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张启明

作品数：63 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文基金：河北省科技计划项目更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 53篇专利
  • 10篇期刊文章

领域

  • 20篇电气工程
  • 5篇电子电信

主题

  • 53篇电池
  • 31篇太阳电池
  • 17篇隧道结
  • 16篇键合
  • 13篇衬底
  • 12篇太阳能
  • 12篇太阳能电池
  • 12篇光谱
  • 11篇砷化镓
  • 10篇晶格
  • 10篇成核
  • 9篇电流扩展
  • 9篇太阳光
  • 9篇太阳光谱
  • 9篇晶格失配
  • 8篇叠层
  • 8篇叠层太阳电池
  • 7篇失配
  • 6篇电池技术
  • 6篇INGAN

机构

  • 63篇中国电子科技...
  • 2篇河北工业大学

作者

  • 63篇张启明
  • 54篇孙强
  • 51篇刘如彬
  • 43篇张恒
  • 25篇高鹏
  • 25篇唐悦
  • 19篇薛超
  • 15篇肖志斌
  • 11篇王帅
  • 8篇宋健
  • 8篇吴艳梅
  • 8篇姚立勇
  • 7篇王赫
  • 7篇方亮
  • 7篇李慧
  • 6篇王立功
  • 6篇姜明序
  • 6篇王宇
  • 3篇穆杰
  • 3篇康培

传媒

  • 7篇电源技术
  • 2篇半导体技术
  • 1篇设备管理与维...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 8篇2022
  • 8篇2021
  • 4篇2020
  • 8篇2019
  • 7篇2018
  • 7篇2017
  • 7篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2011
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种正向失配六结太阳电池
一种正向失配六结太阳电池，从下至上依次包括Ge衬底、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</Sub>In<Sub>0.01</Sub>As缓冲层、第一隧道结、(...
张启明郭宏亮刘如彬张恒宋健唐悦孙强
文献传递
一种GaInP/GaAs/μc-Si：H三结叠层太阳电池
本发明涉及一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池。本发明属于太阳电池技术领域。一种GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，其特点是：GaInP/GaAs/μc‑Si：H三结叠层太阳电池，采...
方亮张启明张恒刘如彬高鹏姜明序王赫
文献传递
一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池
本发明公开了一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池，属于太阳能电池技术领域，至少包括：S1、采用金属有机化学气相沉积技术在砷化镓衬底上面沉积Ga<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>As缓冲层；S2...
唐悦张启明张恒刘如彬孙强
文献传递
用于多结叠层太阳电池的GaInAsN材料研究进展被引量：3
2015年
1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难,使得相应电池性能低下,未能达到预想的效果。介绍了几种生长GaInAsN材料的外延工艺,探讨了各种外延方法导致材料生长困难的原因和相应的改进工艺,并在总结了GaInAsN太阳电池研究现状的基础上对其未来发展趋势进行了展望。
张启明张恒刘如彬唐悦孙强
关键词：GAN分子束外延化学束外延
一种三端结构具有光谱自适应的光电系统
本发明公开了一种三端结构具有光谱自适应的光电系统，属于太阳能电池技术领域，其特征在于，至少包括：实现光电转换功能的电源模块，所述电源模块包括光电池；在所述光电池上设有三个输出电极；所述三个输出电极分别为负极、正极和位于外...
郭宏亮薛超孙强张启明刘如彬张恒姚立勇
InGaN/Ge四结太阳电池及制造工艺方法
本发明公开了一种InGaN/Ge四结太阳电池及制造工艺方法，属于太阳能电池结构技术领域，其特征在于：所述InGaN/Ge四结太阳电池包括自下而上的：锗衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、第一隧道结、In<Sub>a</Su...
张启明张恒唐悦刘如彬高鹏薛超孙强
文献传递
一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片及其制备方法
本发明涉及一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片及其制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片，通过Langmuir‑Blodgett法在玻璃盖片的表面形成单层纳米球，通过刻蚀纳米球在玻璃盖片受光面...
方亮高鹏薛超王赫唐悦石璘张启明
文献传递
一种正向失配六结太阳电池
一种正向失配六结太阳电池，从下至上依次包括Ge衬底、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</Sub>In<Sub>0.01</Sub>As缓冲层、第一隧道结、(...
张启明郭宏亮刘如彬张恒宋健唐悦孙强
MOCVD制备禁带宽度2.1～2.2 eV的AlGaInP太阳电池
2018年
禁带宽度2.0~2.2 eV的AlGaInP太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的一结子电池,但目前高质量高Al组分的AlGaInP材料制备仍存在不小的挑战。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备制备了禁带宽度2.1~2.2 eV的AlGaInP太阳电池,研究了外延生长温度、表面活性剂等外延和结构参数对AlGaInP材料和电池性能的影响。通过优化外延生长温度和掺入表面活性剂,获得了在AM0光谱下开路电压达到1.58 V、光电转换效率为12.48%的AlGaInP单结太阳电池。
张恒张启明孙强肖志斌王赫
关键词：ALGAINP太阳电池MOCVD
一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法，使用金属箔作为转移支撑衬底，有效减轻器件重量，提高重量比功率，同时具有柔性功能。使用金属键合方法，具有稳定且良好导电性的连接方式，采用真空蒸发的方式制备键合金属层，...
姜明序石璘张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王帅王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
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