘鹏程陈庆广胡凡陈特超彭立波张赛毛朝斌
关键词:磁控溅射离子源
扫描显像控制和图形信号处理系统
介绍扫描显像的基本原理,亚微米电子束曝光机对扫描显像系统的基本要求,扫描显像系统的基本组成部分和实现的功能.对今后扫描显像系统的设计提出了建议.
彭立波
关键词:电子束曝光机控制系统信号发生器
文献传递
离子注入机质量分析器线包温度场研究被引量:1
2014年
利用有限元分析软件对离子注入机线包的温度场进行了数值计算,发现4个60匝50 mm高的线圈即可产生所需磁场。同时对处于水冷板与铜线圈之间的绝缘树脂的厚度和导热系数对线圈温度场的影响进行了研究,发现绝缘树脂厚度的增加会使线圈温度急剧升高,而选择高导热系数的绝缘树脂可以显著降低线圈温度。因此需要在制作线包时要严格保证树脂厚度,同时尽量选取导热性能好的绝缘树脂。
彭立波张赛罗才旺易文杰孙雪平
关键词:分析器温度场
离子注入机剂量控制器设计被引量:3
2016年
剂量控制器是离子注入机的核心部件,主要功能有精确测量离子注入机束流与注入剂量,控制离子束在电场中水平运动,并使离子均匀地分布在水平方向和同步垂直扫描运动完成离子注入的剂量控制。基于这些功能要求,本文提出了一种高精密、多功能和程控式的离子注入机剂量控制器。首先介绍了离子注入机剂量控制器工作原理和功能,然后,详细地阐述剂量控制器的系统构成和各功能模块设计及功能实现。此控制器按功能主要分为多通道、多级量程的高精度束流与剂量测量模块、扫描波形控制模块、垂直扫描同步信号检测与控制模块等。最后,通过实验验证了此离子注入机剂量控制器的性能达到设计要求。
钟新华彭立波易文杰
关键词:离子注入
共1页<1>
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