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张富强

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：河北工业大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 6篇砷化镓
  • 5篇半绝缘
  • 3篇半绝缘GAA...
  • 2篇电传输特性
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶体
  • 1篇导体
  • 1篇电荷
  • 1篇电离
  • 1篇电离率
  • 1篇直中
  • 1篇温度关系
  • 1篇金属
  • 1篇金属接触
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇空间电荷区
  • 1篇费米能级
  • 1篇半磁半导体
  • 1篇半导体

机构

  • 7篇河北工业大学

作者

  • 7篇张富强
  • 6篇杨瑞霞
  • 2篇于海霞
  • 2篇袁炳辉
  • 2篇邓艺文
  • 2篇付浚
  • 1篇王胜利
  • 1篇赖占平
  • 1篇于明
  • 1篇刘力锋

传媒

  • 2篇河北工业大学...
  • 2篇半导体杂志

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
半绝缘GaAs电传输特性
2000年
半绝缘GaAs是弛豫半导体 ,其电传输特性和通常的寿命半导体有所不同。对弛豫半导体和寿命半导体电特性的差异进行了介绍 ,并介绍了不同金属 /半绝缘GaAs接触结构的电传输特性。
张富强杨瑞霞付浚于海霞
关键词：电传输特性砷化镓
砷化镓基半磁半导体及锰砷纳米粒子制备研究
杨瑞霞袁炳辉张富强刘力锋王胜利邓艺文
该项目通过不同注入和退火条件的组合，实现了对GaAs:MnAs磁性半导体中MnAs粒子生长过程、尺度、密度和分布的控制，制备出铁磁居里温度在320K左右，室温矫顽力在200-600Oe范围的GaAs:MnAs磁性半导体，...
关键词：
半绝缘GaAs电荷传输特性的研究
为研究SIGaAs的电荷传输特性,该文用双侧金属接触和双侧欧姆接触SIGaAs结构分别对SIGaAs与金属直接接触和欧姆接触的电荷传输特性进行了研究,建立了相应的数理模型.参考消息同接触条件、不同外加偏压和不同载流子注入...
张富强
关键词：砷化镓半绝缘GAAS
文献传递
杂质和缺陷对非掺半绝缘LEC GaAs霍耳测量的影响
2000年
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs霍耳参数温度关系。研究结果表明 ,杂质和缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响 ,存在电势波动的情况下 ,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。
杨瑞霞付浚于明于海霞张富强
关键词：砷化镓
未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系被引量：2
1999年
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与标准ＬＥＣＳＩＧａＡｓ样品有明显差别．这种差别可能是由于样品中存在杂质和缺陷不均匀分布引起的长程势波动．
贾晓华杨瑞霞于海霞张富强
关键词：EL2费米能级砷化镓半绝缘电离率
液封直拉GaAs单晶拉直中杂质和缺陷的控制
杨瑞霞袁炳辉赖占平邓艺文张富强
该课题通过大量实验，澄清了非掺杂LECGaAs单晶中主要的C源、C的沾污途径和机理，根据C源、沾污途径和相关化学反应研究结果，提出了抑制C沾污的工艺措施；利用加屏蔽罩和增加液封剂厚度的方法使晶体生长后的冷却过程中热应力峰...
关键词：
关键词：单晶体晶体生长
双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性
2000年
对双侧金属接触半绝缘ＧａＡｓ（ＭＳＭ）结构的电特性进行了模拟计算，包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布，在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的Ｉ－Ｖ特性的影响．
张富强杨瑞霞付浚
关键词：空间电荷区砷化镓电传输特性
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