张贤高
- 作品数：16 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 气相共形薄膜生长制备光子量子点的方法
- 气相共形薄膜生长制备的光子量子点，在玻璃和硅衬底先设有横向尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台；在其上设有以共形薄膜生长制备有源层为a－SiN<Sub>z</Sub>的受DBR三维限制微腔；其中设有两个D...
- 陈坤基陈三钱波李卫张贤高李伟徐骏黄信凡
- 文献传递
- 尺寸可控的纳米硅的制备和生长模型
- 提出了在a-SiNx/a-Si:H/a-SiHx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核、并且限制性生长从球形到鼓形的过程.基于经典热力学理论,建立了限制性晶化理论模型:纳米硅生长过程中界面能增大导致...
- 黄信凡陈铠刘艳松马忠元李伟韩培高张贤高陈坤基
- 关键词：非晶硅纳米硅
- 文献传递
- 纳米尺度电子束曝光技术及在纳电子、光电子研究中的应用
- 纵观半导体集成电路的发展历史,集成度由最初的小规模集成到现在的超大规模集成,一直遵循“摩尔定律”迅速发展。硅基微加工工艺的发展在其中起了很重要的作用。随着多项半导体技术的开发引进,现在曝光精度已经突破65 nm技术节点。...
- 张贤高
- 关键词：电子束曝光纳电子器件光电子器件超大规模集成
- 硅基光子分子的设置与制备方法
- 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiN<Sub>z</Sub>的三维限...
- 钱波陈三陈坤基张贤高刘奎丁宏林李伟徐岭徐骏马忠元黄信凡
- 文献传递
- 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术制备的半导体纳米阵列的场电子发射特性
- 2008年
- 利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性。同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性。为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜。与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加。结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性。
- 周江李卫张贤高徐骏徐岭李伟陈坤基
- 关键词：场发射非晶碳
- 量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟
- 2008年
- 通过建立二维薛定谔方程和泊松方程数值模型,对基于硅量子点浮置栅和硅量子线沟道三栅结构单电子场效应管(FET)存储特性进行了研究.通过在不同尺寸、栅压和不同写入电荷条件下,对硅量子线沟道中电子浓度的二维有限元自洽数值求解,研究了在纳米尺度下硅量子线沟道中量子限制效应和电荷分布对于器件特性的影响.模拟结果发现,沟道的导通阈值电压随着尺寸的缩小而提高,并随浮置栅内存储的电子数目的增加而明显升高.然而,这样的增加趋势在受到纳米尺度沟道中高电荷密度的影响下将出现非线性饱和趋势.进一步研究发现,当沟道尺寸较小时,沟道内的强量子限制效应能够有效地抑制非线性饱和趋势.另外,由于沟道阈值电压偏移量能灵敏地反映出浮置栅内电子数目的变化,这也为多值存储功能提供了可能.
- 刘奎丁宏林张贤高余林蔚黄信凡陈坤基
- 关键词：量子效应薛定谔方程泊松方程
- 基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法
- 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO<Sub>2</Sub>层(23)，厚度为1...
- 陈坤基吴良才王久敏余林蔚李伟徐骏丁宏林张贤高刘奎王祥徐岭黄信凡
- 文献传递
- 双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应
- 2011年
- 基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.
- 张贤高方忠慧陈坤基钱昕晔刘广元徐骏黄信凡何飞
- 基于双层纳米硅结构的非挥发性浮栅存储器及制备方法
- 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO<Sub>2</Sub>层(23)，厚度为1...
- 陈坤基吴良才王久敏余林蔚李伟徐骏丁宏林张贤高刘奎王祥徐岭黄信凡
- 文献传递
- 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器
- 基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法，在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域，在注入硼离子并去除SiO<Sub>2</Sub>膜后，采用以下步骤：1)在窗口区域制备隧穿氧化层：用氯化氢氧化工...
- 陈坤基张贤高方忠慧马忠元黄信凡
- 文献传递
