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文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 4篇荧光
  • 4篇相变
  • 2篇读出
  • 2篇信息存储材料
  • 2篇记录层
  • 2篇保护层
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇上保护层
  • 1篇重写
  • 1篇下保护层
  • 1篇相变材料
  • 1篇相变光盘
  • 1篇激光
  • 1篇激光辐照
  • 1篇光辐照
  • 1篇复合相变
  • 1篇复合相变材料

机构

  • 5篇中国科学院上...

作者

  • 5篇王阳
  • 5篇吴谊群
  • 5篇张科
  • 2篇梁广飞
  • 2篇林金成
  • 1篇黄欢

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法
一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法,该相变材料的组成为Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>:0.1~0.3Ni<Sup>2+</Sup>。该材料通过磁控溅...
张科梁广飞王阳吴谊群
荧光读出的可擦重写相变光盘
一种荧光读出的可擦重写相变光盘,该光盘包括上保护层、记录层、下保护层和盘基,其特征在于所述的记录层是荧光相变记录层,所述的荧光相变记录层是由厚度10~200nm的BiSb掺杂Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3<...
王阳张科林金成吴谊群
纳米颗粒复合相变材料及其制备方法
一种纳米颗粒复合相变材料及其制备方法,该材料的构成自下而上依次包括:衬底层、第二相层、相变层和保护层,所述的衬底层是厚度为3.0mm的Si片或K9玻璃片,所述的第二相层是厚度为10~100nm的Si或Ge或SbTe或Sb...
张科王阳黄欢吴谊群
文献传递
镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法
一种镍离子掺杂锗锑碲荧光相变信息存储材料及其制备方法,该相变材料的组成为Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>:0.1~0.3Ni<Sup>2+</Sup>。该材料通过磁控溅...
张科梁广飞王阳吴谊群
文献传递
荧光读出的可擦重写相变光盘
一种荧光读出的可擦重写相变光盘,该光盘包括上保护层、记录层、下保护层和盘基,其特征在于所述的记录层是荧光相变记录层,所述的荧光相变记录层是由厚度10~200nm的BiSb掺杂Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3<...
王阳张科林金成吴谊群
文献传递
共1页<1>
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