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张雪

作品数:2 被引量:19H指数:2
供职机构:西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家部委预研基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电离辐射效应
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化层陷阱
  • 1篇晶体管
  • 1篇辐射噪声
  • 1篇辐照损伤
  • 1篇MOS结构

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇陈伟华
  • 2篇何亮
  • 2篇张雪
  • 2篇杜磊
  • 1篇包军林
  • 1篇庄奕琪
  • 1篇张天福

传媒

  • 1篇电子科技
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型被引量:2
2009年
在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型。通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方法的可靠性。结果表明此方法为晶体管的可靠性筛选,提供了理论依据。
张雪杜磊何亮陈伟华
关键词:晶体管辐照损伤
MOS结构电离辐射效应模型研究被引量:17
2009年
基于氧化层空穴俘获和质子诱导界面陷阱电荷形成物理机制的分析,分别建立了MOS结构电离辐射诱导氧化层陷阱电荷密度、界面陷阱电荷密度与辐射剂量相关性的物理模型.由模型可以得到,在低剂量辐照条件下辐射诱导产生的两种陷阱电荷密度与辐射剂量成线性关系,在中到高辐射剂量下诱导陷阱电荷密度趋于饱和,模型可以很好地描述这两种陷阱电荷与辐射剂量之间的关系.最后讨论了低剂量辐照下,两种辐射诱导陷阱电荷密度之间的关系,认为低辐射剂量下两者存在线性关系,并用实验验证了理论模型的正确性.该模型为辐射环境下MOS器件辐射损伤提供了更准确的预测模型.
陈伟华杜磊庄奕琪包军林何亮张天福张雪
关键词:MOS结构氧化层陷阱
共1页<1>
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